6инч HPSI SiC субстрат вафины Кремний Карбид Ярым хурлаучы SiC ваферлары

Кыска тасвирлау:

Электрон һәм оптоэлектрон сәнәгатенә югары сыйфатлы бер кристалл SiC ваферы (Силикон Карбид). 3inch SiC ваферы - киләсе буын ярымүткәргеч материал, 3 дюйм диаметрлы ярым изоляцион кремний-карбид ваферы. Ваферлар көч, RF һәм оптоэлектроника җайланмалары ясау өчен эшләнгән.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

PVT Кремний Карбид Кристалл SiC үсеш технологиясе

SiC бер кристалл өчен хәзерге үсеш ысуллары, нигездә, түбәндәге өчне үз эченә ала: сыек фаза ысулы, югары температуралы химик пар парлау ысулы, һәм физик пар фазасы транспорт (PVT) ысулы. Алар арасында PVT ысулы - SiC бер кристалл үсеше өчен иң тикшерелгән һәм җитлеккән технология, һәм аның техник кыенлыклары:

. бүтән кимчелекләр.

. конкрет кристалл тибы процессның тотрыклылыгын контрольдә тоту кыен, мәсәлән, 4H тибындагы хәзерге агым.

. RF җайланмаларында кулланылган ярым изоляцион кремний карбид субстратлары өчен электр характеристикалары бик аз пычраклык концентрациясен һәм кристаллдагы нокта җитешсезлекләрен контрольдә тотып ирешергә тиеш.