6 дюймлы HPSI SiC субстрат пластинасы Кремний карбиды ярым-өчүче SiC пластиналары
PVT кремний карбиды кристалл SiC үстерү технологиясе
SiC монокристаллын үстерүнең хәзерге ысуллары, нигездә, түбәндәге өч ысулны үз эченә ала: сыек фаза ысулы, югары температуралы химик пар урнаштыру ысулы һәм физик пар фаза транспорты (PVT) ысулы. Алар арасында PVT ысулы SiC монокристаллын үстерү өчен иң тикшерелгән һәм өлгергән технология булып тора, һәм аның техник кыенлыклары:
(1) SiC монокристаллын 2300°C югары температурада ябык графит камерасында "каты - газ - каты" әйләнешнең яңадан кристаллашу процессын тәмамлау өчен кулланалар, үсеш циклы озын, контрольдә тоту авыр, һәм микротөшчәләр, кертелүләр һәм башка кимчелекләр барлыкка килүчән.
(2) Кремний карбиды монокристаллы, 200 дән артык төрле кристалл төрен үз эченә ала, ләкин гомумән алганда, бер генә кристалл төрен җитештерү, үсеш процессында кристалл төрен үзгәртү җиңел, күп типлы кертемнәрнең кимчелекләренә китерә, бер конкрет кристалл төрен әзерләү процессы процессның тотрыклылыгын контрольдә тоту авыр, мәсәлән, хәзерге 4H типтагы төп агым.
(3) Кремний карбиды монокристалл үсешенең термик кырында температура градиенты барлыкка килә, нәтиҗәдә кристалл үсеш процессында эчке көчәнеш барлыкка килә һәм нәтиҗәдә дислокацияләр, җитешсезлекләр һәм башка кимчелекләр барлыкка килә.
(4) Кремний карбиды монокристаллын үстерү процессында тышкы катнашмалар кертүне катгый контрольдә тотарга кирәк, шуның белән бик югары сафлыклы ярымизоляцияле кристалл яки юнәлешле легирланган үткәргеч кристалл алырга мөмкин. Радиоелемтәләр җайланмаларында кулланыла торган ярымизоляцияле кремний карбиды субстратлары өчен электр үзлекләренә бик түбән катнашма концентрациясен һәм кристаллдагы нокта кимчелекләренең билгеле төрләрен контрольдә тоту юлы белән ирешергә кирәк.
җентекле схема
