6 дюймлы SiC Epitaxiy пластинасы N/P төре заказ буенча кабул ителә

Кремний карбиды эпитаксиаль пластинасын әзерләү процессы - химик пар чыгару (CVD) технологиясен кулланып башкарыла торган ысул. Түбәндә тиешле техник принциплар һәм әзерләү процессы адымнары китерелгән:

Техник принцип:

Химик пар утырту: Чимал газын газ фазасында кулланып, билгеле бер реакция шартларында ул таркала һәм кирәкле юка пленка барлыкка китерү өчен субстратка урнаштырыла.

Газ фазасы реакциясе: Пиролиз яки крекинг реакциясе аша газ фазасындагы төрле чимал газлары реакция камерасында химик яктан үзгәртелә.

Әзерлек процессы адымнары:

Субстрат эшкәртү: Эпитаксиаль пластинаның сыйфатын һәм кристалллыгын тәэмин итү өчен, субстрат өслекне чистартуга һәм алдан эшкәртүгә дучар ителә.

Реакция камерасын көйләү: реакция шартларының тотрыклылыгын һәм контролен тәэмин итү өчен реакция камерасының температурасын, басымын һәм агым тизлеген һәм башка параметрларны көйләү.

Чимал белән тәэмин итү: кирәкле газ чималын реакция камерасына җибәрү, кирәк булганда агым тизлеген катнаштыру һәм контрольдә тоту.

Реакция процессы: Реакция камерасын җылыту аша, газсыман чимал камерада химик реакциягә керә, кирәкле утырма, ягъни кремний карбиды пленкасы барлыкка килә.

Суыту һәм бушату: Реакция ахырында, реакция камерасындагы утырмаларны суыту һәм катыру өчен температура әкренләп төшерелә.

Эпитаксиаль пластинаны җылыту һәм эшкәртү: салынган эпитаксиаль пластинаны җылыталар һәм аның электр һәм оптик үзлекләрен яхшырту өчен эшкәртү.

Кремний карбиды эпитаксиаль пластинасын әзерләү процессының конкрет адымнары һәм шартлары конкрет җиһазларга һәм таләпләргә карап төрлечә булырга мөмкин. Югарыда күрсәтелгәннәр гомуми процесс агымы һәм принцибы гына, конкрет операцияне чынбарлыктагы хәлгә карап көйләргә һәм оптимальләштерергә кирәк.