6inch SiC Epitaxiy wafer N / P тибы көйләнгән

6inch SiC Epitaxiy wafer N / P тибы махсуслаштырылган Рәсемне кабул итә

Кыска тасвирлау:

4, 6, 8 дюймлы кремний карбид эпитаксиаль вафер һәм эпитаксиаль фабрика хезмәтләре, җитештерү (600V ~ 3300V) электр җайланмалары, шул исәптән SBD, JBS, PiN, MOSFET, JFET, BJT, GTO, IGBT һ.б.

Электр җайланмалары ясау өчен без 4 дюймлы һәм 6 дюймлы SiC эпитаксиаль ваферлар бирә алабыз, шул исәптән SBD JBS PiN MOSFET JFET BJT GTO & IGBT 600V дан 3300V га кадәр.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Кремний карбид эпитаксиаль ваферны әзерләү процессы - химик пар парламенты (CVD) технологиясен куллану ысулы.Түбәндә тиешле техник принциплар һәм әзерлек процессы адымнары бар:

Техник принцип:

Химик пар парламенты: Чимал газын газ фазасында кулланып, конкрет реакция шартларында, ул череп, кирәкле нечкә пленка формалаштыру өчен субстратка урнаштырыла.

Газ-фазалы реакция: Пиролиз яки ярылу реакциясе аша реакция палатасында газ фазасында төрле чимал газлары химик рәвештә үзгәртелә.

Әзерлек процессы адымнары:

Субстрат эшкәртү: Эпитаксиаль ваферның сыйфатын һәм кристалллыгын тәэмин итү өчен субстрат өслекне чистартуга һәм алдан эшкәртүгә дучар ителә.

Реакция камерасын төзәтү: реакция палатасының температурасын, басымын һәм агым тизлеген көйләгез, реакция шартларының тотрыклылыгын һәм контролен тәэмин итү өчен.

Чимал белән тәэмин итү: кирәкле газ чималын реакция камерасына җибәрегез, кирәк булганда агым тизлеген кушып контрольдә тотыгыз.

Реакция процессы: Реакция камерасын җылытып, газлы терлек палатасында кирәкле чыганакны, ягъни кремний карбид пленкасын чыгару өчен, палатада химик реакция кичерә.

Суыту һәм бушату: реакция ахырында температура әкренләп түбәнәйтелә, реакция палатасындагы чыганакларны ныгыту һәм ныгыту.

Эпитаксиаль ваферны аннальләштерү һәм эшкәртүдән соң: урнаштырылган эпитаксиаль вафер аннальланган һәм электр һәм оптик үзлекләрен яхшырту өчен эшкәртелгән.

Кремний карбид эпитаксиаль вафер әзерләү процессының конкрет адымнары һәм шартлары махсус җиһазларга һәм таләпләргә карап төрле булырга мөмкин.Aboveгарыда әйтелгәннәр бары тик гомуми процесс агымы һәм принцибы, конкрет операцияне фактик ситуация буенча көйләргә һәм оптимальләштерергә кирәк.