8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer үткәргеч думи тикшеренү дәрәҗәсе

8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer үткәргеч думи тикшеренү классы Күрсәтелгән рәсем

Кыска тасвирлау:

Транспорт, энергетика һәм сәнәгать базарлары үсеш алган саен, ышанычлы, югары җитештерүчән электроникага сорау арта. Ярымүткәргечнең эшләвен яхшырту ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен, җайланма җитештерүчеләре киң үткәргеч ярымүткәргеч материалларга карыйлар, мәсәлән, безнең 4H SiC Prime Grade портфолио 4H n-тип кремний карбид (SiC) ваферлары.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Uniqueзенчәлекле физик һәм электрон үзенчәлекләре аркасында, 200 мм SiC вафер ярымүткәргеч материал югары җитештерүчән, югары температура, нурланышка чыдам һәм югары ешлыктагы электрон җайланмалар булдыру өчен кулланыла. 8inch SiC субстрат бәясе әкренләп кими бара, технология алга киткәндә һәм сорау үсә. Соңгы технология эшләнмәләре 200 мм SiC вафер җитештерү күләменә китерә. Si һәм WaA ярымүткәргеч материалларының Si һәм GaAs ваферлары белән чагыштырганда төп өстенлекләре: Кар көчләре өзелгән вакытта 4H-SiC электр кыры көче Si һәм GaAs өчен тиешле кыйммәтләрдән югарырак зурлык тәртибеннән күбрәк. Бу Ронның дәүләт каршылыгы сизелерлек кимүенә китерә. Түбән дәүләт каршылыгы, югары ток тыгызлыгы һәм җылылык үткәрүчәнлеге белән берлектә, электр приборлары өчен бик кечкенә үлем кулланырга мөмкинлек бирә. SiC-ның югары җылылык үткәрүчәнлеге чипның җылылык каршылыгын киметә. SiC ваферларына нигезләнгән җайланмаларның электрон үзлекләре вакыт белән һәм температураның тотрыклылыгы буенча бик тотрыклы, бу продуктларның югары ышанычлылыгын тәэмин итә. Кремний карбид каты нурланышка бик чыдам, ул чипның электрон үзлекләрен киметми. Кристаллның югары чикләүче эш температурасы (6000Стан артык) сезгә каты эш шартлары һәм махсус кушымталар өчен бик ышанычлы җайланмалар булдырырга мөмкинлек бирә. Хәзерге вакытта без 200mmSiC вак партиясен тотрыклы һәм өзлексез тәэмин итә алабыз һәм складта бераз запасы бар.

Спецификация

Сан	Предмет	Берәмлек	Producитештерү	Тикшеренү	Думи
1. Параметрлар
1.1	политип	--	4H	4H	4H
1.2	өслек юнәлеше	°	<11-20> 4 ± 0,5	<11-20> 4 ± 0,5	<11-20> 4 ± 0,5
2. Электр параметры
2.1	допант	--	азот	азот	азот
2.2	каршылык	ох · см	0.015 ~ 0.025	0.01 ~ 0.03	NA
3. Механик параметр
3.1	диаметры	mm	200 ± 0,2	200 ± 0,2	200 ± 0,2
3.2	калынлыгы	μm	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25
3.3	Нечкә юнәлеш	°	[1- 100] ± 5	[1- 100] ± 5	[1- 100] ± 5
3.4	Тирәнлек	mm	1 ~ 1.5	1 ~ 1.5	1 ~ 1.5
3.5	ЛТВ	μm	≤5 (10 мм * 10 мм)	≤5 (10 мм * 10 мм)	≤10 (10 мм * 10 мм)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Bowәя	μm	-25 ~ 25	-45 ~ 45	-65 ~ 65
3.8	Сугыш	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4. Структура
4.1	микропип тыгызлыгы	ea / cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	металл эчтәлеге	атом / см2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea / cm2	≤500	0001000	NA
4.4	BPD	ea / cm2	0002000	0005000	NA
4.5	TED	ea / cm2	0007000	≤10000	NA
5. Уңай сыйфат
5.1	фронт	--	Si	Si	Si
5.2	өслек бетү	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	кисәкчәләр	ea / wafer	≤100 (size≥0.3μm)	NA	NA
5.4	тырнау	ea / wafer	≤5, гомуми озынлыгы≤200 мм	NA	NA
5.5	Кыр фишкалар / индекслар / ярыклар / таплар / пычрану	--	Беркем дә юк	Беркем дә юк	NA
5.6	Политип өлкәләре	--	Беркем дә юк	Район ≤10%	Район ≤30%
5.7	алгы билгеләр	--	Беркем дә юк	Беркем дә юк	Беркем дә юк
6. Арткы сыйфат
6.1	артка бетү	--	Д-депутат	Д-депутат	Д-депутат
6.2	тырнау	mm	NA	NA	NA
6.3	Арткы җитешсезлекләр кыры фишкалар / индекслар	--	Беркем дә юк	Беркем дә юк	NA
6.4	Арткы тупаслык	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Арткы маркировка	--	Notch	Notch	Notch
7. Кыр
7.1	кыр	--	Чамфер	Чамфер	Чамфер
8. Пакет
8.1	төрү	--	Эпи вакуум белән әзер төрү	Эпи вакуум белән әзер төрү	Эпи вакуум белән әзер төрү
8.2	төрү	--	Күп вафер кассета төрү	Күп вафер кассета төрү	Күп вафер кассета төрү