Көч электроникасы өчен махсус N типтагы SiC орлык субстраты диаметры 153/155 мм

Power Electronics өчен махсус N типтагы SiC орлык субстраты, диаметры 153/155 мм. Күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

Кремний карбиды (SiC) орлык субстратлары өченче буын ярымүткәргечләр өчен нигез материал булып хезмәт итә, алар гадәттән тыш югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары дәрәҗәдәге җимерелү электр кыры көче һәм югары электрон хәрәкәтчәнлеге белән аерылып тора. Бу үзенчәлекләр аларны электр электроникасы, радиоешлык җайланмалары, электр транспорт чаралары (EV) һәм яңартыла торган энергия кушымталары өчен алыштыргысыз итә. XKH югары сыйфатлы SiC орлык субстратларын фәнни-тикшеренү һәм эшләү өлкәсендә махсуслаша, тармакта алдынгы кристалл сыйфатын тәэмин итү өчен физик пар транспорты (PVT) һәм югары температуралы химик пар утырту (HTCVD) кебек алдынгы кристалл үстерү ысулларын куллана.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

таныштыру

XKH 4 дюймлы, 6 дюймлы һәм 8 дюймлы SiC орлык субстратларын тәкъдим итә, алар N-тип/P-тип легирлау белән көйләнергә мөмкин, 0,01-0,1 Ω·см каршылык дәрәҗәсенә һәм 500 см⁻² тан түбән дислокация тыгызлыгына ирешә, бу аларны MOSFET, Шоттки барьер диодлары (SBD) һәм IGBT җитештерү өчен идеаль итә. Безнең вертикаль интеграцияләнгән җитештерү процессы кристалл үстерүне, пластиналарны кисүне, ялтыратуны һәм тикшерүне үз эченә ала, айлык җитештерү куәте 5000 пластинадан артып, тикшеренү учреждениеләренең, ярымүткәргеч җитештерүчеләрнең һәм яңартыла торган энергия компанияләренең төрле ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен кулланыла.

Моннан тыш, без түбәндәгеләрне кертеп, махсус чишелешләр тәкъдим итәбез:

Кристалл ориентациясен көйләү (4H-SiC, 6H-SiC)

Махсуслаштырылган допинг (алюминий, азот, бор һ.б.)

Бик шома ялтырату (Ra < 0,5 нм)

XKH, оптимальләштерелгән SiC субстрат чишелешләрен тәэмин итү өчен, үрнәккә нигезләнгән эшкәртүне, техник консультацияләрне һәм кечкенә партияле прототиплаштыруны хуплый.

Техник параметрлар

Кремний карбиды орлыгы пластинасы
Политип	4H
Өслек юнәлеше хатасы	4° <11-20>±0.5º юнәлешендә
Каршылык	көйләү
Диаметр	205±0.5мм
Калынлыгы	600±50μm
Тупаслык	CMP, Ra≤0.2nm
Микроторба тыгызлыгы	≤1 ea/cm2
Сызыклар	≤5, Гомуми озынлык ≤2 * Диаметр
Чит кисәкләре/чуклары	Юк
Алгы лазер белән билгеләү	Юк
Сызыклар	≤2, Гомуми озынлык ≤ Диаметр
Чит кисәкләре/чуклары	Юк
Политип зоналары	Юк
Арткы лазер белән билгеләү	1 мм (өске кырыйдан)
Кырый	фаска
Упаковка	Күп вафлилы кассета

SiC орлык субстратлары - төп үзенчәлекләре

1. Гадәттән тыш физик үзлекләр

· Югары җылылык үткәрүчәнлеге (~490 Вт/м·К), кремний (Si) һәм галлий арсенидыннан (GaAs) күпкә узып китә, бу аны югары куәтле тыгызлыктагы җайланмаларны суыту өчен идеаль итә.

· Ватылу кыры көче (~3 МВ/см), югары вольтлы шартларда тотрыклы эшләүне тәэмин итә, электромобиль инверторлары һәм сәнәгать электр модульләре өчен бик мөһим.

· Киң зоналы диапазон (3,2 эВ), югары температураларда агып чыгу токларын киметә һәм җайланманың ышанычлылыгын арттыра.

2. Югары кристалл сыйфаты

· PVT + HTCVD гибрид үсеш технологиясе микроторба кимчелекләрен минимальләштерә, дислокация тыгызлыгын 500 см⁻² тан түбәнрәк саклый.

· Вафли җәясе/варпы < 10 мкм һәм өслекнең тигезсезлеге Ra < 0,5 нм, бу югары төгәллекле литография һәм юка пленкалы утырту процесслары белән туры килүне тәэмин итә.

3. Төрле допинг вариантлары

·N-тип (азот белән кушылган): Түбән каршылык (0,01-0,02 Ω·см), югары ешлыклы RF җайланмалары өчен оптимальләштерелгән.

· P-тип (алюминий белән кушылган): Көчле MOSFET һәм IGBT өчен идеаль, ташучыларның мобильлеген яхшырта.

· Ярымизоляцияле SiC (ванадий белән кушылган): Каршылык > 10⁵ Ω·см, 5G RF алгы модульләре өчен махсус эшләнгән.

4. Әйләнә-тирә мохит тотрыклылыгы

· Югары температурага чыдамлык (>1600°C) һәм радиация катылыгы, аэрокосмик, атом җиһазлары һәм башка экстремаль мохитләр өчен яраклы.

SiC орлык субстратлары - төп кулланылышлар

1. Көч электроникасы

· Электр транспорт чаралары (ЭК): Нәтиҗәлелекне арттыру һәм җылылык белән идарә итү таләпләрен киметү өчен борт зарядка җайланмаларында (OBC) һәм инверторларда кулланыла.

· Сәнәгать электр системалары: Фотоэлектрик инверторларны һәм акыллы челтәрләрне яхшырта, >99% энергияне үзгәртү нәтиҗәлелегенә ирешә.

2. Радиоелемтәләр җайланмалары

· 5G база станцияләре: Ярымизоляцияле SiC субстратлары GaN-on-SiC RF көч көчәйткечләрен кулланырга мөмкинлек бирә, югары ешлыклы, югары куәтле сигнал тапшыруны хуплый.

Спутник элемтәсе: түбән югалту үзенчәлекләре аны миллиметр дулкынлы җайланмалар өчен яраклы итә.

3. Яңартыла торган энергия һәм энергия саклау

· Кояш энергиясе: SiC MOSFETлары DC-AC конверсиясенең нәтиҗәлелеген арттыра, шул ук вакытта система чыгымнарын киметә.

· Энергия саклау системалары (ESS): Ике юнәлешле үзгәрткечләрне оптимальләштерә һәм батареяның гомерен озайта.

4. Оборона һәм аэрокосмик

· Радар системалары: Югары куәтле SiC җайланмалары AESA (Актив электрон сканерланган массив) радарларында кулланыла.

· Космик аппаратларның энергия белән идарә итүе: Радиациягә чыдам SiC субстратлары тирән космик миссияләр өчен бик мөһим.

5. Фәнни тикшеренүләр һәм яңа технологияләр

· Квант исәпләүләре: Югары чисталыктагы SiC спин-кубит тикшеренүләрен мөмкин итә.

· Югары температуралы сенсорлар: Нефть эзләү һәм атом реакторын күзәтүдә кулланыла.

SiC орлык субстратлары - XKH хезмәтләре

1. Тәэмин итү чылбырының өстенлекләре

· Вертикаль интеграцияләнгән җитештерү: югары чисталыктагы SiC порошогыннан алып әзер пластиналарга кадәр тулы контроль, стандарт продуктлар өчен 4-6 атна вакыт тәэмин итә.

· Чыгымнарның көндәшлеккә сәләтлелеге: Масштаб икътисады конкурентларга караганда 15-20% түбәнрәк бәя куярга мөмкинлек бирә, Озак вакытлы килешүләрне (ОКИ) хуплый.

2. Үзгәртү хезмәтләре

· Кристалл ориентациясе: 4H-SiC (стандарт) яки 6H-SiC (махсуслаштырылган кушымталар).

· Допингны оптимальләштерү: N-тип/P-тип/ярымизоляция үзенчәлекләре буенча махсуслаштырылган.

· Алга киткән полировкалау: CMP полировкалау һәм эпи-реадик өслек эшкәртү (Ra < 0.3 нм).

3. Техник ярдәм

· Бушлай үрнәк сынау: XRD, AFM һәм Холл эффектын үлчәү отчетларын үз эченә ала.

· Җайланма симуляциясенә ярдәм: Эпитаксиаль үсешне һәм җайланма дизайнын оптимальләштерүне хуплый.

4. Тиз җавап бирү

· Аз күләмле прототиплаштыру: 3 атна эчендә китерелә торган, минималь заказ 10 пластина.

· Глобаль логистика: DHL һәм FedEx белән ишектән ишеккә китерү буенча партнерлык.

5. Сыйфатны тәэмин итү

· Тулы процесс тикшерүе: Рентген топографиясен (XRT) һәм кимчелек тыгызлыгын анализлауны үз эченә ала.

· Халыкара сертификатлар: IATF 16949 (автомобиль классы) һәм AEC-Q101 стандартларына туры килә.

Йомгак

XKH компаниясенең SiC орлык субстратлары кристалл сыйфаты, тәэмин итү чылбыры тотрыклылыгы һәм көйләү сыгылмалылыгы белән аерылып тора, көч электроникасы, 5G элемтәсе, яңартыла торган энергия һәм оборона технологияләре өчен хезмәт күрсәтә. Өченче буын ярымүткәргечләр сәнәгатен алга этәрү өчен без 8 дюймлы SiC массакүләм җитештерү технологиясен алга этәрүне дәвам итәбез.

Алдагысы: ICP өчен 4 дюймлы 6 дюймлы пластина тоткасы өчен SiC керамик пластина/таба

Киләсе: Оптик элемтә өчен Dia 205/203/208 4H-N тибындагы SiC орлык кристалл субстратлары