Электроника өчен N тибындагы SiC орлык субстрат Dia153 / 155mm
Танышу
Кремний Карбид (SiC) орлык субстратлары өченче буын ярымүткәргечләр өчен нигез материалы булып хезмәт итәләр, алар аеруча югары җылылык үткәрүчәнлеге, өстен ватылу электр кыры көче һәм югары электрон хәрәкәте белән аерылып торалар. Бу үзлекләр аларны электроника, RF җайланмалары, электр машиналары (ЕВ), яңартыла торган энергия кушымталары өчен алыштыргысыз итә. XKH R&D һәм югары сыйфатлы SiC орлык субстратлары җитештерүдә махсуслаша, сәнәгатьтә алдынгы кристалл сыйфатын тәэмин итү өчен физик пар транспорты (PVT) һәм югары температуралы химик пар парламенты (HTCVD) кебек кристалл үсеш алымнарын куллана.
XKH 4 дюймлы, 6 дюймлы һәм 8 дюймлы SiC орлык субстратларын көйләнә торган N-тип / P тибындагы допинг белән тәэмин итә, каршылык дәрәҗәсенә 0.01-0.1 Ω · см һәм 500 смнан түбән урнашу тыгызлыгына ирешә, аларны MOSFET, Шоттки Барьер Диодлары (SBDs) һәм IGBTs җитештерү өчен идеаль итә. Безнең вертикаль интеграль җитештерү процессы кристалл үсешен, вафер кисү, полировка һәм инспекцияне үз эченә ала, ай саен җитештерү куәте 5000 вафердан артып, тикшеренү институтларының, ярымүткәргеч җитештерүчеләрнең, яңартыла торган энергия компанияләренең төрле таләпләрен канәгатьләндерү өчен.
Өстәвенә, без махсус карарлар тәкъдим итәбез, шул исәптән:
Бәллүр ориентацияне көйләү (4H-SiC, 6H-SiC)
Махсуслаштырылган допинг (Алюминий, Азот, Бор һ.б.)
Ультра-шома бизәү (Ра <0,5 нм)
XKH оптимальләштерелгән SiC субстрат чишелешләрен китерү өчен үрнәк нигезендә эшкәртү, техник консультацияләр, кечкенә партия прототипы белән тәэмин итә.
Техник параметрлар
| Кремний карбид орлыгы ваферы | |
| Политип | 4H |
| Faceир өстендә ориентация хата | 4 ° <11-20> ± 0,5º |
| Каршылык | көйләү |
| Диаметр | 205 ± 0,5 мм |
| Калынлык | 600 ± 50μм |
| Тупаслык | CMP, Ra≤0.2nm |
| Микропип тыгызлыгы | ≤1 ea / cm2 |
| Сызулар | ≤5, гомуми озынлык2 * Диаметр |
| Кыр чиплары / индентлар | Беркем дә юк |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк |
| Сызулар | ≤2, гомуми озынлык Диаметр |
| Кыр чиплары / индентлар | Беркем дә юк |
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк |
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) |
| Кыр | Чамфер |
| Пакетлау | Күп вафинлы кассета |
SiC орлык субстратлары - төп характеристика
1. Физик үзенчәлекләр
· Highгары җылылык үткәрүчәнлеге (~ 490 Вт / м · К), кремнийдан (Si) һәм галий арсенидыннан (GaAs) шактый узып, аны югары көчле тыгызлык җайланмасын суыту өчен идеаль итә.
· Ватылу кыры көче (~ 3 MV / см), югары көчәнешле шартларда тотрыклы эшләргә мөмкинлек бирә, EV инвертерлары һәм сәнәгать көче модуллары өчен критик.
· Киң тасма (3.2 eV), югары температурада агып торган агымнарны киметү һәм җайланманың ышанычлылыгын арттыру.
2. Supгары кристалл сыйфаты
· PVT + HTCVD гибрид үсеш технологиясе микропип җитешсезлекләрен киметә, дислокация тыгызлыгын 500 см belowдан түбән саклый.
· Вафин җәя / винт <10 μm һәм өслекнең тупаслыгы Ra <0,5 нм, югары төгәл литография һәм нечкә пленка чүпләү процессларына туры килүен тәэмин итә.
3. Төрле допинг вариантлары
· N тибы (азот-допед): түбән каршылык (0.01-0.02 Ω · см), югары ешлыктагы RF җайланмалары өчен оптимальләштерелгән.
· P тибы (Алюминий-допед): MOSFET һәм IGBTs өчен идеаль, оператор хәрәкәтен яхшырту.
· Ярым изоляцион SiC (Ванадиум-допед): Каршылык> 10⁵ Ω · см, 5G RF фронтовик модульләре өчен эшләнгән.
4. Экологик тотрыклылык
· Airгары температурага каршы тору (> 1600 ° C) һәм радиация катылыгы, аэрокосмос, атом җиһазлары һәм башка экстремаль мохит өчен яраклы.
SiC орлык субстратлары - төп кушымталар
1. Электр энергиясе
· Электр машиналары (ЕВ): эффективлыкны күтәрү һәм җылылык белән идарә итү таләпләрен киметү өчен борттагы зарядлагычларда (ОБК) һәм инвертерларда кулланыла.
· Индустриаль энергия системалары: фотоволтаик инвертерларны һәм акыллы челтәрләрне көчәйтәләр, 99% энергия конверсия эффективлыгына ирешәләр.
2. RF җайланмалары
· 5G база станцияләре: ярым изоляцион SiC субстратлары GaN-on-SiC RF көчәйткечләрен эшләтеп җибәрә, югары ешлыклы, югары көчле сигнал тапшыруны тәэмин итә.
Спутник элемтәсе: Аз югалту характеристикалары аны миллиметр-дулкынлы җайланмалар өчен яраклы итә.
3. Яңартыла торган энергия һәм энергия саклау
· Кояш көче: SiC MOSFETлар система чыгымнарын киметкәндә DC-AC конверсия эффективлыгын күтәрәләр.
· Энергия саклау системалары (ESS): ике яклы конвертерларны оптимальләштерә һәм батарейка гомерен озайта.
4. Оборона һәм аэрокосмос
· Радар системалары: югары көчле SiC җайланмалары AESA (Актив Электрон Сканерланган Арр) радарларында кулланыла.
Космик корабль белән идарә итү: радиациягә чыдам SiC субстратлары тирән космик миссияләр өчен бик мөһим.
5. Тикшеренү һәм барлыкка килүче технологияләр
· Квант исәпләү: Siгары чисталыклы SiC спин кубит тикшеренүләрен үткәрергә мөмкинлек бирә.
· Temгары температуралы сенсорлар: Нефть эзләүдә һәм атом реакторы мониторингында урнаштырылган.
SiC орлык субстратлары - XKH хезмәтләре
1. Тапшыру чылбырының өстенлекләре
· Вертикаль интеграль җитештерү: югары чисталыклы SiC порошогыннан әзер ваферларга кадәр тулы контроль, стандарт продуктлар өчен 4-6 атна вакытын тәэмин итү.
· Кыйммәтнең көндәшлеккә сәләтлелеге: масштаблы икътисад көндәшләргә караганда 15-20% түбән бәягә мөмкинлек бирә, озак вакытлы килешүләр (LTAs) ярдәмендә.
2. Хосусыйлаштыру хезмәтләре
· Бәллүр ориентация: 4H-SiC (стандарт) яки 6H-SiC (махсус кушымталар).
· Допинг оптимизациясе: Н-тип / П-тип / ярым изоляцион үзлекләр.
· Алга киткән полировка: CMP полировкасы һәм эпи әзер өслекне эшкәртү (Ра <0,3 нм).
3. Техник ярдәм
· Бушлай үрнәк сынау: XRD, AFM, һәм зал эффектын үлчәү отчетлары керә.
· Devайланма симуляциясе ярдәме: эпитаксиаль үсешне һәм җайланма дизайнын оптимизацияләүне хуплый.
4. Тиз җавап
· Түбән күләмле прототиплау: 3 атна эчендә китерелгән 10 вафиның минималь заказы.
· Глобаль логистика: DHL һәм FedEx белән өйдән-өйгә китерү өчен партнерлык.
5. Сыйфатны тәэмин итү
· Тулы процесс инспекциясе: Рентген топографиясен (XRT) һәм җитешсезлек тыгызлыгын анализлый.
· Халыкара сертификатлар: IATF 16949 (автомобиль-класс) һәм AEC-Q101 стандартларына туры килә.
Йомгаклау
XKH's SiC орлык субстратлары кристалл сыйфаты, тәэмин итү чылбырының тотрыклылыгы, көйләү электроникасы, 5G элемтә, яңартыла торган энергия, оборона технологияләрендә хезмәт итә. Өченче буын ярымүткәргеч индустриясен алга этәрү өчен без 8 дюймлы SiC массалы җитештерү технологиясен алга таба да дәвам итәбез.
