Заказ буенча ясалган GaN-on-SiC эпитаксиаль пластиналары (100 мм, 150 мм) – берничә SiC субстрат вариантлары (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Кыскача тасвирлама:

Безнең заказ буенча ясалган GaN-on-SiC эпитаксиаль пластиналары галлий нитридының (GaN) гаҗәеп үзлекләрен ныклы җылылык үткәрүчәнлеге һәм механик ныклыгы белән берләштереп, югары куәтле, югары ешлыклы кушымталар өчен югарырак эш нәтиҗәлелеге тәкъдим итә.Кремний карбиды (SiC)100 мм һәм 150 мм пластина зурлыкларында тәкъдим ителә торган бу пластиналар төрле SiC субстрат вариантларында, шул исәптән 4H-N, HPSI һәм 4H/6H-P төрләрендә эшләнгән, алар көч электроникасы, радиоешлык көчәйткечләре һәм башка алдынгы ярымүткәргеч җайланмалар өчен махсус таләпләргә туры китереп эшләнгән. Үзгәртеп була торган эпитаксиаль катламнар һәм уникаль SiC субстратлары белән безнең пластиналар югары нәтиҗәлелекне, җылылык белән идарә итүне һәм катлаулы сәнәгать кушымталары өчен ышанычлылыкны тәэмин итү өчен эшләнгән.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

●Эпитаксиаль катлам калынлыгы: Үзгәртеп була торган1,0 мкмга3,5 мкм, югары куәт һәм ешлыклы эшләү өчен оптимальләштерелгән.

●SiC субстрат вариантларыТөрле SiC субстратлары белән бар, шул исәптән:

4H-NЮгары ешлыклы, югары куәтле кушымталар өчен югары сыйфатлы азот белән кушылган 4H-SiC.
HPSIЭлектр изоляциясен таләп итә торган кушымталар өчен югары чисталыклы ярымизоляцияле SiC.
4H/6H-PЮгары нәтиҗәлелек һәм ышанычлылык балансы өчен катнаш 4H һәм 6H-SiC.

●Вафли зурлыклары: Бар100 ммһәм150 ммҗайланманы масштаблау һәм интеграцияләүдә күпкырлылык өчен диаметрлар.

●Югары ватылу көчәнешеSiC технологиясендәге GaN югары ватылу көчәнешен тәэмин итә, бу югары куәтле кушымталарда ныклы эшләү мөмкинлеген бирә.

●Югары җылылык үткәрүчәнлегеSiC'ның эчке җылы үткәрүчәнлеге (якынча 490 Вт/м·К) энергияне күп куллана торган кушымталар өчен җылылыкны бик яхшы таратуны тәэмин итә.

Техник характеристикалар

Параметр	Бәя
Вафли диаметры	100 мм, 150 мм
Эпитаксиаль катлам калынлыгы	1.0 мкм – 3.5 мкм (көйләп була)
SiC субстрат төрләре	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
SiC җылылык үткәрүчәнлеге	490 Вт/м·К
SiC каршылыгы	4H-N: 10^6 Ω·см,HPSIЯрымизоляцияле,4H/6H-P: Катнаш 4H/6H
GaN катламы калынлыгы	1.0 мкм – 2.0 мкм
GaN йөртүче концентрациясе	10^18 см^-3 тан 10^19 см^-3 ка кадәр (көйләп була)
Вафли өслеге сыйфаты	RMS тупаслыгы: < 1 нм
Дислокация тыгызлыгы	< 1 x 10^6 см^-2
Вафли баганасы	< 50 мкм
Вафли яссылыгы	< 5 мкм
Максималь эш температурасы	400°C (GaN-on-SiC җайланмалары өчен гадәти)

Кушымталар

● Көчле электроника:GaN-on-SiC пластиналары югары нәтиҗәлелек һәм җылылык тарату тәэмин итә, бу аларны электр транспорт чараларында, яңартыла торган энергия системаларында һәм сәнәгать машиналарында кулланыла торган көчәйткечләр, көчне үзгәртү җайланмалары һәм көч-инвертор схемалары өчен идеаль итә.
●Еш ешлыклы көчәйткечләр:GaN һәм SiC комбинациясе телекоммуникация, юлдаш элемтәсе һәм радар системалары кебек югары ешлыклы, югары куәтле RF кушымталары өчен бик яхшы.
●Авиакосмик һәм оборона:Бу пластиналар югары җитештерүчәнлекле энергетика электроникасы һәм авыр шартларда эшли алырлык элемтә системаларын таләп итүче аэрокосмик һәм оборона технологияләре өчен яраклы.
●Автомобиль куллану:Электромобильләрдә (EV), гибрид машиналарда (HEV) һәм зарядка станцияләрендә югары җитештерүчәнлекле көч системалары өчен идеаль, нәтиҗәле көч үзгәртү һәм контрольдә тоту мөмкинлеген бирә.
●Хәрби һәм радар системалары:GaN-on-SiC пластиналары югары нәтиҗәлелеге, көч белән эшләү мөмкинлекләре һәм катлаулы мохиттә җылылык сыйфаты өчен радар системаларында кулланыла.
●Микродулкынлы һәм миллиметрлы дулкыннар кулланылышы:5G кебек киләсе буын элемтә системалары өчен GaN-on-SiC югары куәтле микродулкынлы һәм миллиметрлы дулкын диапазоннарында оптималь эш күрсәткечләрен тәэмин итә.

Сорау-җавап

1 нче сорау: SiCны GaN өчен субстрат буларак куллануның нинди файдасы бар?

A1:Кремний карбиды (SiC) кремний кебек традицион субстратларга караганда югарырак җылылык үткәрүчәнлеге, югары җимерелү көчәнеше һәм механик ныклык тәкъдим итә. Бу GaN-on-SiC пластиналарын югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы кушымталар өчен идеаль итә. SiC субстраты GaN җайланмалары тарафыннан барлыкка килгән җылылыкны таратырга ярдәм итә, ышанычлылыкны һәм эшчәнлекне яхшырта.

2 нче сорау: Эпитаксиаль катлам калынлыгын билгеле бер кушымталар өчен көйләргә мөмкинме?

A2:Әйе, эпитаксиаль катлам калынлыгын төрле диапазонда көйләргә мөмкин1,0 мкм - 3,5 мкм, сезнең кушымтаның көч һәм ешлык таләпләренә карап. Без GaN катламының калынлыгын көч көчәйткечләре, RF системалары яки югары ешлыклы схемалар кебек билгеле бер җайланмалар өчен эшчәнлекне оптимальләштерү өчен көйли алабыз.

3 нче сорау: 4H-N, HPSI һәм 4H/6H-P SiC субстратлары арасында нинди аерма бар?

A3:

4H-NАзот белән кушылган 4H-SiC гадәттә югары электрон эшләүчәнлекне таләп итә торган югары ешлыклы кушымталар өчен кулланыла.
HPSIЮгары чисталыклы ярымизоляцияле SiC электр изоляциясен тәэмин итә, минималь электр үткәрүчәнлеге таләп итә торган кушымталар өчен идеаль.
4H/6H-P: Төрле көч электроникасы кушымталары өчен яраклы, югары нәтиҗәлелек һәм ныклык комбинациясен тәкъдим итүче, эшчәнлекне тигезләүче 4H һәм 6H-SiC катнашмасы.

4 нче сорау: Бу GaN-on-SiC пластиналары электр транспорт чаралары һәм яңартыла торган энергия кебек югары куәтле кушымталар өчен яраклымы?

A4:Әйе, GaN-on-SiC пластиналары электр транспорт чаралары, яңартыла торган энергия чыганаклары һәм сәнәгать системалары кебек югары куәтле кушымталар өчен бик яхшы туры килә. GaN-on-SiC җайланмаларының югары ватылу көчәнеше, югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм энергия белән эшләү мөмкинлекләре аларга энергияне үзгәртү һәм идарә итү схемаларында нәтиҗәле эшләргә мөмкинлек бирә.

5 нче сорау: Бу пластиналар өчен гадәти дислокация тыгызлыгы нинди?

A5:Бу GaN-on-SiC пластиналарының дислокация тыгызлыгы гадәттә< 1 x 10^6 см^-2, бу югары сыйфатлы эпитаксиаль үсешне тәэмин итә, җитешсезлекләрне минимальләштерә һәм җайланманың эшчәнлеген һәм ышанычлылыгын яхшырта.

С6: Мин билгеле бер пластина зурлыгын яки SiC субстрат төрен сорый аламмы?

A6:Әйе, без сезнең куллануыгызның конкрет ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен махсуслаштырылган пластина зурлыкларын (100 мм һәм 150 мм) һәм SiC субстрат төрләрен (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) тәкъдим итәбез. Өстәмә көйләү вариантлары һәм таләпләрегез турында фикер алышу өчен, зинһар, безнең белән элемтәгә керегез.

7 нче сорау: GaN-on-SiC пластиналары экстремаль мохиттә ничек эшли?

A7:GaN-on-SiC пластиналары югары җылылык тотрыклылыгы, югары куәтле эшкәртү һәм җылылык таратуның искиткеч мөмкинлекләре аркасында экстремаль мохит өчен идеаль. Бу пластиналар аэрокосмик, оборона һәм сәнәгать кушымталарында еш очрый торган югары температуралы, югары куәтле һәм югары ешлыклы шартларда яхшы эшли.

Йомгак

Безнең махсуслаштырылган GaN-on-SiC эпитаксиаль пластиналары GaN һәм SiC-ның алдынгы үзлекләрен берләштереп, югары куәтле һәм югары ешлыклы кушымталарда югарырак эш нәтиҗәлелеген тәэмин итә. Күп санлы SiC субстрат вариантлары һәм көйләнергә мөмкин булган эпитаксиаль катламнар белән бу пластиналар югары нәтиҗәлелек, җылылык белән идарә итү һәм ышанычлылык таләп итә торган тармаклар өчен идеаль. Энергия электроникасы, радиоешлык системалары яки оборона кушымталары өчен булсынмы, безнең GaN-on-SiC пластиналары сезгә кирәкле эш нәтиҗәлелеген һәм сыгылучанлыкны тәкъдим итә.