GaN-on-SiC эпитаксиаль ваферлар (100 мм, 150 мм) - берничә SiC субстрат вариантлары (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P)

GaN-on-SiC эпитаксиаль ваферлар (100 мм, 150 мм) - күп SiC субстрат вариантлары (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P) үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

Безнең махсуслаштырылган GaN-on-SiC эпитаксиаль ваферлары Галлиум Нитридның (GaN) гаҗәеп үзенчәлекләрен нык җылылык үткәрүчәнлеге һәм механик көче белән берләштереп, югары көчле, югары ешлыклы кушымталар өчен югары күрсәткеч тәкъдим итәләр.Кремний Карбид (SiC). 100 мм һәм 150 мм вафер зурлыкларында бар, бу ваферлар төрле SiC субстрат вариантларында төзелгән, шул исәптән 4H-N, HPSI, һәм 4H / 6H-P төрләре, электроника, RF көчәйткечләре һәм башка алдынгы ярымүткәргеч җайланмалар өчен махсус таләпләргә туры китереп. Эпитаксиаль катламнар һәм уникаль SiC субстратлары белән безнең ваферлар югары эффективлык, җылылык белән идарә итү, сәнәгать кушымталарын таләп итү өчен ышанычлылык тәэмин итү өчен эшләнгән.

Безгә электрон почта җибәрегез

Featuresзенчәлекләр

● Эпитаксиаль катлам калынлыгы: Customзенчәлекле1,0 ммto3,5 мм, югары көч һәм ешлык җитештерү өчен оптимальләштерелгән.

● SiC субстрат вариантлары: Төрле SiC субстратлары белән бар, шул исәптән:

4H-N: Highгары ешлыклы, югары көчле кушымталар өчен югары сыйфатлы азотлы 4H-SiC.
HPSI: Электр изоляциясен таләп иткән кушымталар өчен югары чисталык ярым изоляцион SiC.
4H / 6H-P: Hгары эффективлык һәм ышанычлылык балансы өчен 4H һәм 6H-SiC катнаш.

● Вафер размерлары: Рөхсәтле100 ммһәм150 ммdeviceайланма масштабында һәм интеграциядә күпкырлы булу өчен диаметрлар.

● breakгары өзелү көчәнеше: SiC технологиясе буенча GaN югары ватылу көчәнешен тәэмин итә, югары көчле кушымталарда нык эшләргә мөмкинлек бирә.

● Highгары җылылык үткәрүчәнлеге: SiC-ның табигый җылылык үткәрүчәнлеге (якынча 490 Вт / м · К.) көч таләп итә торган кушымталар өчен искиткеч җылылык таратуны тәэмин итә.

Техник үзенчәлекләр

Параметр	Кыйммәт
Вафин диаметры	100 мм, 150 мм
Эпитаксиаль катлам калынлыгы	1,0 мм - 3,5 мм (көйләнә торган)
SiC субстрат төрләре	4H-N, HPSI, 4H / 6H-P
SiC җылылык үткәрүчәнлеге	490 Вт / м · К.
SiC каршылык	4H-N: 10 ^ 6 Ω · см,HPSI: Ярым изоляцион,4H / 6H-P: 4H / 6H катнаш
GaN катлам калынлыгы	1,0 мм - 2,0 мм
GaN ташучы концентрациясе	10 ^ 18 см ^ -3 - 10 ^ 19 см ^ -3 (көйләнә)
Вафер өслегенең сыйфаты	RMS тупаслык: <1 нм
Дислокация тыгызлыгы	<1 х 10 ^ 6 см ^ -2
Вафер җәя	<50 µm
Вафер яссылыгы	<5 µm
Максималь эш температурасы	400 ° C (GaN-on-SiC җайланмалары өчен типик)

Кушымталар

● Электроника:GaN-on-SiC ваферлары югары эффективлык һәм җылылык таратуны тәэмин итә, аларны электр көчәйткечләре, электр конверсия җайланмалары, электр машиналарында, яңартыла торган энергия системаларында, сәнәгать техникасында кулланыла торган электр-инвертер схемалары өчен идеаль итә.
Power RF көчәйткечләр:GaN һәм SiC комбинациясе югары ешлыктагы, югары көчле RF кушымталары өчен бик яхшы, мәсәлән, телекоммуникация, спутник элемтәсе һәм радар системалары.
● Аэрокосмос һәм Оборона:Бу ваферлар аэрокосмик һәм оборона технологияләре өчен яраклы, электроника һәм катлаулы шартларда эшли ала торган элемтә системаларын таләп итә.
● Автомобиль кушымталары:Электр машиналарында (ЕВ), гибрид машиналарда (HEV), зарядлау станцияләрендә югары җитештерүчән энергия системалары өчен идеаль, эффектив конверсия һәм контроль мөмкинлеге бирә.
● Хәрби һәм радар системалары:GaN-on-SiC ваферлары радар системаларында аларның югары эффективлыгы, энергия белән эш итү мөмкинлекләре, таләпчән шартларда җылылык эшләве өчен кулланыла.
● Микродулкынлы һәм миллиметрлы дулкынлы кушымталар:5G кертеп, киләсе буын элемтә системалары өчен GaN-on-SiC югары көчле микродулкынлы һәм миллиметр-дулкын диапазонында оптималь эш күрсәтә.

Сораулар

1-нче сорау: SiC-ны GaN өчен субстрат итеп куллануның нинди өстенлекләре бар?

А1:Кремний Карбид (SiC) кремний кебек традицион субстратлар белән чагыштырганда югары җылылык үткәрүчәнлеген, югары ватылу көчәнешен һәм механик көчен тәкъдим итә. Бу GaN-on-SiC ваферларын югары көчле, югары ешлыклы һәм югары температуралы кушымталар өчен идеаль итә. SiC субстраты GaN җайланмалары җитештергән җылылыкны таратырга ярдәм итә, ышанычлылыкны һәм эшне яхшырта.

2 нче сорау: Эпитаксиаль катлам калынлыгы махсус кушымталар өчен көйләнә аламы?

А2:Әйе, эпитаксиаль катлам калынлыгы диапазонда көйләнергә мөмкин1,0 мм - 3,5 мм, заявкагызның көченә һәм ешлык таләпләренә карап. Электр көчәйткечләре, RF системалары яки югары ешлыклы схемалар кебек махсус җайланмалар өчен эшне оптимальләштерү өчен без GaN катлам калынлыгын көйли алабыз.

3 нче сорау: 4H-N, HPSI, һәм 4H / 6H-P SiC субстратлары арасында нинди аерма бар?

А3:

4H-N: Азот-доплы 4H-SiC гадәттә югары электрон җитештерүчәнлек таләп иткән югары ешлыклы кушымталар өчен кулланыла.
HPSI: Pгары чисталык ярым изоляцион SiC электр изоляциясен тәэмин итә, минималь электр үткәрүчәнлеген таләп иткән кушымталар өчен идеаль.
4H / 6H-P: 4H һәм 6H-SiC катнашмасы, эшне тигезли, югары эффективлык һәм ныклык комбинациясен тәкъдим итә, төрле электроника кушымталары өчен яраклы.

4-нче сорау: Бу GaN-on-SiC ваферлары электр машиналары һәм яңартыла торган энергия кебек югары көчле кушымталар өчен яраклымы?

А4:Әйе, GaN-on-SiC ваферлары электр машиналары, яңартыла торган энергия, сәнәгать системалары кебек югары көчле кушымталар өчен бик яраклы. GaN-on-SiC җайланмаларының югары өзелү көчәнеше, югары җылылык үткәрүчәнлеге, һәм электр эшкәртү мөмкинлекләре аларга электр конверсиясен һәм контроль схемаларын таләп итүдә нәтиҗәле эшләргә мөмкинлек бирә.

5-нче сорау: Бу ваферлар өчен типик дислокация тыгызлыгы нинди?

А5:Бу GaN-on-SiC ваферларының дислокация тыгызлыгы гадәттә<1 х 10 ^ 6 см ^ -2, югары сыйфатлы эпитаксиаль үсешне тәэмин итә, кимчелекләрне киметә һәм җайланманың эшләвен һәм ышанычлылыгын яхшырта.

6 нчы сорау: Мин билгеле бер вафин зурлыгын яки SiC субстрат төрен сорый аламмы?

А6:Әйе, без заявкаларның конкрет ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен махсуслаштырылган вафер зурлыкларын (100 мм һәм 150 мм) һәм SiC субстрат төрләрен тәкъдим итәбез (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P). Алга таба көйләү вариантлары һәм сезнең таләпләр турында сөйләшү өчен зинһар.

7 нче сорау: GaN-on-SiC ваферлары экстремаль шартларда ничек эшли?

A7:GaN-on-SiC ваферлары югары җылылык тотрыклылыгы, югары энергия эшкәртү, искиткеч җылылык тарату мөмкинлекләре аркасында экстремаль мохит өчен идеаль. Бу ваферлар югары температурада, югары көчле һәм югары ешлыклы шартларда яхшы эшли, гадәттә аэрокосмос, оборона һәм сәнәгать кушымталарында очрый.

Йомгаклау

Безнең махсуслаштырылган GaN-on-SiC эпитаксиаль ваферлар GaN һәм SiCның алдынгы үзлекләрен берләштерәләр, югары көчле һәм югары ешлыклы кушымталарда югары җитештерүчәнлек тәэмин итәләр. Берничә SiC субстрат вариантлары һәм көйләнә торган эпитаксиаль катламнар белән, бу ваферлар югары эффективлык, җылылык белән идарә итү, ышанычлылык таләп иткән тармаклар өчен идеаль. Электроника, RF системалары, яисә оборона кушымталары өчен, безнең GaN-on-SiC ваферлары сезгә кирәкле эшне һәм сыгылманы тәкъдим итә.