Лазерлы дәвалау өчен югары көчле эпитаксиаль вафер субстрат галлий арсенид вафер көче лазер дулкын озынлыгы 905nm

LaAs югары көчле эпитаксиаль вафер субстрат галлий арсенид вафер көче лазер дулкын озынлыгы 905nm лазерлы дәвалау өчен үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

GaAs лазер эпитаксиаль таблицасы лазер кебек оптоэлектрон җайланмалар җитештерү өчен кулланыла торган галлий арсенид (GaAs) субстратында эпитаксиаль үсеш технологиясе белән формалашкан бер кристалл нечкә пленка материалын аңлата.
GaAs 905 электр лазерлары һәм GaAs югары көчле эпитакси чиплар галлий арсенид (GaAs) материалларына нигезләнгән лазерлар һәм күп өлкәләрдә киң кулланыла. MOCVD эпитаксиаль вафер, нигездә, югары көчле лазер диодында кулланыла. InGaAs квант кое актив катлам буларак кулланыла. Эпитаксиаль вафер PL, XRD, ECV һәм башка тест ысуллары белән анализлана. GaAs 905 электр лазерлары һәм GaAs югары көчле эпитакси чиплар югары эффективлык, югары энергия җитештерү һәм яхшы җылылык күрсәткечләре аркасында медицина, сәнәгать, фәнни тикшеренүләр һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла, һәм базар кыйммәте һәм техник потенциалга ия.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

GaAs лазер эпитаксиаль таблицасының төп үзенчәлекләре:

1. highгары электрон хәрәкәтчәнлеге: Галлий арсенидның югары электрон хәрәкәтчәнлеге бар, бу GaAs лазер эпитаксиаль ваферларын югары ешлыклы җайланмаларда һәм югары тизлекле электрон җайланмаларда яхшы куллана.
2. Директив бандгап күчү люминесенциясе: Туры тасма материалы буларак, галлий арсенид электр энергиясен оптоэлектрон җайланмаларда җиңел энергиягә әйләндерә ала, лазер җитештерү өчен идеаль итә.
3. Дулкын озынлыгы: GaAs 905 лазерлары гадәттә 905 нм тизлектә эшли, аларны биомедицина да кертеп, күп кушымталар өчен яраклы итә.
4. efficiencyгары эффективлык: югары фотоэлектрик конверсия эффективлыгы белән ул электр энергиясен эффектив рәвештә лазер чыганагына әйләндерә ала.
5. powerгары энергия чыганагы: Ул югары энергия чыганагына ирешә ала һәм көчле яктылык чыганагы таләп иткән сценарийларга яраклы.
6. Яхшы җылылык күрсәткече: GaAs материалы яхшы җылылык үткәрүчәнлегенә ия, бу лазерның эш температурасын киметергә һәм тотрыклылыкны яхшыртырга ярдәм итә.
7. Киң көйләү: Чыгыш көче төрле кушымта таләпләренә яраклашу өчен саклагыч токын үзгәртеп көйләнергә мөмкин.

GaAs лазер эпитаксиаль планшетларының төп кушымталары:

GaAs лазер эпитаксиаль таблицасын әзерләү, нигездә, эпитаксиаль үсеш технологиясенә бәйле, шул исәптән металл-органик химик пар парламенты (MOCVD), молекуляр нур эпитаксиалы (MBE) һәм башка ысуллар. Бу ысуллар югары сыйфатлы GaAs лазер эпитаксиаль таблицаларын алу өчен эпитаксиаль катламның калынлыгын, составын һәм кристалл структурасын төгәл контрольдә тота ала.

XKH төрле структураларда һәм калынлыкларда GaAs эпитаксиаль таблицаларын үзләштерүне тәкъдим итә, оптик элемтә, VCSEL, инфракызыл һәм яктылык кырларында киң кулланылышны үз эченә ала. XKH продуктлары югары җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны тәэмин итү өчен алдынгы MOCVD җиһазлары белән җитештерелә. Логистика ягыннан, XKH халыкара чыганак каналларының киң ассортиментына ия, алар заказлар санын үзгәртә ала, чистарту һәм бүлү кебек өстәмә хезмәтләр күрсәтә ала. Эффектив тапшыру процесслары вакытында китерүне тәэмин итә һәм сыйфат һәм җибәрү вакытына клиент таләпләренә җавап бирә. Клиентлар продуктның тотрыклы кулланылышын тәэмин итү өчен, килгәннән соң комплекслы техник ярдәм һәм сатудан соң хезмәт күрсәтә ала.