GaAs лазер эпитаксиаль пластинасы 4 дюймлы 6 дюймлы VCSEL вертикаль куышлык өслеге эмиссия лазеры дулкын озынлыгы 940нм бер тоташу
GaAs лазер эпитаксиаль катламының төп үзенчәлекләре түбәндәгеләрне үз эченә ала
1. Бер тоташулы структура: Бу лазер гадәттә бер квант чокырыннан тора, ул нәтиҗәле яктылык чыгаруны тәэмин итә ала.
2. Дулкын озынлыгы: 940 нм дулкын озынлыгы аны инфракызыл спектр диапазонына кертә, төрле кушымталар өчен яраклы.
3. Югары нәтиҗәлелек: Башка төр лазерлар белән чагыштырганда, VCSEL югары электро-оптик үзгәртү нәтиҗәлелегенә ия.
4. Компактлык: VCSEL пакеты чагыштырмача кечкенә һәм аны интеграцияләү җиңел.
5. Түбән бусага ток һәм югары нәтиҗәлелек: Күмелгән гетероструктуралы лазерлар бик түбән лазерлаштыру бусага ток тыгызлыгы (мәсәлән, 4 мА/см²) һәм югары тышкы дифференциаль квант нәтиҗәлелеге (мәсәлән, 36%) күрсәтә, сызыклы чыгу куәте 15 мВт тан артып китә.
6. Дулкын юнәлеше режимының тотрыклылыгы: Күмелгән гетероструктуралы лазер, сыну күрсәткече белән юнәлтелгән дулкын юнәлеше механизмы һәм тар актив тасма киңлеге (якынча 2 мкм) аркасында, дулкын юнәлеше режимының тотрыклылыгы өстенлегенә ия.
7. Фотоэлектрик конверсиянең югары нәтиҗәлелеге: Эпитаксиаль үсеш процессын оптимальләштерү юлы белән, эчке югалтуларны киметү өчен югары эчке квант нәтиҗәлелегенә һәм фотоэлектрик конверсия нәтиҗәлелегенә ирешергә мөмкин.
8. Югары ышанычлылык һәм гомер озынлыгы: югары сыйфатлы эпитаксиаль үстерү технологиясе яхшы өслек күренеше һәм түбән кимчелек тыгызлыгы белән эпитаксиаль катламнар әзерли ала, продуктның ышанычлылыгын һәм гомер озынлыгын яхшырта.
9. Төрле кушымталар өчен яраклы: GAAS нигезендәге лазер диод эпитаксиаль бит оптик җепселле элемтәдә, сәнәгать кушымталарында, инфракызыл һәм фотодетекторларда һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла.
GaAs лазер эпитаксиаль битенең төп куллану ысуллары түбәндәгеләрне үз эченә ала
1. Оптик элемтә һәм мәгълүмат алмашу: GaAs эпитаксиаль пластиналары оптик элемтә өлкәсендә, бигрәк тә югары тизлекле оптик элемтә системаларында, лазерлар һәм детекторлар кебек оптоэлектрон җайланмалар җитештерү өчен киң кулланыла.
2. Сәнәгать кулланылышы: GaAs лазер эпитаксиаль битләре шулай ук сәнәгать кулланылышларында, мәсәлән, лазер эшкәртү, үлчәү һәм сизүдә мөһим кулланылышка ия.
3. Кулланучылар электроникасы: Кулланучылар электроникасында GaAs эпитаксиаль пластиналары смартфоннарда һәм башка кулланучы электроникасында киң кулланыла торган VCsels (вертикаль куышлык өслеге нурландыручы лазерлар) җитештерү өчен кулланыла.
4. Радиоелемтәләр кулланылышы: GaAs материаллары радиоелемтәләр өлкәсендә зур өстенлекләргә ия һәм югары җитештерүчән радиоелемтәләр җайланмаларын җитештерү өчен кулланыла.
5. Квант нокталы лазерлар: GAAS нигезендәге квант нокталы лазерлар элемтә, медицина һәм хәрби өлкәләрдә, бигрәк тә 1,31 мкм оптик элемтә диапазонында киң кулланыла.
6. Пассив Q ачкычы: GaAs абсорберы микроэшкәртү, диапазонлаштыру һәм микрохирургия өчен яраклы пассив Q ачкычы булган диод белән насосланган каты халәт лазерлары өчен кулланыла.
Бу кушымталар GaAs лазер эпитаксиаль пластиналарының югары технологияле кушымталарның киң диапазонында мөмкинлекләрен күрсәтә.
XKH төрле структуралы һәм калынлыктагы, клиент таләпләренә туры китереп эшләнгән, VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G база станцияләре һ.б. кебек киң кулланылышларны үз эченә алган GaAs эпитаксиаль пластиналарын тәкъдим итә. XKH продуктлары югары җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны тәэмин итү өчен алдынгы MOCVD җиһазлары ярдәмендә җитештерелә. Логистикага килгәндә, бездә халыкара чыганак каналларының киң диапазоны бар, заказлар санын сыгылмалы рәвештә эшкәртә алабыз һәм сирәкләндерү, сегментлаштыру һ.б. кебек өстәмә хезмәтләр күрсәтәбез. Нәтиҗәле китерү процесслары вакытында китерүне тәэмин итә һәм клиентларның сыйфат һәм китерү вакыты буенча таләпләрен канәгатьләндерә. Килгәннән соң, клиентлар продуктның шома кулланылуын тәэмин итү өчен комплекслы техник ярдәм һәм сатудан соңгы хезмәт ала алалар.
җентекле схема
