GaAs лазер эпитаксиаль вафер 4 дюйм 6 дюйм VCSEL вертикаль куыш өслеге эмиссия лазер дулкын озынлыгы 940nm бер тоташу

Кыска тасвирлау:

Клиент күрсәткән дизайн Gigabit Ethernet лазер массивлары югары бердәмлек өчен 6 дюймлы вафер 850 / 940nm үзәк оптик дулкын озынлыгы оксиды чикләнгән яки протон имплантацияләнгән VCSEL санлы мәгълүмат бәйләнеше, лазер тычканының электр һәм оптик характеристикалары температурага түбән сизгерлек. VCSEL-940 Бердәм чишелеш - вертикаль куыш өслеге чыгаручы лазер (VCSEL), дулкын озынлыгы 940 нанометр тирәсе. Мондый лазерлар гадәттә бер квант скважинасыннан тора һәм нәтиҗәле яктылык чыгаруны тәэмин итә ала. 940 нанометр дулкын озынлыгы аны инфракызыл спектрда ясый, төрле кушымталар өчен яраклы. Башка төр лазерлар белән чагыштырганда, VCsels электро-оптик конверсия эффективлыгына ия. VCSEL пакеты чагыштырмача кечкенә һәм интеграцияләү җиңел. VCSEL-940 киң кулланылышы аны заманча технологияләрдә мөһим роль уйнады.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

GaAs лазер эпитаксиаль таблицасының төп үзенчәлекләре

1. Бердәм тоташу структурасы: Бу лазер гадәттә бер квант коесыннан тора, ул эффектив яктылык чыгаруны тәэмин итә ала.
2. Дулкын озынлыгы: 940 нм дулкын озынлыгы аны инфракызыл спектр диапазонында ясый, төрле кушымталар өчен яраклы.
3. efficiencyгары эффективлык: Башка төр лазерлар белән чагыштырганда, VCSEL югары электро-оптик конверсия эффективлыгына ия.
4. Компактлылык: VCSEL пакеты чагыштырмача кечкенә һәм интеграцияләү җиңел.

5.
6.
7. Искиткеч фотоэлектрик конверсия эффективлыгы: эпитаксиаль үсеш процессын оптимальләштереп, эчке югалтуны киметү өчен югары эчке квант эффективлыгы һәм фотоэлектрик конверсия эффективлыгы алырга мөмкин.
8.
9. Төрле кушымталар өчен яраклы: GAAS нигезендәге лазер диод эпитаксиаль таблицасы оптик җепсел элемтәсендә, сәнәгать кушымталарында, инфракызыл һәм фотодетекторларда һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла.

GaAs лазер эпитаксиаль таблицасының төп куллану ысуллары

4. Rf кушымталары: GaAs материаллары RF өлкәсендә зур өстенлекләргә ия һәм югары җитештерүчән RF җайланмалары җитештерү өчен кулланыла.

5. Квант ноктасы лазерлары: GAAS нигезендә квант ноктасы лазерлары элемтә, медицина һәм хәрби өлкәләрдә аеруча 1,31µм оптик элемтә полосасында киң кулланыла.

Бу кушымталар югары технологияле кушымталарның киң спектрында GaAs лазер эпитаксиаль ваферларының потенциалын күрсәтәләр.

XKH төрле структуралар һәм калынлыклары булган GaAs эпитаксиаль ваферларны тәкъдим итә, VCSEL / HCSEL, WLAN, 4G / 5G база станцияләре һ.б. кебек күп кушымталарны үз эченә ала. XKH продуктлары югары җитештерүчәнлекне тәэмин итү өчен алдынгы MOCVD җиһазлары ярдәмендә җитештерелә. ышанычлылык. Логистика ягыннан бездә халыкара чыганак каналларының киң ассортименты бар, заказлар санын сыгылмалы итеп башкара алабыз, нечкәлек, сегментлаштыру һ.б. кебек кыйммәтле хезмәтләр күрсәтә алабыз. сыйфат һәм тапшыру вакыты. Килгәннән соң, клиентлар продуктның шома кулланылышын тәэмин итү өчен комплекслы техник ярдәм һәм сатудан соң хезмәт күрсәтә алалар.