Галлиум Нитрид (GaN) Эпитаксиаль Сапфир Ваферында үскән 4INch 6inch MEMS өчен
Сапфир ваферларында GaN үзенчәлекләре
● Effгары эффективлык:GaN нигезендәге җайланмалар кремний нигезендәге җайланмаларга караганда биш тапкыр күбрәк көч бирә, төрле электрон кушымталарда, шул исәптән RF көчәйтү һәм оптоэлектроникада эшне көчәйтә.
Band киң тасма:ГаНның киң полосасы югары температурада югары эффективлык бирә, аны югары көчле һәм югары ешлыклы кушымталар өчен идеаль итә.
● Тотрыклылыгы:GaNның экстремаль шартларны (югары температура һәм нурланыш) эшкәртү сәләте кырыс шартларда озак эшләүне тәэмин итә.
● Кечкенә размер:GaN традицион ярымүткәргеч материаллар белән чагыштырганда күбрәк компакт һәм җиңел җайланмалар җитештерергә мөмкинлек бирә, кечерәк һәм көчлерәк электрониканы җиңеләйтә.
Аннотация
Галлиум Нитрид (GaN) югары үткәргеч һәм эффективлык таләп иткән алдынгы кушымталар өчен ярымүткәргеч булып барлыкка килә, мәсәлән, фронтовик модульләр, югары тизлекле элемтә системалары, LED яктырту. GaN эпитаксиаль ваферлар, сапфир субстратларында үскәч, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу көчәнеше һәм киң ешлык реакциясе комбинациясен тәкъдим итәләр, алар чыбыксыз элемтә җайланмаларында, радарларда, бөкеләрдә оптималь эш өчен ачкыч. Бу ваферлар 4 дюймда да, 6 дюйм диаметрда да бар, төрле GaN калынлыклары төрле техник таләпләргә туры килә. GaNның уникаль үзенчәлекләре аны электр электроникасы киләчәгенә төп кандидат итә.
Продукция параметрлары
| Продукция үзенчәлеге | Спецификация |
| Вафин диаметры | 50 мм, 100 мм, 50,8 мм |
| Субстрат | Сапфир |
| GaN катлам калынлыгы | 0,5 мм - 10 мм |
| GaN тибы / допинг | N-тип (сорау буенча P-тибы бар) |
| GaN кристалл юнәлеше | <0001> |
| Оештыру төре | Бер яклы бизәлгән (SSP), ике яклы бизәлгән (DSP) |
| Al2O3 калынлык | 430 мм - 650 мм |
| TTV (Калынлыкның гомуми үзгәреше) | ≤ 10 мм |
| Bowәя | ≤ 10 мм |
| Сугыш | ≤ 10 мм |
| Faceир өсте | Кулланыла торган өслек мәйданы> 90% |
Сораулар
1-нче сорау: традицион кремний нигезендәге ярымүткәргечләрдән GaN куллануның төп өстенлекләре нинди?
A1: GaN кремнийга караганда берничә мөһим өстенлек тәкъдим итә, шул исәптән киңрәк полосага, ул югары ватылу көчәнешләрен эшкәртергә һәм югары температурада эффектив эшләргә мөмкинлек бирә. Бу GaN-ны югары көчле, югары ешлыклы кушымталар өчен идеаль итә, RF модульләре, көчәйткечләр, яктырткычлар. GaN-ның югары көч тыгызлыгын эшкәртү сәләте кремнийга нигезләнгән альтернатива белән чагыштырганда кечерәк һәм эффектив җайланмаларга мөмкинлек бирә.
2 нче сорау: Сапфир ваферындагы GaNны MEMS (Микро-Электро-Механик Системалар) кушымталарында кулланып буламы?
A2: Әйе, Сапфир ваферындагы GaN MEMS кушымталары өчен яраклы, аеруча югары көч, температураның тотрыклылыгы һәм түбән тавыш кирәк булган урыннарда. Highгары ешлыклы мохиттә материалның ныклыгы һәм эффективлыгы аны чыбыксыз элемтә, сенсор һәм радар системаларында кулланылган MEMS җайланмалары өчен идеаль итә.
С3: ГаНның чыбыксыз элемтәдә нинди потенциаль кушымталары бар?
A3: GaN чыбыксыз элемтә өчен RF фронталь модульләрендә киң кулланыла, шул исәптән 5G инфраструктурасы, радар системалары, бөкеләр. Аның югары көч тыгызлыгы һәм җылылык үткәрүчәнлеге аны югары көчле, югары ешлыклы җайланмалар өчен камил итә, кремний нигезендәге эремәләр белән чагыштырганда яхшырак эшләргә һәм кечерәк форма факторларына мөмкинлек бирә.
4-нче сорау: Сапфир вафаларында GaN өчен әйдәп баручы вакыт һәм минималь заказ күләмнәре нинди?
A4: Куркынычсызлык вакыты һәм минималь заказ күләме вафер зурлыгына, GaN калынлыгына, клиентларның конкрет таләпләренә карап үзгәрә. Сезнең спецификацияләрегезгә нигезләнеп, бәяләр һәм мөмкинлекләр өчен турыдан-туры безнең белән элемтәгә керегез.
5-нче сорау: Мин GaN катламының калынлыгын яки допинг дәрәҗәсен ала аламмы?
A5: Әйе, без GaN калынлыгын һәм допинг дәрәҗәләрен махсус куллану ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен тәкъдим итәбез. Зинһар, безгә теләгән спецификацияләрегезне хәбәр итегез, һәм без махсус чишелеш тәкъдим итәрбез.
Диаграмма
