MEMS өчен 4 дюймлы 6 дюймлы сапфир пластиналарында үстерелгән галлий нитриды (GaN) эпитаксиаль

Кыскача тасвирлама:

Сапфир пластиналарындагы галлий нитриды (GaN) югары ешлыклы һәм югары куәтле кушымталар өчен тиңдәшсез эш сыйфаты тәкъдим итә, бу аны киләсе буын RF (радиоешлык) алгы модульләре, LED яктырткычлар һәм башка ярымүткәргеч җайланмалар өчен идеаль материал итә.GaNАның югары электр үзенчәлекләре, шул исәптән югары зона аралыгы, аңа традицион кремний нигезендәге җайланмаларга караганда югарырак ватылу көчәнешләрендә һәм температураларда эшләргә мөмкинлек бирә. GaN кремнийга караганда барган саен күбрәк кулланыла башлаганлыктан, ул җиңел, көчле һәм нәтиҗәле материаллар таләп итә торган электроника өлкәсендә алга китешкә этәргеч бирә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Сапфир пластиналарындагы GaN үзлекләре

●Югары нәтиҗәлелек:GaN нигезендәге җайланмалар кремний нигезендәге җайланмаларга караганда биш тапкыр күбрәк көч бирә, төрле электрон кушымталарда, шул исәптән радиоешлык көчәйтү һәм оптоэлектроникада, эшчәнлекне яхшырта.
●Киң полоса аралыгы:GaN-ның киң зонасы югары температураларда югары нәтиҗәлелекне тәэмин итә, бу аны югары куәтле һәм югары ешлыклы кушымталар өчен идеаль итә.
●Чыдамлык:GaN'ның экстремаль шартларда (югары температура һәм радиация) эшләү сәләте каты мохиттә озак вакыт эшләүне тәэмин итә.
●Кечкенә зурлык:GaN традицион ярымүткәргеч материаллар белән чагыштырганда компактрак һәм җиңелрәк җайланмалар җитештерү мөмкинлеген бирә, кечерәк һәм көчлерәк электроника җитештерүне җиңеләйтә.

Абстракт

Галлий нитриды (GaN) югары көч һәм нәтиҗәлелек таләп итүче алдынгы кушымталар, мәсәлән, RF алгы модульләре, югары тизлекле элемтә системалары һәм LED яктырту өчен иң яхшы ярымүткәргеч буларак барлыкка килә. GaN эпитаксиаль пластиналары, сапфир субстратларында үстерелгәндә, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары җимерелү көчәнеше һәм киң ешлык реакциясе комбинациясен тәкъдим итә, бу сымсыз элемтә җайланмаларында, радарларда һәм тыгыннар тудыручы җайланмаларда оптималь эшчәнлек өчен мөһим. Бу пластиналар 4 дюймлы һәм 6 дюймлы диаметрларда, төрле техник таләпләргә туры килү өчен төрле GaN калынлыкларында бар. GaNның уникаль үзлекләре аны электр электроникасы киләчәге өчен төп кандидат итә.

Продукт параметрлары

Продукция үзенчәлеге	Спецификация
Вафли диаметры	50 мм, 100 мм, 50.8 мм
Субстрат	Сапфир
GaN катламы калынлыгы	0,5 мкм - 10 мкм
GaN төре/допинг	N-тип (P-тип сорау буенча бирелә)
GaN кристалл ориентациясе	<0001>
Полировка төре	Бер яклы ялтыратылган (SSP), ике яклы ялтыратылган (DSP)
Al2O3 калынлыгы	430 мкм - 650 мкм
TTV (Тулы калынлык үзгәрүе)	≤ 10 мкм
Баш	≤ 10 мкм
Варп	≤ 10 мкм
Өслек мәйданы	Куллану мәйданы > 90%

Сорау-җавап

1 нче сорау: GaN куллануның традицион кремний нигезендәге ярымүткәргечләргә караганда төп өстенлекләре нинди?

A1GaN кремнийга караганда берничә мөһим өстенлек бирә, шул исәптән киңрәк зона арасы, бу аңа югарырак ватылу көчәнешләрен эшкәртергә һәм югарырак температураларда нәтиҗәле эшләргә мөмкинлек бирә. Бу GaNны югары куәтле, югары ешлыклы кушымталар, мәсәлән, RF модульләре, көч көчәйткечләре һәм LEDлар өчен идеаль итә. GaNның югарырак куәт тыгызлыгын эшкәртә алу сәләте кремний нигезендәге альтернативаларга караганда кечерәк һәм нәтиҗәлерәк җайланмалар кулланырга мөмкинлек бирә.

2 нче сорау: Сапфир пластиналарындагы GaN MEMS (Микро-Электро-Механик Системалар) кушымталарында кулланылырга мөмкинме?

A2Әйе, Sapphire пластиналарындагы GaN MEMS кушымталары өчен яраклы, бигрәк тә югары көч, температура тотрыклылыгы һәм түбән тавыш таләп ителгән урыннарда. Материалның ныклыгы һәм югары ешлыклы мохиттә нәтиҗәлелеге аны сымсыз элемтәдә, сизүдә һәм радар системаларында кулланыла торган MEMS җайланмалары өчен идеаль итә.

3 нче сорау: GaN-ның сымсыз элемтәдә нинди кулланылышлары бар?

A3GaN сымсыз элемтә өчен RF фронт-end модульләрендә, шул исәптән 5G инфраструктурасында, радар системаларында һәм тыгыннар тудыручы җайланмаларда киң кулланыла. Аның югары куәт тыгызлыгы һәм җылылык үткәрүчәнлеге аны югары куәтле, югары ешлыклы җайланмалар өчен идеаль итә, кремний нигезендәге эретмәләр белән чагыштырганда яхшырак эшләү һәм кечерәк форма факторлары бирә.

4 нче сорау: Сапфир пластиналарына GaN өчен җитештерү вакыты һәм минималь заказ күләме нинди?

A4Китерү вакыты һәм минималь заказ күләме пластина зурлыгына, GaN калынлыгына һәм клиентның конкрет таләпләренә карап үзгәрә. Зинһар, сезнең спецификацияләрегез нигезендә тулы бәяләр һәм барлыгы турында белер өчен безнең белән турыдан-туры элемтәгә керегез.

5 нче сорау: Миңа махсус GaN катламы калынлыгын яки легирлау дәрәҗәләрен алырга мөмкинме?

A5Әйе, без махсус куллану ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен GaN калынлыгын һәм легирлау дәрәҗәләрен көйләүне тәкъдим итәбез. Зинһар, безгә теләгән спецификацияләрегезне хәбәр итегез, һәм без сезгә шәхси чишелеш тәкъдим итәрбез.