Кремний ваферында Галлиум Нитрид 4инч 6инч үзенчәлекле Si субстрат юнәлеше, чыдамлылык, һәм N-тип / P тибындагы вариантлар
Featuresзенчәлекләр
Band киң тасма:GaN (3.4 eV) традицион кремний белән чагыштырганда югары ешлыклы, югары көчле һәм югары температуралы эшне сизелерлек яхшырта, аны электр җайланмалары һәм RF көчәйткечләре өчен идеаль итә.
Si үзенчәлекле Si субстрат юнәлеше:Төрле Si субстрат юнәлешләрен сайлагыз, мәсәлән, <111>, <100>, һәм башкалар җайланма таләпләренә туры килер өчен.
● izedзенчәлекле каршылык:Si өчен төрле каршылык вариантларын сайлагыз, ярым изоляциядән алып югары каршылыкка һәм түбән чыдамлыкка кадәр, җайланманың эшләвен оптимальләштерү өчен.
Op Допинг төре:Электр җайланмалары, RF транзисторлары, яисә светофорлар таләпләренә туры килерлек N-тип яки P тибындагы допингта бар.
● breakгары өзелү көчәнеше:GaN-on-Si ваферлары югары вольтлы кушымталарны эшкәртергә мөмкинлек бирүче югары ватылу көчәнешенә ия (1200В га кадәр).
● Тизрәк күчү тизлеге:GaN электрон хәрәкәтчәнлеккә һәм кремнийга караганда түбән күчү югалтуларына ия, GaN-on-Si ваферларын югары тизлекле схемалар өчен идеаль итә.
● көчәйтелгән җылылык күрсәткече:Кремнийның аз җылылык үткәрүчәнлегенә карамастан, GaN-on-Si һаман да югары җылылык тотрыклылыгын тәкъдим итә, традицион кремний җайланмаларына караганда җылылыкның таралуы яхшырак.
Техник үзенчәлекләр
| Параметр | Кыйммәт |
| Вафер размеры | 4 дюйм, 6 дюйм |
| Si субстрат юнәлеш | <111>, <100>, гадәт |
| Si каршылык | Resгары каршылык, ярым изоляцион, түбән каршылык |
| Допинг тибы | N-тип, P-тип |
| GaN катлам калынлыгы | 100 нм - 5000 нм (көйләнә торган) |
| AlGaN барьер катламы | 24% - 28% Al (типик 10-20 нм) |
| Ватылу көчәнеше | 600В - 1200В |
| Электрон хәрәкәт | 2000 см² / В · с |
| Ешлыкны күчү | 18 ГГц кадәр |
| Вафер өслеге тупаслыгы | RMS ~ 0.25 nm (AFM) |
| GaN таблицасына каршы тору | 437,9 Ω · см² |
| Гомуми вафат | <25 µm (максимум) |
| Rылылык үткәрүчәнлеге | 1,3 - 2,1 Вт / см · К. |
Кушымталар
Электроника. Аның югары ватылу көчәнеше һәм түбән каршылык, хәтта югары көчле кушымталарда да эффектив энергия конверсиясен тәэмин итә.
RF һәм микродулкынлы элемтә: GaN-on-Si ваферлары югары ешлыклы мөмкинлекләр тәкъдим итә, аларны RF көчәйткечләре, спутник элемтәләре, радар системалары һәм 5G технологияләре өчен камил итә. Higherгары күчү тизлеге һәм югары ешлыкларда эшләү мөмкинлеге белән (кадәр)18 ГГц), GaN җайланмалары бу кушымталарда өстен күрсәткеч тәкъдим итә.
Автомобиль электроникасы: GaN-on-Si автомобиль электр системаларында кулланыла, шул исәптәнборттагы зарядлагычлар (ОБС)һәмDC-DC конвертерлары. Аның югары температурада эшләве һәм югары көчәнеш дәрәҗәсенә каршы торуы аны көчле электр конверсиясен таләп итүче электр машиналары кушымталары өчен яхшы яраклаштыра.
LED һәм оптоэлектроника: GaN - сайлау материалы зәңгәр һәм ак светофор. GaN-on-Si ваферлары югары эффектив LED яктырту системаларын җитештерү өчен кулланыла, яктырту, дисплей технологияләре һәм оптик элемтәдә яхшы күрсәткеч бирә.
Сораулар
1 нче сорау: Электрон җайланмаларда кремнийдан GaNның өстенлеге нинди?
А1:GaN акиңрәк тасма (3,4 eV)кремнийга караганда (1,1 eV), бу аңа югары көчәнешләргә һәм температураларга каршы торырга мөмкинлек бирә. Бу мөлкәт GaN-га югары көчле кушымталарны нәтиҗәлерәк эшләргә мөмкинлек бирә, энергия югалтуын киметә һәм система эшчәнлеген арттыра. GaN шулай ук тизрәк күчү тизлеген тәкъдим итә, алар югары ешлыклы җайланмалар өчен бик мөһим, мәсәлән, RF көчәйткечләр һәм көч конвертерлары.
2 нче сорау: Минем кушымтам өчен Si субстрат ориентациясен көйли аламмы?
А2:Әйе, тәкъдим итәбезкөйләнә торган Si субстрат юнәлешләрекебек<111>, <100>, һәм сезнең җайланма таләпләренә карап башка юнәлешләр. Si субстратының юнәлеше җайланманың эшләвендә төп роль уйный, шул исәптән электр характеристикалары, җылылык тәртибе, механик тотрыклылык.
3 нче сорау: GaN-on-Si ваферларын югары ешлыклы кушымталар өчен куллануның нинди өстенлекләре бар?
А3:GaN-on-Si ваферлары өстенрәк тәкъдим итәкүчү тизлегекремний белән чагыштырганда югары ешлыкларда тизрәк эшләргә мөмкинлек бирә. Бу аларны идеаль итәRFһәммикродулкынлыкушымталар, шулай ук югары ешлыкэлектр җайланмаларыкебекHEMTs(Electгары электрон хәрәкәт транзисторлары) һәмRF көчәйткечләр. GaN-ның югары электрон хәрәкәте шулай ук түбән күчү югалтуларына һәм нәтиҗәлелеген күтәрүгә китерә.
4-нче сорау: GaN-on-Si ваферлары өчен нинди допинг вариантлары бар?
А4:Без икесен дә тәкъдим итәбезN тибыһәмР тибыТөрле ярымүткәргеч җайланмалар өчен гадәттә кулланыла торган допинг вариантлары.N тибындагы допингөчен идеалькөч транзисторларыһәмRF көчәйткечләр, шул вакыттаП тибындагы допингеш LED кебек оптоэлектрон җайланмалар өчен кулланыла.
Йомгаклау
Кремнийдагы Galium Nitride (GaN-on-Si) ваферлары югары ешлыклы, югары көчле һәм югары температуралы кушымталар өчен идеаль чишелеш тәкъдим итә. Si көйләнә торган Si субстрат ориентациясе, каршылык, һәм N-тип / P тибындагы допинг ярдәмендә бу ваферлар электр электроникасы, автомобиль системаларыннан алып RF элемтә һәм LED технологияләренә кадәр тармакларның конкрет ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен эшләнгән. GaN-ның өстен характеристикаларын һәм кремнийның масштаблылыгын кулланып, бу ваферлар киләсе буын җайланмалары өчен көчәйтелгән җитештерүчәнлек, эффективлык һәм киләчәктә дәлилләү тәкъдим итә.
Диаграмма
