GaN эпитакси ваферы
-
4-дюймлы пыяладагы GaN: көйләнә торган пыяла вариантлары, шул исәптән JGS1, JGS2, BF33, һәм гади кварц
-
Кремний ваферында Галлиум Нитрид 4инч 6инч үзенчәлекле Si субстрат юнәлеше, чыдамлылык, һәм N-тип / P тибындагы вариантлар
-
GaN-on-SiC эпитаксиаль ваферлар (100 мм, 150 мм) - берничә SiC субстрат вариантлары (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P)
-
GaN-on-Diamond Wafers 4inch 6inch Epi калынлыгы (микрон) 0,6 ~ 2,5 яки югары ешлыклы кушымталар өчен көйләнгән.