GaN-on-Diamond Wafers 4inch 6inch Epi калынлыгы (микрон) 0,6 ~ 2,5 яки югары ешлыклы кушымталар өчен көйләнгән.
Сыйфатлар
Вафер размеры:
Төрле ярымүткәргеч җитештерү процессларына күпкырлы интеграция өчен 4 дюйм һәм 6 дюйм диаметрда бар.
Клиент таләпләренә карап, вафер зурлыгы өчен үзләштерү вариантлары.
Эпитаксиаль катлам калынлыгы:
Аралыгы: 0,6 ммнан 2,5 ммга кадәр, махсус куллану ихтыяҗларына нигезләнеп махсуслаштырылган калынлык вариантлары белән.
Эпитаксиаль катлам югары сыйфатлы GaN кристалл үсешен тәэмин итү өчен эшләнгән, оптимальләштерелгән калынлык көче, ешлык реакциясе һәм җылылык белән идарә итү.
Rылылык үткәрүчәнлеге:
Алмаз катламы якынча 2000-2200 Вт / м · К җылылык үткәрүчәнлеген тәэмин итә, югары көчле җайланмалардан җылылыкның эффектив таралуын тәэмин итә.
GaN материал үзенчәлекләре:
Киң бандгап: GaN катламы киң полосага (4 3,4 eV) файда китерә, бу каты шартларда, югары көчәнештә һәм югары температурада эшләргә мөмкинлек бирә.
Электрон хәрәкәт: югары электрон хәрәкәтчәнлеге (якынча 2000 см² / В · с), тизрәк күчү һәм оператив ешлыкларга китерә.
Breakгары өзелү көчәнеше: GaN-ның өзелү көчәнеше гадәти ярымүткәргеч материаллардан күпкә югарырак, аны энергияне күп куллану өчен яраклы итә.
Электр күрсәткече:
Powerгары көч тыгызлыгы: GaN-on-Diamond ваферлары зур көчәйткечләр һәм RF системалары өчен бик яхшы форма факторын саклап калганда, югары көч чыгарырга мөмкинлек бирә.
Түбән югалтулар: GaN эффективлыгы һәм бриллиантның җылылык таралуы комбинация эш вакытында энергиянең кимүенә китерә.
Faceир өсте сыйфаты:
Qualityгары сыйфатлы эпитаксиаль үсеш: GaN катламы бриллиант субстратында эпитаксиаль рәвештә үстерелә, минималь дислокация тыгызлыгын, кристаллның югары сыйфатын һәм җайланманың оптималь эшләвен тәэмин итә.
Бердәмлек:
Калынлык һәм композиция бердәмлеге: GaN катламы да, бриллиант субстрат та искиткеч бердәмлекне саклыйлар, җайланманың эзлекле эшләве һәм ышанычлылыгы өчен бик мөһим.
Химик тотрыклылык:
GaN да, бриллиант та химик тотрыклылык тәкъдим итәләр, бу ваферларга каты химик шартларда ышанычлы эшләргә мөмкинлек бирә.
Кушымталар
RF көч көчәйткечләре:
GaN-on-Diamond ваферлары телекоммуникацияләрдә, радар системаларында һәм спутник элемтәләрендә RF көчәйткечләре өчен идеаль, югары ешлыкларда югары эффективлык һәм ышанычлылык тәкъдим итәләр (мәсәлән, 2 ГГц - 20 ГГц һәм аннан да күбрәк).
Микродулкынлы элемтә:
Бу ваферлар микродулкынлы элемтә системаларында бик яхшы, монда югары энергия чыгу һәм минималь сигналның деградациясе критик.
Радар һәм сенсинг технологияләре:
GaN-on-Diamond ваферлары радар системаларында киң кулланыла, югары ешлыклы һәм югары көчле кушымталарда, аеруча хәрби, автомобиль һәм аэрокосмик тармакларда нык эш итә.
Спутник системалары:
Спутник элемтә системаларында бу ваферлар экстремаль экологик шартларда эшләргә сәләтле көч көчәйткечләренең ныклыгын һәм югары эшләвен тәэмин итәләр.
Powerгары көчле электроника:
GaN-on-Diamondның җылылык белән идарә итү мөмкинлекләре аларны көчле конвертерлар, инвертерлар һәм каты торышлы эстафеталар кебек югары көчле электроника өчен яраклы итә.
Rылылык белән идарә итү системалары:
Алмазның югары җылылык үткәрүчәнлеге аркасында, бу ваферлар югары җылылыклы LED һәм лазер системалары кебек нык җылылык белән идарә итүне таләп иткән кушымталарда кулланылырга мөмкин.
GaN-on-Diamond Wafers өчен сораулар
1 нче сорау: Gaгары ешлыктагы кушымталарда GaN-on-Diamond ваферларын куллануның нинди өстенлеге бар?
А1:GaN-on-Diamond ваферлары югары электрон хәрәкәтчәнлекне һәм GaN киң полосасын бриллиантның искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге белән берләштерәләр. Бу югары ешлыктагы җайланмаларга җылылык белән эффектив идарә иткәндә, традицион материаллар белән чагыштырганда зуррак эффективлык һәм ышанычлылык тәэмин итеп, югары көч дәрәҗәсендә эшләргә мөмкинлек бирә.
2-нче сорау: GaN-on-Diamond ваферлары махсус көч һәм ешлык таләпләре өчен көйләнә аламы?
А2:Әйе, GaN-on-Diamond ваферлары көйләнә торган вариантлар тәкъдим итәләр, шул исәптән эпитаксиаль катлам калынлыгы (0,6 мм - 2,5 мм), вафер размеры (4 дюйм, 6 дюйм) һәм башка параметрлар, махсус куллану ихтыяҗларына нигезләнеп, югары көчле һәм югары ешлыклы кушымталар өчен сыгылучылык.
3 нче сорау: Алмазның GaN өчен субстрат буларак төп өстенлекләре нинди?
А3:Алмазның экстремаль җылылык үткәрүчәнлеге (2200 Вт / м · К кадәр) югары көчле GaN җайланмалары җитештергән җылылыкны эффектив таратырга ярдәм итә. Бу җылылык белән идарә итү мөмкинлеге GaN-on-Diamond җайланмаларына югары тыгызлыкта һәм ешлыкларда эшләргә мөмкинлек бирә, җайланманың эшләвен һәм озын гомерен тәэмин итә.
4-нче сорау: GaN-on-Diamond ваферлары космос яки аэрокосмик кушымталар өчен яраклымы?
А4:Әйе, GaN-on-Diamond ваферлары югары ышанычлылыгы, җылылык белән идарә итү мөмкинлекләре, һәм югары нурланыш, температураның үзгәрүе, югары ешлыклы эш кебек экстремаль шартларда эшләве аркасында космос һәм аэрокосмик кушымталар өчен бик яраклы.
5-нче сорау: GaN-on-Diamond ваферыннан эшләнгән җайланмаларның көтелгән гомер озынлыгы нинди?
А5:GaN-ның табигый ныклыгы һәм бриллиантның җылылык тарату үзенчәлекләренең берләшүе җайланмаларның озын гомеренә китерә. GaN-on-Diamond җайланмалары каты шартларда һәм вакыт белән минималь деградация белән югары көчле шартларда эшләү өчен эшләнгән.
6 нчы сорау: Алмазның җылылык үткәрүчәнлеге GaN-on-Diamond ваферларының гомуми эшенә ничек тәэсир итә?
А6:Алмазның югары җылылык үткәрүчәнлеге GaN-on-Diamond ваферларының эффективлыгын көчәйтүдә мөһим роль уйный. Бу GaN җайланмаларының оптималь эшләвен, җылылык стрессын киметүен һәм гадәти ярымүткәргеч җайланмаларда гадәти проблема булган артык кызып китүдән саклануын тәэмин итә.
7 нче сорау: GaN-on-Diamond ваферлары башка ярымүткәргеч материаллардан өстенрәк булган нинди кушымталар?
A7:GaN-on-Diamond ваферлары югары энергия эшкәртү, югары ешлыклы эш һәм җылылык белән идарә итүне таләп иткән кушымталардагы башка материаллардан өстен. Бу үз эченә RF көче көчәйткечләре, радар системалары, микродулкынлы элемтә, спутник элемтәсе һәм башка югары көчле электроника керә.
Йомгаклау
GaN-on-Diamond ваферлары югары ешлыклы һәм югары көчле кушымталар өчен уникаль чишелеш тәкъдим итә, GaN-ның югары җитештерүчәнлеген бриллиантның җылылык үзенчәлекләре белән берләштерә. Көйләнә торган үзенчәлекләр белән, алар эффектив энергия китерүне, җылылык белән идарә итүне һәм югары ешлыклы эшне таләп итә торган тармакларның ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен эшләнгән, авыр шартларда ышанычлылыкны һәм озын гомерне тәэмин итә.
Диаграмма
