HPSI SiC пластинасы ≥90% үткәрүчәнлек оптик дәрәҗәсе AI/AR күзлекләре өчен

Кыскача тасвирлама:

Параметр	Дәрәҗә	4 дюймлы субстрат	6 дюймлы субстрат
Диаметр	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	99,5 мм – 100,0 мм	149,5 мм – 150,0 мм
Политип	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	4H	4H
Калынлыгы	Z дәрәҗәсе	500 мкм ± 15 мкм	500 мкм ± 15 мкм
Калынлыгы	D дәрәҗәсе	500 мкм ± 25 мкм	500 мкм ± 25 мкм
Вафли юнәлеше	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	Күчтә: <0001> ± 0.5°	Күчтә: <0001> ± 0.5°
Микроторба тыгызлыгы	Z дәрәҗәсе	≤ 1 см²	≤ 1 см²
Микроторба тыгызлыгы	D дәрәҗәсе	≤ 15 см²	≤ 15 см²
Каршылык	Z дәрәҗәсе	≥ 1E10 Ω·см	≥ 1E10 Ω·см
Каршылык	D дәрәҗәсе	≥ 1E5 Ω·см	≥ 1E5 Ω·см

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Төп кереш сүз: HPSI SiC пластиналарының ясалма интеллект/артериаль күзлекләрдәге роле

HPSI (Югары сафлыклы ярымизоляцияле) кремний карбиды пластиналары - югары каршылык (>10⁹ Ω·см) һәм бик түбән кимчелек тыгызлыгы белән характерланган махсуслаштырылган пластиналар. AI/AR күзлекләрендә алар, нигездә, дифракцияле оптик дулкынүткәргеч линзалар өчен төп субстрат материалы булып хезмәт итә, нечкә һәм җиңел форма факторлары, җылылык тарату һәм оптик эшчәнлек ягыннан традицион оптик материаллар белән бәйле чикләүләрне хәл итә. Мәсәлән, SiC дулкынүткәргеч линзаларын кулланучы AR күзлекләре 70°–80° ультра киң күрү кырына (FOV) ирешә ала, шул ук вакытта бер линза катламының калынлыгын нибары 0,55 мм га кадәр һәм авырлыгын нибары 2,7 г га кадәр киметә, кию уңайлылыгын һәм визуаль чумуны сизелерлек яхшырта.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_ 副本 _ 副本

Төп үзенчәлекләр: SiC материалы ясалма интеллект/ар күзлекләр дизайнын ничек көчәйтә

Югары сыну күрсәткече һәм оптик эшчәнлекне оптимальләштерү

SiC сыну күрсәткече (2.6–2.7) гадәти пыяла сыну күрсәткеченә (1.8–2.0) караганда якынча 50% югарырак. Бу нечкәрәк һәм нәтиҗәлерәк дулкынүткәргеч структуралар булдыру мөмкинлеген бирә, FOVны сизелерлек киңәйтә. Югары сыну күрсәткече шулай ук дифракцияле дулкынүткәргечләрдә еш очрый торган "салават күпере эффектын" басарга ярдәм итә, сурәтнең сафлыгын яхшырта.

Гаҗәеп җылылык белән идарә итү мөмкинлеге

490 Вт/м·К кадәр җылылык үткәрүчәнлеге белән (бакырныкына якын), SiC Micro-LED дисплей модульләре тарафыннан барлыкка килгән җылылыкны тиз таратырга мөмкин. Бу югары температуралар аркасында җайланмаларның эшләве начарлануын яки картаюын булдырмый, батареяның озак гомерен һәм югары тотрыклылыкны тәэмин итә.

Механик ныклык һәм чыдамлык

SiC 9,5 Моос катылыгына ия (алмаздан кала икенче урында тора), бу аны тырналуга каршы торучанлыкның югары дәрәҗәсен тәэмин итә, бу аны еш кулланыла торган кулланучы күзлекләре өчен идеаль итә. Аның өслек тигезсезлеген Ra < 0,5 нм кадәр контрольдә тотарга мөмкин, бу дулкын үткәргечләрендә яктылыкның түбән югалтуларын һәм югары дәрәҗәдә бердәм үткәрүчәнлеген тәэмин итә.

Электр җиһазларының туры килүе

HPSI SiC каршылыгы (>10⁹ Ω·см) сигнал комачаулавын булдырмаска ярдәм итә. Ул шулай ук AR күзлекләрендәге энергия белән идарә итү модульләрен оптимальләштереп, нәтиҗәле көч җайланмасы материалы булып хезмәт итә ала.

Төп гариза бирү юнәлешләре

AI/AR пыяласы өчен төп оптик компонентларс

Дифракцияле дулкынүткәргеч линзалар: SiC субстратлары зур FOVны тәэмин итүче һәм салават күпере эффектын бетерүче ультра-нечкә оптик дулкынүткәргечләр булдыру өчен кулланыла.
Тәрәзә пластиналары һәм призмалар: Заказ буенча кисү һәм ялтырату ярдәмендә SiC саклагыч тәрәзәләргә яки AR күзлекләре өчен оптик призмалар ясарга мөмкин, яктылык үткәрүчәнлеген һәм тузуга чыдамлыгын арттыра.

Башка өлкәләрдә киңәйтелгән кушымталар

Көч электроникасы: Яңа энергияле транспорт чаралары инверторлары һәм сәнәгать моторларын идарә итү кебек югары ешлыклы, югары куәтле сценарийларда кулланыла.
Квант оптикасы: Төс үзәкләре өчен хуҗа булып хезмәт итә, квант элемтәсе һәм сизү җайланмалары өчен субстратларда кулланыла.

4 дюймлы һәм 6 дюймлы HPSI SiC субстрат спецификацияләрен чагыштыру

Параметр	Дәрәҗә	4 дюймлы субстрат	6 дюймлы субстрат
Диаметр	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	99,5 мм - 100,0 мм	149,5 мм - 150,0 мм
Политип	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	4H	4H
Калынлыгы	Z дәрәҗәсе	500 мкм ± 15 мкм	500 мкм ± 15 мкм
Калынлыгы	D дәрәҗәсе	500 мкм ± 25 мкм	500 мкм ± 25 мкм
Вафли юнәлеше	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	Күчтә: <0001> ± 0.5°	Күчтә: <0001> ± 0.5°
Микроторба тыгызлыгы	Z дәрәҗәсе	≤ 1 см²	≤ 1 см²
Микроторба тыгызлыгы	D дәрәҗәсе	≤ 15 см²	≤ 15 см²
Каршылык	Z дәрәҗәсе	≥ 1E10 Ω·см	≥ 1E10 Ω·см
Каршылык	D дәрәҗәсе	≥ 1E5 Ω·см	≥ 1E5 Ω·см
Төп яссылык ориентациясе	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	(10-10) ± 5.0°	(10-10) ± 5.0°
Башлангыч яссы озынлык	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	32,5 мм ± 2,0 мм	Уклык
Икенчел яссы озынлык	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	18,0 мм ± 2,0 мм	-
Кырыйдан чыгару	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	3 мм	3 мм
LTV / TTV / Bow / Warp	Z дәрәҗәсе	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Bow / Warp	D дәрәҗәсе	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Тупаслык	Z дәрәҗәсе	Полякча Ra ≤ 1 нм / CMP Ra ≤ 0.2 нм	Полякча Ra ≤ 1 нм / CMP Ra ≤ 0.2 нм
Тупаслык	D дәрәҗәсе	Полякча Ra ≤ 1 нм / CMP Ra ≤ 0.2 нм	Полякча Ra ≤ 1 нм / CMP Ra ≤ 0,5 нм
Кырый ярыклары	D дәрәҗәсе	Тупланган мәйдан ≤ 0,1%	Кумулятив озынлык ≤ 20 мм, бер ≤ 2 мм
Политип өлкәләре	D дәрәҗәсе	Тупланган мәйдан ≤ 0,3%	Тупланган мәйдан ≤ 3%
Күренешле углерод кушылмалары	Z дәрәҗәсе	Тупланган мәйдан ≤ 0,05%	Тупланган мәйдан ≤ 0,05%
Күренешле углерод кушылмалары	D дәрәҗәсе	Тупланган мәйдан ≤ 0,3%	Тупланган мәйдан ≤ 3%
Кремний өслеге сызыклары	D дәрәҗәсе	5 рөхсәт ителә, һәрберсе ≤1 мм	Кумулятив озынлык ≤ 1 x диаметр
Кырый кисәкләре	Z дәрәҗәсе	Рөхсәт ителми (киңлеге һәм тирәнлеге ≥0,2 мм)	Рөхсәт ителми (киңлеге һәм тирәнлеге ≥0,2 мм)
Кырый кисәкләре	D дәрәҗәсе	7 рөхсәт ителә, һәрберсе ≤1 мм	7 рөхсәт ителә, һәрберсе ≤1 мм
Җеп винтын чыгару	Z дәрәҗәсе	-	≤ 500 см²
Упаковка	Z дәрәҗәсе / D дәрәҗәсе	Күп вафлилы кассета яки бер вафлилы контейнер	Күп вафлилы кассета яки бер вафлилы контейнер

XKH хезмәтләре: Интегральләштерелгән җитештерү һәм көйләү мөмкинлекләре

XKH компаниясе чималдан алып әзер пластиналарга кадәр вертикаль интеграция мөмкинлекләренә ия, SiC субстратын үстерү, кисү, ялтырату һәм махсус эшкәртүнең бөтен чылбырын үз эченә ала. Хезмәт күрсәтүнең төп өстенлекләре арасында түбәндәгеләр бар:

Материаль төрлелек:Без 4H-N тибындагы, 4H-HPSI тибындагы, 4H/6H-P тибындагы һәм 3C-N тибындагы төрле пластина төрләрен тәкъдим итә алабыз. Каршылык, калынлык һәм юнәлеш таләпләргә туры китереп көйләнергә мөмкин.
?Гибкий размер көйләү:Без 2 дюймнан алып 12 дюймга кадәр диаметрлы пластина эшкәртүне хуплыйбыз, шулай ук квадрат кисәкләр (мәсәлән, 5x5 мм, 10x10 мм) һәм тигез булмаган призмалар кебек махсус структураларны эшкәртә алабыз.
Оптик дәрәҗәдәге төгәл контроль:Пластинаның гомуми калынлык үзгәрешен (TTV) <1 мкм, ә өслекнең тигезсезлеген Ra < 0,3 нм дәрәҗәсендә сакларга мөмкин, бу дулкын үткәргеч җайланмалар өчен нано-дәрәҗәдәге яссылык таләпләренә туры килә.
Базарның тиз җавап бирүе:Интегральләштерелгән бизнес-модель фәнни-тикшеренү һәм эшләнмәләрдән массакүләм җитештерүгә нәтиҗәле күчүне тәэмин итә, кечкенә партияләрне тикшерүдән алып зур күләмле җибәрүләргә кадәр барысын да хуплый (гадәттә 15-40 көн җитә).

HPSI SiC пластинасы турында еш бирелә торган сораулар

1 нче сорау: Ни өчен HPSI SiC AR дулкын үткәргеч линзалары өчен идеаль материал дип санала?
A1: Аның югары сыну күрсәткече (2.6–2.7) зуррак күрү кырын (мәсәлән, 70°–80°) тотып торучы нечкәрәк, нәтиҗәлерәк дулкынүткәргеч структуралар булдырырга мөмкинлек бирә, шул ук вакытта "салават күпере эффектын" бетерә.
2 нче сорау: HPSI SiC ясалма интеллект/артериаль пыялалардагы җылылык белән идарә итүне ничек яхшырта?
A2: 490 Вт/м·К кадәр җылылык үткәрүчәнлеге белән (бакырга якын), ул Micro-LED кебек компонентлардан җылылыкны нәтиҗәле рәвештә тарата, тотрыклы эшләүне һәм җайланманың озаграк гомерен тәэмин итә.
3 нче сорау: HPSI SiC киелә торган күзлекләр өчен нинди ныклык өстенлекләре тәкъдим итә?
A3: Аның гадәттән тыш катылыгы (Mohs 9.5) тырналуга каршы югары дәрәҗәдәге чыдамлык бирә, бу аны көндәлек куллану өчен кулланучылар өчен AR күзлекләрендә бик нык итә.