HPSI SiC вафер диа: 3инч калынлык: Электроника өчен 350ум ± 25 µm

HPSI SiC вафер диа: 3инч калынлык: 350um ± 25 µm Электрон Электрон Электрон Рәсем өчен

Кыска тасвирлау:

Диаметры 3 дюйм һәм калынлыгы 350 µm ± 25 µm булган HPSI (югары чисталык кремний карбид) SiC ваферы югары җитештерүчән субстратлар таләп итә торган электроника кушымталары өчен махсус эшләнгән. Бу SiC ваферы югары җылылык үткәрүчәнлеген, югары ватылу көчәнешен, һәм югары эш температурасында эффективлыкны тәкъдим итә, бу энергияне сак тотучы һәм көчле электрон җайланмаларга булган ихтыяҗ өчен идеаль сайлау. SiC ваферлары югары көчәнешле, югары токлы һәм югары ешлыктагы кушымталар өчен аеруча яраклы, традицион кремний субстратлары оператив таләпләрне канәгатьләндерә алмый.
Безнең HPSI SiC ваферы, сәнәгатьнең алдынгы техникасын кулланып эшләнгән, берничә класста бар, аларның һәрберсе махсус җитештерү таләпләренә туры китереп эшләнгән. Вафер структур бөтенлекне, электр үзлекләрен, өслек сыйфатын күрсәтә, ул электр ярымүткәргечләрен, электр машиналарын (ЕВ), яңартыла торган энергия системаларын, сәнәгать энергиясен конверсияләү кебек таләпчән кушымталарда ышанычлы эш күрсәтә ала.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Заявка

HPSI SiC ваферлары электроника кушымталарының киң спектрында кулланыла, шул исәптән:

Электр ярымүткәргечләре:SiC ваферлары гадәттә электр диодлары, транзисторлар (MOSFETs, IGBT) һәм тиристорлар җитештерүдә кулланыла. Бу ярымүткәргечләр югары эффективлык һәм ышанычлылык таләп итә торган энергия конверсия кушымталарында киң кулланыла, мәсәлән, сәнәгать двигательләрендә, электр белән тәэмин итүдә, яңартыла торган энергия системалары өчен инвертерларда.
Электр машиналары (ЕВ):Электр машиналарының электр энергиясендә, SiC нигезендәге электр җайланмалары тизрәк күчү тизлеген, энергиянең эффективлыгын һәм җылылык югалтуларын киметә. SiC компонентлары батарея белән идарә итү системаларында (BMS), корылма инфраструктурасында, борттагы зарядлагычларда (ОБС) куллану өчен идеаль, монда авырлыкны киметү һәм энергияне әйләндерү эффективлыгын арттыру бик мөһим.

Яңартыла торган энергия системалары:SiC ваферлары кояш инвертерларында, җил турбинасы генераторларында, энергия саклау системаларында күбрәк кулланыла, монда югары эффективлык һәм ныклык кирәк. SiC нигезендәге компонентлар югары энергия тыгызлыгын һәм бу кушымталарда эшне көчәйтү мөмкинлеген бирә, гомуми энергия конверсия эффективлыгын күтәрә.

Сәнәгать энергиясе электроникасы:Мотор саклагычлары, робототехника һәм зур күләмле электр белән тәэмин итү кебек югары җитештерүчән сәнәгать кушымталарында SiC ваферларын куллану эффективлык, ышанычлылык һәм җылылык белән идарә итү ягыннан эшне яхшыртырга мөмкинлек бирә. SiC җайланмалары югары күчү ешлыкларын һәм югары температураны эшкәртә ала, аларны таләпчән мохит өчен яраклы итә.

Телекоммуникация һәм мәгълүмат үзәкләре:SiC телекоммуникация җиһазлары һәм мәгълүмат үзәкләре өчен электр белән тәэмин итүдә кулланыла, монда югары ышанычлылык һәм эффектив энергия конверсиясе бик мөһим. SiC нигезендәге электр җайланмалары кечерәк зурлыкларда югарырак эффективлык бирә, бу энергия куллануны киметүгә һәм эре инфраструктурада яхшырак суыту эффективлыгына тәрҗемә итә.

SiC ваферларының югары өзелү көчәнеше, түбән каршылык, һәм җылылык үткәрүчәнлеге аларны бу буын өчен идеаль субстрат итә, киләсе буын энергияне сак тотучы электроника үсешенә мөмкинлек бирә.

Сыйфатлар

Милек	Кыйммәт
Вафин диаметры	3 дюйм (76,2 мм)
Вафер калынлыгы	350 µm ± 25 µm
Вафер юнәлеше	<0001> күчәрендә ± 0,5 °
Микропип тыгызлыгы (MPD)	≤ 1 см⁻²
Электр каршылыгы	≥ 1E7 Ω · см
Допант	.Әр сүзнең
Беренчел фатир юнәлеше	{11-20} .0 5.0 °
Беренчел фатир озынлыгы	32,5 мм ± 3.0 мм
Икенчел фатир озынлыгы	18,0 мм ± 2,0 мм
Икенчел фатир юнәлеше	Си йөзе: төп фатирдан 90 ° C ± 5.0 °
Кыр читен чыгару	3 мм
LTV / TTV / Bow / Warp	3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm
Faceир өсте тупаслыгы	C-йөз: Оештырылган, Si-йөз: CMP
Ярыклар (югары интенсивлык белән тикшерелә)	Беркем дә юк
Алты тәлинкәләр (югары интенсивлык яктылыгы белән тикшерелә)	Беркем дә юк
Политип өлкәләре (югары интенсивлык белән тикшерелә)	Кумулятив мәйдан 5%
Сызулар (югары интенсивлык белән тикшерелә)	≤ 5 тырма, кумулятив озынлык ≤ 150 мм
Кыр чипсы	Беркем дә рөхсәт ителмәгән ≥ 0,5 мм киңлек һәм тирәнлек
Faceир өслеген пычрату (югары интенсивлык белән тикшерелә)	Беркем дә юк

Төп өстенлекләр

Highгары җылылык үткәрүчәнлеге:SiC ваферлары җылылыкны таркатуның гаҗәеп сәләте белән билгеле, бу электр җайланмаларына югары эффективлыкта эшләргә һәм югары агымнарны артык кызытмыйча эшкәртергә мөмкинлек бирә. Бу үзенчәлек электр электроникасында бик мөһим, анда җылылык белән идарә итү зур проблема.
Breakгары өзелү көчәнеше:SiC киң полосасы җайланмаларга югары көчәнеш дәрәҗәләренә түзә ала, аларны электр челтәре, электр машиналары, сәнәгать техникасы кебек югары көчәнешле кушымталар өчен идеаль итә.
Effгары эффективлык:Highгары күчү ешлыклары һәм түбән каршылыклы комбинация энергияне югалту, җайланмаларның гомуми эффективлыгын күтәрү һәм катлаулы суыту системалары ихтыяҗын киметү җайланмаларына китерә.
Каты шартларда ышанычлылык:SiC югары температурада (600 ° C кадәр) эшләргә сәләтле, бу традицион кремний нигезендәге җайланмаларга зыян китерә торган шартларда куллану өчен яраклы итә.
Энергияне сак тоту:SiC электр җайланмалары энергияне конверсия эффективлыгын яхшырта, бу энергия куллануны киметүдә бик мөһим, аеруча сәнәгать электр конвертерлары, электр машиналары, яңартыла торган энергия инфраструктурасы кебек зур системаларда.