HPSI SiCOI пластинасы 4,6 дюймлы гидрофолик бәйләнеш

Кыскача тасвирлама:

Югары сафлыклы ярымизоляцияле (HPSI) 4H-SiCOI пластиналары алдынгы бәйләү һәм сирәкләү технологияләре кулланып эшләнгән. Пластиналар 4H HPSI кремний карбиды субстратларын термик оксид катламнарына ике төп ысул аша бәйләү юлы белән ясала: гидрофиль (туры) бәйләү һәм өслек белән активлаштырылган бәйләү. Соңгысы бәйләнеш сыйфатын яхшырту һәм күбекләрне киметү өчен арадаш модификацияләнгән катламны (мәсәлән, аморф кремний, алюминий оксиды яки титан оксиды) кертә, бигрәк тә оптик кушымталар өчен яраклы. Кремний карбиды катламының калынлыгын контрольдә тоту ион имплантациясенә нигезләнгән SmartCut яки тарту һәм CMP полировкалау процесслары аша башкарыла. SmartCut югары төгәллекле калынлык бердәмлеген тәкъдим итә (50 нм–900 нм ±20 нм бердәмлек белән), ләкин ион имплантациясе аркасында кристаллга җиңел зыян китерергә мөмкин, бу оптик җайланма эшчәнлегенә тәэсир итә. Тарту һәм CMP полировкалау материалның зарарлануыннан саклый һәм калын пленкалар (350 нм–500 мкм) һәм квант яки PIC кушымталары өчен өстенлекле, гәрчә калынлык бердәмлеге азрак булса да (±100 нм). Стандарт 6 дюймлы пластиналар 675 мкм Si субстратлары өстендәге 3 мкм SiO2 катламында 1 мкм ± 0,1 мкм SiC катламына ия, өслекнең гаҗәеп шомалыгы белән (Rq < 0,2 нм). Бу HPSI SiCOI пластиналары MEMS, PIC, квант һәм оптик җайланмалар җитештерү өчен бик яхшы материал сыйфаты һәм процессның сыгылмалылыгы белән хезмәт күрсәтә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

SiCOI пластинасы (изолятордагы кремний карбиды) үзенчәлекләренә гомуми күзәтү

SiCOI пластиналары - яңа буын ярымүткәргеч субстрат, ул кремний карбидын (SiC) изоляция катламы, еш кына SiO₂ яки сапфир белән берләштерә, бу көч электроникасы, радиоешлыклар һәм фотоника өлкәсендәге эшчәнлекне яхшырту өчен кулланыла. Түбәндә аларның төп бүлекләргә бүленгән үзлекләре турында җентекле күзәтү бирелә:

Милек	Тасвирлама
Материал составы	Изоляцияләүче субстратка (гадәттә SiO₂ яки сапфир) беркетелгән кремний карбиды (SiC) катламы
Кристалл структурасы	Гадәттә, югары кристалл сыйфаты һәм бер төрлелеге белән билгеле булган SiCның 4H яки 6H политиплары
Электр үзенчәлекләре	Югары ватылу электр кыры (~3 MV/см2), киң зона аралыгы (4H-SiC өчен ~3.26 эВ), түбән агып чыгу тогы
Җылылык үткәрүчәнлеге	Югары җылылык үткәрүчәнлеге (~300 Вт/м·К), нәтиҗәле җылылык тарату мөмкинлеге бирә
Диэлектрик катлам	Изоляция катламы (SiO₂ яки сапфир) электр изоляциясен тәэмин итә һәм паразит сыйдырышлыкны киметә.
Механик үзлекләр	Югары катылык (~9 Моос шкаласы), механик ныклык һәм термик тотрыклылык
Өслек бизәлеше	Гадәттә, кимчелекләр тыгызлыгы түбән булган ультра шома, җайланмалар ясау өчен яраклы
Кушымталар	Көч электроникасы, MEMS җайланмалары, RF җайланмалары, югары температура һәм көчәнеш түземлелеген таләп итүче сенсорлар

SiCOI пластиналары (изолятордагы кремний карбиды) алдынгы ярымүткәргеч субстрат структурасын тәкъдим итә, ул югары сыйфатлы юка кремний карбиды катламыннан (SiC) тора, ул изоляция катламына, гадәттә кремний диоксидына (SiO₂) яки сапфирга тоташтырылган. Кремний карбиды - югары көчәнешләргә һәм югары температураларга чыдам булуы, шулай ук бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары механик катылыгы белән билгеле булган киң полосалы ярымүткәргеч, аны югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы электрон кушымталар өчен идеаль итә.

SiCOI пластиналарындагы изоляция катламы нәтиҗәле электр изоляциясен тәэмин итә, җайланмалар арасындагы паразит сыйдырышлыкны һәм агып чыгу токларын сизелерлек киметә, шуның белән җайланманың гомуми эшчәнлеген һәм ышанычлылыгын арттыра. Пластинаның өслеге микро һәм нано масштаблы җайланмалар ясауның катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен төгәл ялтыратылган, минималь кимчелекләр белән ультра шомалыкка ирешә.

Бу материал структурасы SiC җайланмаларының электр характеристикаларын яхшыртып кына калмый, ә җылылык белән идарә итүне һәм механик тотрыклылыкны да сизелерлек яхшырта. Нәтиҗәдә, SiCOI пластиналары көч электроникасында, радиоешлык (RF) компонентларында, микроэлектромеханик системалар (MEMS) сенсорларында һәм югары температуралы электроникада киң кулланыла. Гомумән алганда, SiCOI пластиналары кремний карбидының гаҗәеп физик үзлекләрен изолятор катламының электр изоляциясе өстенлекләре белән берләштерә, югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмаларның киләсе буыны өчен идеаль нигез булып тора.

SiCOI пластинасын куллану

Көч электроникасы җайланмалары

Югары вольтлы һәм югары куәтле ачкычлар, MOSFETлар һәм диодлар

SiC'ның киң зонасыннан, югары ватылу көчәнешеннән һәм термик тотрыклылыктан файда күрегез

Энергияне үзгәртү системаларында энергия югалтуларын киметү һәм нәтиҗәлелекне арттыру

Радиоешлык (RF) компонентлары

Югары ешлыклы транзисторлар һәм көчәйткечләр

Изоляция катламы аркасында түбән паразит сыйдырышлык радиоешлык эшчәнлеген яхшырта

5G элемтә һәм радар системалары өчен яраклы

Микроэлектромеханик системалар (MEMS)

Катлаулы мохиттә эшләүче сенсорлар һәм актуаторлар

Механик ныклык һәм химик инерция җайланманың гомерен озайта

Басым датчикларын, акселерометрларны һәм гироскопларны үз эченә ала

Югары температуралы электроника

Автомобиль, аэрокосмик һәм сәнәгать кушымталары өчен электроника

Кремний җимерелгән югары температураларда ышанычлы эшләгез

Фотоник җайланмалар

Изолятор субстратларында оптоэлектрон компонентлар белән интеграцияләү

Чиптагы фотониканы яхшыртылган җылылык белән идарә итү мөмкинлеген бирә

SiCOI пластинасы буенча сораулар һәм җаваплар

С:SiCOI пластинасы нәрсә ул

A：SiCOI пластинасы - изолятордагы кремний карбиды пластинасы дигәнне аңлата. Бу ярымүткәргеч субстрат төре, анда кремний карбидының (SiC) юка катламы изоляция катламына, гадәттә кремний диоксидына (SiO₂) яки кайвакыт сапфирга тоташтырылган. Бу структура концепциясе буенча танылган кремний изолятордагы (SOI) пластиналарына охшаш, ләкин кремний урынына SiC куллана.