HPSI SiCOI ваферы 4 6инч Гидрофолик бәйләнеш

Кыска тасвирлау:

Hгары чисталык ярым изоляцион (HPSI) 4H-SiCOI ваферлары алдынгы бәйләү һәм нечкә технологияләр ярдәмендә эшләнгән. Ваферлар 4H HPSI кремний карбид субстратларын җылылык оксиды катламнарына ике төп ысул белән бәйләп ясалганнар: гидрофилик (туры) бәйләү һәм өслекне активлаштыру. Соңгысы бәйләнеш сыйфатын яхшырту һәм күбекләрне киметү өчен, аеруча оптик кушымталар өчен яраклы арада үзгәртелгән катлам (аморф кремний, алюминий оксиды яки титан оксиды кебек) кертә. Кремний карбид катламының калынлыгын контрольдә тоту, ион имплантациясенә нигезләнгән SmartCut яки тарту һәм CMP полировкалау процесслары ярдәмендә ирешелә. SmartCut югары төгәллек калынлыгы бердәмлеген тәкъдим итә (50nm - 900nm ± 20nm бердәмлеге белән), ләкин оптик җайланманың эшенә тәэсир итеп, ион имплантациясе аркасында аз кристалл зыян китерергә мөмкин. Тегермән һәм CMP полировкасы материаль зыяннан сакланалар һәм калынрак фильмнар (350nm - 500µm) һәм квант яки PIC кушымталары өчен өстенрәк, калынлыгы бертөрле булса да (± 100nm). Стандарт 6 дюймлы ваферларда 1µm ± 0.1µm SiC катламы бар, 675µm Si субстратлары өстендә 3µm SiO2 катламында, өслекнең тигезлеге (Rq <0.2nm). Бу HPSI SiCOI ваферлары MEMS, PIC, квант һәм оптик җайланма җитештерүне тәэмин итә, искиткеч материал сыйфаты һәм процесс сыгылмасы.

Безгә электрон почта җибәрегез

Featuresзенчәлекләр

SiCOI Wafer (Кремний Карбид-на-изолятор) Сыйфатларга күзәтү

SiCOI ваферлары - яңа буын ярымүткәргеч субстрат, Кремний Карбидын (SiC) изоляцион катлам белән берләштерә, еш SiO₂ яки сапфир, электр электроникасы, RF һәм фотоникада эшне яхшырту өчен. Түбәндә төп бүлекләргә бүленгән аларның характеристикалары турында тулы күзәтү бар:

Милек	Тасвирлау
Материаль композиция	Кремний Карбид (SiC) катламы изоляцион субстратка бәйләнгән (гадәттә SiO₂ яки сапфир)
Бәллүр структурасы	Гадәттә 4C яки 6H SiC политиплары, югары кристалл сыйфаты һәм бердәмлеге белән билгеле
Электр үзенчәлекләре	Electricгары ватылу электр кыры (~ 3 MV / см), киң тасма (4H-SiC өчен 26 3,26 eV), түбән агып торган ток
Rылылык үткәрүчәнлеге	Highгары җылылык үткәрүчәнлеге (~ 300 Вт / м · К), җылылыкның эффектив таралу мөмкинлеген бирә
Диэлектрик катлам	Изоляция катламы (SiO₂ яки сапфир) электр изоляциясен тәэмин итә һәм паразитик сыйдырышлыкны киметә
Механик үзлекләр	Hardгары катылык (Mo 9 Мох масштабы), искиткеч механик көч, җылылык тотрыклылыгы
Faceир өсте	Гадәттә түбән җитешсезлек тыгызлыгы белән ультра-шома, җайланма ясау өчен яраклы
Кушымталар	Электроника, MEMS җайланмалары, RF җайланмалары, югары температура һәм көчәнешкә чыдамлык таләп итүче сенсорлар

SiCOI ваферлары (Кремний Карбид-на-изолятор) алдынгы ярымүткәргеч субстрат структурасын күрсәтәләр, изоляцион катламга бәйләнгән кремний карбидының (SiC) югары сыйфатлы нечкә катламыннан, гадәттә кремний диоксиды (SiO₂) яки сапфир. Кремний карбид - киң көчәнешле ярымүткәргеч, югары көчәнешкә һәм күтәрелгән температурага каршы тора белү белән танылган, искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге һәм өстен механик каты булуы, аны югары көчле, югары ешлыклы һәм югары температуралы электрон кушымталар өчен идеаль итә.

SiCOI ваферларында изоляцион катлам эффектив электр изоляциясен тәэмин итә, паразитик сыйдырышлыкны һәм җайланмалар арасындагы агып торган агымнарны сизелерлек киметә, шуның белән җайланманың гомуми эшләвен һәм ышанычлылыгын арттыра. Минималь җитешсезлекләр белән ультра-яссылыкка ирешү өчен, вафер өслеге төгәл итеп бизәлгән, микро һәм нано масштаблы җайланма җитештерүнең катгый таләпләрен канәгатьләндерә.

Бу материаль структура SiC җайланмаларының электр характеристикаларын яхшыртып кына калмый, җылылык белән идарә итү һәм механик тотрыклылыкны да көчәйтә. Нәтиҗәдә, SiCOI ваферлары электроника, радио ешлыгы (RF) компонентларында, микроэлектромеханик системаларда (MEMS) сенсорларда һәм югары температуралы электроникада киң кулланыла. Гомумән алганда, SiCOI вафиннары кремний карбидның физик үзенчәлекләрен изолятор катламының электр изоляциясе өстенлекләре белән берләштерә, киләсе буын югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмалар өчен идеаль нигез бирә.

SiCOI вафер кушымтасы

Электроника җайланмалары

Volгары көчәнешле һәм югары көчле ачкычлар, MOSFETлар, диодлар

SiC-ның киң полосасыннан, югары көчәнеш көчәнешеннән һәм җылылык тотрыклылыгыннан файда

Энергия югалтуларын киметү һәм энергияне әйләндерү системаларында эффективлыкны яхшырту

Радио ешлыгы (RF) компонентлары

Highгары ешлыктагы транзисторлар һәм көчәйткечләр

Изоляция катламы аркасында аз паразитик сыйдырышлык RF эшчәнлеген көчәйтә

5G элемтә һәм радар системалары өчен яраклы

Микроэлектромеханик системалар (MEMS)

Каты шартларда эшләүче сенсорлар һәм актуаторлар

Механик ныклык һәм химик инерция җайланманың гомер озынлыгын озайта

Басым сенсорларын, акселерометрларны, гироскопларны үз эченә ала

Temгары температуралы электроника

Автомобиль, аэрокосмик һәм сәнәгать кушымталары өчен электроника

Кремний эшләмәгән югары температурада ышанычлы эшләгез

Фотоник җайланмалар

Изолятор субстратларында оптоэлектрон компонентлар белән интеграция

Яхшыртылган җылылык белән идарә итү белән чиптагы фотониканы эшли

SiCOI вафины Сораулары

Q ：SiCOI ваферы нәрсә ул

A ：SiCOI вафины Кремний Карбид-на-изолятор ваферы. Бу ярымүткәргеч субстратның бер төре, анда нечкә кремний карбид (SiC) изоляцион катламга бәйләнгән, гадәттә кремний диоксиды (SiO₂) яки кайвакыт сапфир. Бу структура концепциядә танылган Кремний-на-изолятор (SOI) ваферларына охшаган, ләкин кремний урынына SiC куллана.