12 дюймлы сапфир вафлисы C-Plane SSP/DSP
җентекле схема
Сапфир белән таныштыру
Сапфир пластинасы - югары сафлыклы синтетик алюминий оксидыннан (Al₂O₃) ясалган монокристалл субстрат материалы. Зур сапфир кристаллары Киропулос (KY) яки җылылык алмашу ысулы (HEM) кебек алдынгы ысуллар белән үстерелә, аннары кисү, юнәлешләү, тарту һәм төгәл ялтырату аша эшкәртелә. Гаҗәеп физик, оптик һәм химик үзлекләре аркасында, сапфир пластинасы ярымүткәргечләр, оптоэлектроника һәм югары сыйфатлы кулланучы электроникасы өлкәләрендә алыштыргысыз роль уйный.
Сапфир синтезының төп ысуллары
| Метод | Принцип | Өстенлекләр | Төп кушымталар |
|---|---|---|---|
| Верней методы(Ялкынлы кушылу) | Югары сафлыклы Al₂O₃ порошогы оксиводород ялкында эретелә, тамчылар орлык өстендә катлам-катлам катылана. | Түбән бәя, югары нәтиҗәлелек, чагыштырмача гади процесс | Асылташ сыйфатлы сапфирлар, иртә оптик материаллар |
| Чохральский методы (CZ) | Al₂O₃ тигельдә эретелә, һәм кристалл үсү өчен орлык кристалы әкрен генә өскә тартыла. | Яхшы бөтенлеккә ия булган чагыштырмача зур кристаллар җитештерә | Лазер кристаллары, оптик тәрәзәләр |
| Киропулос методы (KY) | Контрольдә тотыла торган әкрен суыту кристаллның тигель эчендә әкренләп үсүенә мөмкинлек бирә | Зур күләмле, түбән стресслы кристаллар (уннарча килограмм яки аннан да күбрәк) үстерә ала | LED субстратлары, смартфон экраннары, оптик компонентлар |
| HEM ысулы(Җылылык алмашу) | Суыту тигель өслегеннән башлана, кристаллар орлыктан аска үсә | Бер үк сыйфатлы бик зур кристаллар (йөзләгән килограммга кадәр) җитештерә | Зур оптик тәрәзәләр, аэрокосмик, хәрби оптика |
Кристалл юнәлеше
| Ориентация / Яссылык | Миллер индексы | Характеристика | Төп кушымталар |
|---|---|---|---|
| C-япшагы | (0001) | с күчәренә перпендикуляр, поляр өслек, атомнар тигез урнашкан | LED, лазер диодлары, GaN эпитаксиаль субстратлары (иң киң кулланыла) |
| А-очыш | (11-20) | c күчәренә параллель, поляр булмаган өслек, поляризация эффектларыннан кача | Поляр булмаган GaN эпитаксисы, оптоэлектрон җайланмалар |
| М-ясанә | (10-10) | c күчәренә параллель, поляр булмаган, югары симметрияле | Югары нәтиҗәле GaN эпитаксисы, оптоэлектрон җайланмалар |
| R-ясаулы | (1-102) | c күчәренә авыш, оптик үзлекләре бик яхшы | Оптик тәрәзәләр, инфракызыл детекторлар, лазер компонентлары |
Сапфир вафлисы спецификациясе (үзгәртеп була торган)
| Әйбер | 1 дюймлы C-формасындагы яссылык (0001) 430 мкм сапфир пластиналары | |
| Кристалл материаллар | 99,999%, югары сафлыклы, монокристалл Al2O3 | |
| Дәрәҗә | Prime, Epi-Ready | |
| Өслек юнәлеше | C-япшаклык (0001) | |
| C-яссылыгының M күчәренә таба почмагы 0,2 +/- 0,1° | ||
| Диаметр | 25,4 мм +/- 0,1 мм | |
| Калынлыгы | 430 мкм +/- 25 мкм | |
| Бер яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (SSP) | Арткы өслек | Вак җир, Ra = 0,8 мкм - 1,2 мкм |
| Ике яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (DSP) | Арткы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| TTV | < 5 мкм | |
| БӘЙ | < 5 мкм | |
| ВАРАФ | < 5 мкм | |
| Чистарту / Төргәкләү | 100 нче класслы чиста бүлмәләрне чистарту һәм вакуум төргәкләү, | |
| Бер кассета төргәгендә яки бер кисәкле төргәктә 25 данә. | ||
| Әйбер | 2 дюймлы C-формасындагы (0001) 430 мкм сапфир пластиналары | |
| Кристалл материаллар | 99,999%, югары сафлыклы, монокристалл Al2O3 | |
| Дәрәҗә | Prime, Epi-Ready | |
| Өслек юнәлеше | C-япшаклык (0001) | |
| C-яссылыгының M күчәренә таба почмагы 0,2 +/- 0,1° | ||
| Диаметр | 50,8 мм +/- 0,1 мм | |
| Калынлыгы | 430 мкм +/- 25 мкм | |
| Төп яссылык ориентациясе | А-ясалмалыгы (11-20) +/- 0.2° | |
| Башлангыч яссы озынлык | 16,0 мм +/- 1,0 мм | |
| Бер яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (SSP) | Арткы өслек | Вак җир, Ra = 0,8 мкм - 1,2 мкм |
| Ике яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (DSP) | Арткы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| TTV | < 10 мкм | |
| БӘЙ | < 10 мкм | |
| ВАРАФ | < 10 мкм | |
| Чистарту / Төргәкләү | 100 нче класслы чиста бүлмәләрне чистарту һәм вакуум төргәкләү, | |
| Бер кассета төргәгендә яки бер кисәкле төргәктә 25 данә. | ||
| Әйбер | 3 дюймлы C-формасындагы (0001) 500 мкм сапфир пластиналары | |
| Кристалл материаллар | 99,999%, югары сафлыклы, монокристалл Al2O3 | |
| Дәрәҗә | Prime, Epi-Ready | |
| Өслек юнәлеше | C-япшаклык (0001) | |
| C-яссылыгының M күчәренә таба почмагы 0,2 +/- 0,1° | ||
| Диаметр | 76,2 мм +/- 0,1 мм | |
| Калынлыгы | 500 мкм +/- 25 мкм | |
| Төп яссылык ориентациясе | А-ясалмалыгы (11-20) +/- 0.2° | |
| Башлангыч яссы озынлык | 22.0 мм +/- 1.0 мм | |
| Бер яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (SSP) | Арткы өслек | Вак җир, Ra = 0,8 мкм - 1,2 мкм |
| Ике яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (DSP) | Арткы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| TTV | < 15 мкм | |
| БӘЙ | < 15 мкм | |
| ВАРАФ | < 15 мкм | |
| Чистарту / Төргәкләү | 100 нче класслы чиста бүлмәләрне чистарту һәм вакуум төргәкләү, | |
| Бер кассета төргәгендә яки бер кисәкле төргәктә 25 данә. | ||
| Әйбер | 4 дюймлы C-формасындагы (0001) 650 мкм сапфир пластиналары | |
| Кристалл материаллар | 99,999%, югары сафлыклы, монокристалл Al2O3 | |
| Дәрәҗә | Prime, Epi-Ready | |
| Өслек юнәлеше | C-япшаклык (0001) | |
| C-яссылыгының M күчәренә таба почмагы 0,2 +/- 0,1° | ||
| Диаметр | 100.0 мм +/- 0.1 мм | |
| Калынлыгы | 650 мкм +/- 25 мкм | |
| Төп яссылык ориентациясе | А-ясалмалыгы (11-20) +/- 0.2° | |
| Башлангыч яссы озынлык | 30,0 мм +/- 1,0 мм | |
| Бер яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (SSP) | Арткы өслек | Вак җир, Ra = 0,8 мкм - 1,2 мкм |
| Ике яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (DSP) | Арткы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| TTV | < 20 мкм | |
| БӘЙ | < 20 мкм | |
| ВАРАФ | < 20 мкм | |
| Чистарту / Төргәкләү | 100 нче класслы чиста бүлмәләрне чистарту һәм вакуум төргәкләү, | |
| Бер кассета төргәгендә яки бер кисәкле төргәктә 25 данә. | ||
| Әйбер | 6 дюймлы C-формасындагы (0001) 1300 мкм сапфир пластиналары | |
| Кристалл материаллар | 99,999%, югары сафлыклы, монокристалл Al2O3 | |
| Дәрәҗә | Prime, Epi-Ready | |
| Өслек юнәлеше | C-япшаклык (0001) | |
| C-яссылыгының M күчәренә таба почмагы 0,2 +/- 0,1° | ||
| Диаметр | 150.0 мм +/- 0.2 мм | |
| Калынлыгы | 1300 мкм +/- 25 мкм | |
| Төп яссылык ориентациясе | А-ясалмалыгы (11-20) +/- 0.2° | |
| Башлангыч яссы озынлык | 47,0 мм +/- 1,0 мм | |
| Бер яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (SSP) | Арткы өслек | Вак җир, Ra = 0,8 мкм - 1,2 мкм |
| Ике яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (DSP) | Арткы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| TTV | < 25 мкм | |
| БӘЙ | < 25 мкм | |
| ВАРАФ | < 25 мкм | |
| Чистарту / Төргәкләү | 100 нче класслы чиста бүлмәләрне чистарту һәм вакуум төргәкләү, | |
| Бер кассета төргәгендә яки бер кисәкле төргәктә 25 данә. | ||
| Әйбер | 8 дюймлы C-формасындагы (0001) 1300 мкм сапфир пластиналары | |
| Кристалл материаллар | 99,999%, югары сафлыклы, монокристалл Al2O3 | |
| Дәрәҗә | Prime, Epi-Ready | |
| Өслек юнәлеше | C-япшаклык (0001) | |
| C-яссылыгының M күчәренә таба почмагы 0,2 +/- 0,1° | ||
| Диаметр | 200,0 мм +/- 0,2 мм | |
| Калынлыгы | 1300 мкм +/- 25 мкм | |
| Бер яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (SSP) | Арткы өслек | Вак җир, Ra = 0,8 мкм - 1,2 мкм |
| Ике яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (DSP) | Арткы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| TTV | < 30 мкм | |
| БӘЙ | < 30 мкм | |
| ВАРАФ | < 30 мкм | |
| Чистарту / Төргәкләү | 100 нче класслы чиста бүлмәләрне чистарту һәм вакуум төргәкләү, | |
| Бер кисәкле төргәк. | ||
| Әйбер | 12 дюймлы C-формасындагы (0001) 1300 мкм сапфир пластиналары | |
| Кристалл материаллар | 99,999%, югары сафлыклы, монокристалл Al2O3 | |
| Дәрәҗә | Prime, Epi-Ready | |
| Өслек юнәлеше | C-япшаклык (0001) | |
| C-яссылыгының M күчәренә таба почмагы 0,2 +/- 0,1° | ||
| Диаметр | 300,0 мм +/- 0,2 мм | |
| Калынлыгы | 3000 мкм +/- 25 мкм | |
| Бер яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (SSP) | Арткы өслек | Вак җир, Ra = 0,8 мкм - 1,2 мкм |
| Ике яклы ялтыратылган | Алгы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| (DSP) | Арткы өслек | Эпи-полишланган, Ra < 0,2 нм (AFM буенча) |
| TTV | < 30 мкм | |
| БӘЙ | < 30 мкм | |
| ВАРАФ | < 30 мкм | |
Сапфир пластинасын җитештерү процессы
-
Кристалл үсеше
-
Махсус кристалл үстерү мичләрендә Киропулос (KY) ысулын кулланып, сапфир бульоннарын (100–400 кг) үстерегез.
-
-
Койма бораулау һәм формалаштыру
-
Боулны 2–6 дюйм диаметрлы һәм 50–200 мм озынлыктагы цилиндрик коелмалар ясау өчен бораулау көпшәсе кулланыгыз.
-
-
Беренче җылыту
-
Эчке киеренкелекне бетерү өчен, коелмаларның кимчелекләрен тикшерегез һәм беренче югары температурада җылытуны башкарыгыз.
-
-
Кристалл юнәлеше
-
Ориентация кораллары ярдәмендә сапфир коелмасының төгәл юнәлешен (мәсәлән, С-яссылыгы, А-яссылыгы, R-яссылыгы) билгеләгез.
-
-
Күп чыбыклы пычкы белән кисү
-
Күп чыбыклы кисү җиһазлары ярдәмендә, кирәкле калынлыкка карап, коелманы нечкә пластиналарга кисегез.
-
-
Башлангыч тикшерү һәм икенче тапкыр җылыту
-
Киселгән пластиналарны тикшерегез (калынлыгын, тигезлеген, өслек кимчелекләрен).
-
Кристалл сыйфатын тагын да яхшырту өчен, кирәк булса, тагын бер тапкыр җылытыгыз.
-
-
Фазаларны чистарту, шлифовкалау һәм CMP белән полировкалау
-
Көзге кебек өслекләр алу өчен махсус җиһазлар ярдәмендә фаскаларны чистарту, өслекләрне шомарту һәм химик-механик полировкалау (CMP) башкарыгыз.
-
-
Чистарту
-
Вафлиларны чиста бүлмә мохитендә ультрачиста су һәм химик матдәләр кулланып яхшылап чистартыгыз, кисәкчәләрне һәм пычраткыч матдәләрне бетерегез.
-
-
Оптик һәм физик тикшерү
-
Оптик мәгълүматларны теркәү һәм үткәрүчәнлекне ачыклау.
-
Пластинаның гомуми калынлыгы үзгәрүе, җәя, борылыш, юнәлеш төгәллеге һәм өслекнең тигезсезлеге кебек параметрларны үлчәгез.
-
-
Каплау (ихтыярый)
-
Клиент таләпләренә туры китереп, каплауларны (мәсәлән, AR каплаулары, саклагыч катламнар) кулланыгыз.
-
Соңгы тикшерү һәм төргәкләү
-
Чиста бүлмәдә 100% сыйфат тикшерүен үткәрегез.
-
Вафлиларны кассета тартмаларына 100 класслы чиста шартларда тутырыгыз һәм җибәрү алдыннан аларны вакуум белән ябыштырыгыз.
Сапфир пластиналарының кулланылышы
Гаҗәеп катылыгы, оптик үткәрүчәнлеге, җылылык сыйфаты һәм электр изоляциясе белән сапфир пластиналары төрле тармакларда киң кулланыла. Аларның кулланылышы традицион LED һәм оптоэлектроника тармакларын гына түгел, ә ярымүткәргечләр, кулланучы электроникасы, алдынгы аэрокосмик һәм оборона өлкәләрендә дә киңәя.
1. Ярымүткәргечләр һәм оптоэлектроника
LED субстратлары
Сапфир пластиналары галлий нитриды (GaN) эпитаксиаль үсеше өчен төп субстрат булып тора, алар зәңгәр светодиодларда, ак светодиодларда һәм Mini/Micro светодиод технологияләрендә киң кулланыла.
Лазер диодлары (LD)
GaN нигезендәге лазер диодлары өчен субстрат буларак, сапфир пластиналары югары куәтле, озак гомерле лазер җайланмалары эшләүне хуплый.
Фотодетекторлар
Ультрафиолет һәм инфракызыл фотодетекторларда сапфир пластиналары еш кына үтә күренмәле тәрәзәләр һәм изоляцияләүче субстратлар буларак кулланыла.
2. Ярымүткәргеч җайланмалар
RFIC (Радиоешлык интеграль схемалары)
Бик яхшы электр изоляциясе аркасында, сапфир пластиналары югары ешлыклы һәм югары куәтле микродулкынлы җайланмалар өчен идеаль субстрат булып тора.
Сапфирдагы кремний (SoS) технологиясе
SoS технологиясен куллану ярдәмендә паразит сыйдырышлыкны шактый киметергә мөмкин, бу схема эшчәнлеген яхшырта. Бу радиоешлык элемтәсендә һәм аэрокосмик электроникада киң кулланыла.
3. Оптик кушымталар
Инфракызыл оптик тәрәзәләр
200 нм–5000 нм дулкын озынлыгы диапазонында югары үткәрүчәнлек белән, сапфир инфракызыл детекторларда һәм инфракызыл юнәлеш бирү системаларында киң кулланыла.
Югары куәтле лазер тәрәзәләре
Сапфирның катылыгы һәм җылылыкка чыдамлыгы аны югары куәтле лазер системаларында саклагыч тәрәзәләр һәм линзалар өчен бик яхшы материал итә.
4. Кулланучылар электроникасы
Камера линзасы капкачлары
Сапфирның югары катылыгы смартфон һәм камера линзаларының тырналуга чыдамлыгын тәэмин итә.
Бармак эзе сенсорлары
Сапфир пластиналары бармак эзләрен тануда төгәллекне һәм ышанычлылыкны арттыра торган нык, үтә күренмәле тышлыклар булып хезмәт итә ала.
Акыллы сәгатьләр һәм премиум дисплейлар
Сапфир экраннары тырналуга чыдамлыкны югары оптик ачыклык белән берләштерә, бу аларны югары сыйфатлы электрон продуктларда популяр итә.
5. Аэрокосмик һәм оборона
Ракета инфракызыл гөмбәзләре
Сапфир тәрәзәләр югары температура һәм югары тизлек шартларында үтә күренмәле һәм тотрыклы булып кала.
Аэрокосмик оптик системалар
Алар югары ныклыктагы оптик тәрәзәләрдә һәм экстремаль мохит өчен эшләнгән күзәтү җиһазларында кулланыла.
Башка киң таралган сапфир продуктлары
Оптик продуктлар
-
Сапфир оптик тәрәзәләр
-
Лазерларда, спектрометрларда, инфракызыл сурәтләү системаларында һәм сенсор тәрәзәләрендә кулланыла.
-
Трансмиссия диапазоны:УВ 150 нм - уртача инфракызыл нурланыш 5,5 мкм.
-
-
Сапфир линзалары
-
Югары куәтле лазер системаларында һәм аэрокосмик оптикада кулланыла.
-
Кабарык, батынкы яки цилиндрик линзалар рәвешендә җитештерелергә мөмкин.
-
-
Сапфир призмалары
-
Оптик үлчәү коралларында һәм төгәл сурәтләү системаларында кулланыла.
-
Продукцияне төргәкләү
XINKEHUI турында
Шанхай Синкехуэй Яңа Материал Ко., Лтд. шуларның берсеКытайдагы иң зур оптик һәм ярымүткәргечләр тәэмин итүчесе, 2002 елда нигезләнгән. XKH академик тикшеренүчеләргә пластиналар һәм башка ярымүткәргечләргә бәйле фәнни материаллар һәм хезмәтләр күрсәтү өчен эшләнгән. Ярымүткәргеч материаллар - безнең төп бизнесыбыз, безнең команда техник яктан нигезләнгән, XKH оешканнан бирле алдынгы электрон материалларны тикшерү һәм эшләү белән тирәнтен шөгыльләнә, бигрәк тә төрле пластиналар/субстратлар өлкәсендә.
Партнерлар
Шәхси ярымүткәргеч материаллар технологиясе белән, Шанхай Чжимингсин дөньяның иң яхшы компанияләренең һәм танылган академик учреждениеләренең ышанычлы партнерына әйләнде. Инновацияләрдә һәм югары сыйфатта нык торуы белән Чжимингсин Schott Glass, Corning һәм Seoul Semiconductor кебек тармак лидерлары белән тирән хезмәттәшлек мөнәсәбәтләре урнаштырды. Бу хезмәттәшлек безнең продуктларның техник дәрәҗәсен яхшыртып кына калмады, ә шулай ук электр электроникасы, оптоэлектрон җайланмалар һәм ярымүткәргеч җайланмалар өлкәләрендә технологик үсешкә дә ярдәм итте.
Танылган компанияләр белән хезмәттәшлектән тыш, Zhimingxin шулай ук Гарвард университеты, Лондон Университет Колледжы (UCL) һәм Хьюстон Университеты кебек дөньяның иң яхшы университетлары белән озак вакытлы тикшеренү хезмәттәшлеге мөнәсәбәтләрен урнаштырды. Бу хезмәттәшлек аша Zhimingxin академик өлкәләрдә фәнни тикшеренү проектларына техник ярдәм күрсәтү белән генә чикләнми, ә яңа материаллар һәм технологик инновацияләр эшләүдә дә катнаша, безнең һәрвакыт ярымүткәргечләр сәнәгатендә алгы сафта булуыбызны тәэмин итә.
Бу дөньякүләм танылган компанияләр һәм академик учреждениеләр белән тыгыз хезмәттәшлек аша, Шанхай Чжимиңсинь технологик инновацияләрне һәм үсешне алга этәрүен дәвам итә, дөнья базарының үсә барган ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен дөнья дәрәҗәсендәге продуктлар һәм чишелешләр тәкъдим итә.




