Индий антимониды (InSb) пластиналары N типтагы P типтагы Epi әзер легирланмаган Te легирланган яки Ge легирланган 2 дюйм 3 дюйм 4 дюйм калынлыктагы Индий антимониды (InSb) пластиналары

Кыскача тасвирлама:

Индий антимониды (InSb) пластиналары югары җитештерүчән электрон һәм оптоэлектроника кушымталарында төп компонент булып тора. Бу пластиналар төрле төрләрдә, шул исәптән N-типта, P-типта һәм легирланмаганда бар, һәм теллур (Te) яки германий (Ge) кебек элементлар белән легирланырга мөмкин. InSb пластиналары электроннарның бик яхшы хәрәкәтчәнлеге һәм тар зона аралыгы аркасында инфракызыл детекторларда, югары тизлекле транзисторларда, квант коесы җайланмаларында һәм башка махсуслаштырылган кушымталарда киң кулланыла. Пластиналар төрле диаметрларда, мәсәлән, 2 дюймлы, 3 дюймлы һәм 4 дюймлы, төгәл калынлык контроле һәм югары сыйфатлы ялтыратылган/югарылатылган өслекләр белән тәкъдим ителә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Допинг вариантлары:
1. Лепсокартонсыз:Бу пластиналар бернинди допинг матдәләреннән азат, шуңа күрә алар эпитаксиаль үсеш кебек махсус кулланылышлар өчен идеаль.
2.Te белән легирланган (N-төре):Теллур (Те) легирлавы гадәттә N-типтагы пластиналар ясау өчен кулланыла, алар инфракызыл детекторлар һәм югары тизлекле электроника кебек кушымталар өчен идеаль.
3.Ge белән легирланган (P-тип):Германий (Ge) легирлавы алдынгы ярымүткәргеч кушымталары өчен югары тишекле хәрәкәтчәнлек тәкъдим итүче P-типтагы пластиналар ясау өчен кулланыла.

Зурлык вариантлары:
1. 2 дюймлы, 3 дюймлы һәм 4 дюймлы диаметрларда бар. Бу пластиналар төрле технологик ихтыяҗларны канәгатьләндерә, тикшеренүләр һәм эшләнмәләрдән алып зур күләмле җитештерүгә кадәр.
2. Диаметрларның төгәл чыдый алулары партияләр буенча тотрыклылыкны тәэмин итә, диаметрлары 50,8 ± 0,3 мм (2 дюймлы пластиналар өчен) һәм 76,2 ± 0,3 мм (3 дюймлы пластиналар өчен).

Калынлыкны контрольдә тоту:
1. Төрле кушымталарда оптималь эшләү өчен пластиналар 500±5μm калынлыкта тәкъдим ителә.
2. Югары бердәмлекне һәм сыйфатны тәэмин итү өчен TTV (тулы калынлык үзгәрүе), BOW һәм Warp кебек өстәмә үлчәмнәр җентекләп контрольдә тотыла.

Өслек сыйфаты:
1. Пластиналар оптик һәм электр күрсәткечләрен яхшырту өчен ялтыратылган/чишенгән өслек белән килә.
2. Бу өслекләр эпитаксиаль үсеш өчен идеаль, югары җитештерүчән җайланмаларда алга таба эшкәртү өчен шома нигез тәкъдим итә.

Epi-Ready:
1. InSb пластиналары эпитаксиаль катламнар үстерергә кирәк булган ярымүткәргечләр җитештерүдә куллану өчен идеаль, ягъни алар эпитаксиаль катламнарны пластина өстендә үстерергә кирәк.

Кушымталар

1. Инфракызыл детекторлар:InSb пластиналары гадәттә инфракызыл (ИК) детекторлауда, бигрәк тә урта дулкын озынлыгындагы инфракызыл (MWIR) диапазонында кулланыла. Бу пластиналар төнге күрү, җылылык сурәтләү һәм инфракызыл спектроскопия кушымталары өчен бик мөһим.

2. Югары тизлекле электроника:Электроннарның югары мобильлеге аркасында, InSb пластиналары югары ешлыклы транзисторлар, квант коесы җайланмалары һәм югары электрон мобильлеге транзисторлары (HEMT) кебек югары тизлекле электрон җайланмаларда кулланыла.

3. Квант коесы җайланмалары:Тар зона арасы һәм электроннарның бик яхшы хәрәкәтчәнлеге InSb пластиналарын квант коесы җайланмаларында куллану өчен яраклы итә. Бу җайланмалар лазерларда, детекторларда һәм башка оптоэлектрон системаларда төп компонентлар булып тора.

4. Спинтроник җайланмалар:InSb шулай ук спинтроник кушымталарда да өйрәнелә, анда электрон спин мәгълүмат эшкәртү өчен кулланыла. Материалның түбән спин-орбит тоташуы аны бу югары җитештерүчәнлекле җайланмалар өчен идеаль итә.

5. Терагерц (ТГц) нурланышының кулланылышы:InSb нигезендәге җайланмалар THz нурланыш кушымталарында, шул исәптән фәнни тикшеренүләрдә, сурәтләүдә һәм материал характеристикасында кулланыла. Алар THz спектроскопиясе һәм THz сурәтләү системалары кебек алдынгы технологияләрне кулланырга мөмкинлек бирә.

6. Термоэлектрик җайланмалар:InSb-ның уникаль үзлекләре аны термоэлектрик кушымталар өчен җәлеп итүчән материал итә, анда ул җылылыкны электр энергиясенә нәтиҗәле әйләндерү өчен кулланылырга мөмкин, бигрәк тә космик технологияләр яки экстремаль мохиттә энергия җитештерү кебек махсус кушымталарда.

Продукт параметрлары

Параметр	2 дюймлы	3 дюймлы	4 дюймлы
Диаметр	50.8±0.3 мм	76.2±0.3 мм	-
Калынлыгы	500±5μm	650±5μm	-
Өслек	Шыланган/Гешү белән бизәлгән	Шыланган/Гешү белән бизәлгән	Шыланган/Гешү белән бизәлгән
Допинг төре	Допировкаланмаган, Те-допингланган (N), Ге-допингланган (P)	Допировкаланмаган, Те-допингланган (N), Ге-допингланган (P)	Допировкаланмаган, Те-допингланган (N), Ге-допингланган (P)
Ориентация	(100)	(100)	(100)
Төргәк	Ялгыз	Ялгыз	Ялгыз
Epi-Ready	Әйе	Әйе	Әйе

Легирланган Te өчен электр параметрлары (N-тип):

Хәрәкәтчәнлек: 2000-5000 см²/V·с
Каршылык: (1-1000) Ω·см
EPD (кимчелек тыгызлыгы): ≤2000 кимчелек/см²

Ge белән легирланган (P-тип) өчен электр параметрлары:

Хәрәкәтчәнлек: 4000-8000 см²/V·с
Каршылык: (0.5-5) Ω·см
EPD (кимчелек тыгызлыгы): ≤2000 кимчелек/см²

Йомгак

Индий антимониды (InSb) пластиналары электроника, оптоэлектроника һәм инфракызыл технологияләр өлкәләрендә югары нәтиҗәле кушымталарның киң спектры өчен мөһим материал булып тора. Бик яхшы электрон хәрәкәтчәнлеге, түбән спин-орбит бәйләнеше һәм төрле легирлау вариантлары (Te - N-тип, Ge - P-тип) белән InSb пластиналары инфракызыл детекторлар, югары тизлекле транзисторлар, квант коесы җайланмалары һәм спинтроник җайланмалар кебек җайланмаларда куллану өчен идеаль.

Пластиналар төрле зурлыкларда (2 дюйм, 3 дюйм һәм 4 дюйм) бар, төгәл калынлык контроле һәм эпи-әзер өслекләр белән, бу аларның заманча ярымүткәргечләр җитештерүнең катгый таләпләренә туры килүен тәэмин итә. Бу пластиналар инфракызыл детекторлау, югары тизлекле электроника һәм THz нурланышы кебек өлкәләрдә куллану өчен бик яхшы, бу тикшеренүләрдә, сәнәгатьтә һәм оборонада алдынгы технологияләрне кулланырга мөмкинлек бирә.