Индиум Антимонид (InSb) ваферлары N тибындагы P тибындагы Epi әзер ачылмаган Te doped яки Ge doped 2inch 3inch 4inch калынлыктагы Индиум Антимонид (InSb) ваферлары
Featuresзенчәлекләр
Допинг вариантлары:
1.Унопед:Бу ваферлар теләсә нинди допинг агентларыннан азат, аларны эпитаксиаль үсеш кебек махсус кушымталар өчен идеаль итә.
2.Топед (N-Тип):Теллурий (Te) допингы гадәттә N тибындагы ваферлар ясау өчен кулланыла, алар инфракызыл детекторлар һәм югары тизлекле электроника кебек кушымталар өчен идеаль.
3.Допед (П-Тип):Германий (Ge) допингы P тибындагы ваферлар ясау өчен кулланыла, алдынгы ярымүткәргеч кушымталары өчен югары тишекле хәрәкәт тәкъдим итә.
Размер вариантлары:
1. 2 дюйм, 3 дюйм һәм 4 дюйм диаметрда бар. Бу вафиннар төрле технологик ихтыяҗларны канәгатьләндерә, тикшеренүләрдән, зур җитештерүгә кадәр.
2. Диаметрның төгәл толерантлыгы 50,8 ± 0,3 мм (2 дюймлы вафер өчен) һәм 76,2 ± 0,3 мм (3 дюймлы вафер өчен) партияләр буенча эзлеклелекне тәэмин итә.
Калынлык белән идарә итү:
1. Ваферлар төрле кушымталарда оптималь эш өчен 500 ± 5μм калынлыкта бар.
2.ТТВ (Гомуми калынлыкның үзгәрүе), BOW, Warp кебек өстәмә үлчәүләр югары бердәмлекне һәм сыйфатны тәэмин итү өчен җентекләп контрольдә тотыла.
Faceир өсте сыйфаты:
1. Ваферлар оптик һәм электр җитештерүчәнлеген яхшырту өчен чистартылган / чистартылган өслек белән килә.
2.Бу өслекләр эпитаксиаль үсеш өчен идеаль, югары җитештерүчән җайланмаларда алга таба эшкәртү өчен шома база тәкъдим итә.
Эпи әзер:
1. InSb ваферлары эпи-әзер, димәк, алар эпитаксиаль чүпләү процесслары өчен алдан эшкәртелгән. Бу аларны ярымүткәргеч җитештерүдә куллану өчен идеаль итә, анда эпитаксиаль катламнарны вафин өстендә үстерергә кирәк.
Кушымталар
1. Инфракызыл детекторлар:InSb ваферлары гадәттә инфракызыл (IR) ачыклауда кулланыла, аеруча урта дулкын озынлыгы инфракызыл (MWIR) диапазонында. Бу ваферлар төнге күренеш, җылылык күзаллау, инфракызыл спектроскопия кушымталары өчен бик кирәк.
2. Speгары тизлекле электроника:Электрон хәрәкәтчәнлеге югары булганга, InSb ваферлары югары тизлекле электрон җайланмаларда кулланыла, мәсәлән, югары ешлыклы транзисторлар, квант скважиналары, һәм югары электрон хәрәкәт транзисторлары (HEMT).
3.Квант кое җайланмалары:Тар тасма һәм искиткеч электрон хәрәкәт InSb ваферларын квант скважиналарында куллану өчен яраклы итә. Бу җайланмалар лазерларда, детекторларда һәм башка оптоэлектрон системаларда төп компонентлар.
4.Спинтрон җайланмалары:InSb шулай ук спинтроник кушымталарда өйрәнелә, анда мәгълүмат эшкәртү өчен электрон спин кулланыла. Материалның аз спин-орбита кушылуы бу югары җитештерүчән җайланмалар өчен идеаль итә.
5.Терахерц (THz) нурланыш кушымталары:InSb нигезендәге җайланмалар фәнни тикшеренүләр, сурәтләү һәм материаль характеристика кертеп, THz нурланыш кушымталарында кулланыла. Алар THz спектроскопиясе һәм THz сурәтләү системалары кебек алдынгы технологияләрне эшлиләр.
6.Термоэлектрик җайланмалар:InSb-ның уникаль үзенчәлекләре аны термоэлектрик кушымталар өчен җәлеп итә торган материал итә, монда ул җылылыкны эффектив рәвештә электр энергиясенә әверелдерү өчен кулланыла ала, аеруча космик технологияләр яки экстремаль шартларда электр энергиясе җитештерү кебек урыннарда.
Продукция параметрлары
| Параметр | 2 дюйм | 3 дюйм | 4 дюйм |
| Диаметр | 50,8 ± 0,3 мм | 76,2 ± 0,3 мм | - |
| Калынлык | 500 ± 5μм | 650 ± 5μм | - |
| Faceир өсте | Чистартылган | Чистартылган | Чистартылган |
| Допинг тибы | Эшсез, Te-doped (N), Ge-doped (P) | Эшсез, Te-doped (N), Ge-doped (P) | Эшсез, Te-doped (N), Ge-doped (P) |
| Ориентация | (100) | (100) | (100) |
| Пакет | Ялгыз | Ялгыз | Ялгыз |
| Эпи-әзер | Әйе | Әйе | Әйе |
Te Doped өчен электр параметрлары (N-Type):
- Хәрәкәт: 2000-5000 см² / В · с
- Каршылык: (1-1000) Ω · см
- EPD (тыгызлык тыгызлыгы): 0002000 җитешсезлекләр / см²
Ge Doped өчен электр параметрлары (P-Type):
- Хәрәкәт: 4000-8000 см² / В · с
- Каршылык: (0,5-5) Ω · см
- EPD (тыгызлык тыгызлыгы): 0002000 җитешсезлекләр / см²
Йомгаклау
Индиум Антимонид (InSb) ваферлары электроника, оптоэлектроника һәм инфракызыл технологияләр өлкәсендә югары җитештерүчән кушымталар өчен кирәкле материал. Аларның искиткеч электрон хәрәкәте, аз спин-орбита кушылуы, һәм төрле допинг вариантлары белән (Te for N-type, P for Type), InSb ваферлары инфракызыл детекторлар, югары тизлекле транзисторлар, квант скважиналары, спинтроник җайланмалар кебек җайланмаларда куллану өчен идеаль.
Ваферлар төрле зурлыкта (2 дюйм, 3 дюйм, һәм 4 дюйм) бар, төгәл калынлык белән идарә итү һәм эпи әзер өслекләр, алар хәзерге ярымүткәргеч эшкәртү таләпләренә туры килүен тәэмин итәләр. Бу ваферлар ИРны ачыклау, югары тизлекле электроника һәм THz нурлары кебек өлкәләрдә куллану өчен бик яхшы, тикшеренүләр, сәнәгать һәм оборона өлкәсендә алдынгы технологияләр булдыралар.
Диаграмма
