Инфра-кызыл детекторлар өчен InSb вафин 2инч 3инч ачылмаган Ntype P тибындагы ориентация 111 100
Featuresзенчәлекләр
Допинг вариантлары:
1.Унопед:Бу ваферлар теләсә нинди допинг агентларыннан азат һәм беренче чиратта эпитаксиаль үсеш кебек махсус кушымталар өчен кулланыла, монда вафер саф субстрат булып эшли.
2.N-Type (Te Doped):Теллурий (Te) допингы N тибындагы ваферлар ясау өчен кулланыла, югары электрон хәрәкәтчәнлек тәкъдим итә һәм аларны инфракызыл детекторлар, югары тизлекле электроника һәм эффектив электрон агым таләп иткән башка кушымталар өчен яраклы итә.
3.P-Type (Ge Doped):Германий (Ge) допингы P тибындагы ваферлар ясау өчен кулланыла, югары тишек хәрәкәтен тәэмин итә һәм инфракызыл сенсорлар һәм фотодетекторлар өчен искиткеч эш тәкъдим итә.
Размер вариантлары:
1. Вафиннар 2 дюйм һәм 3 дюйм диаметрда бар. Бу төрле ярымүткәргеч эшкәртү процесслары һәм җайланмалары белән туры килүне тәэмин итә.
2. 2 дюймлы ваферның диаметры 50,8 ± 0,3 мм, 3 дюймлы ваферның диаметры 76,2 ± 0,3 мм.
Ориентация:
1. Ваферлар 100 һәм 111 ориентацияләре белән бар. 100 ориентация югары тизлекле электроника һәм инфракызыл детекторлар өчен идеаль, ә 111 ориентациясе еш кына махсус электр яки оптик үзлекләр таләп иткән җайланмалар өчен кулланыла.
Faceир өсте сыйфаты:
1.Бу ваферлар яхшы оптик яки электр характеристикаларын таләп иткән кушымталарда оптималь эшләргә мөмкинлек биреп, яхшы сыйфат өчен чистартылган / чистартылган өслекләр белән киләләр.
2. surfaceир өстен әзерләү түбән җитешсезлек тыгызлыгын тәэмин итә, бу ваферларны инфракызыл ачыклау кушымталары өчен идеаль итә, эш эзлеклелеге критик.
Эпи әзер:
1.Бу ваферлар эпитаксиаль үсеш белән бәйле кушымталар өчен яраклы, монда өстәмә ярымүткәргеч яки оптоэлектрон җайланма ясау өчен өстәмә материал катламнары урнаштырылачак.
Кушымталар
1. Инфракызыл детекторлар:InSb ваферлары инфракызыл детекторлар ясауда киң кулланыла, аеруча урта дулкын озынлыгы инфракызыл (MWIR) диапазонында. Алар төн күрү системалары, җылылык күзаллау, хәрби кулланмалар өчен бик кирәк.
2. Инфракызыл сурәтләү системалары:InSb ваферларының югары сизгерлеге төрле тармакларда, шул исәптән куркынычсызлык, күзәтү, фәнни тикшеренүләрдә төгәл инфракызыл сурәтләү мөмкинлеген бирә.
3. Speгары тизлекле электроника:Electronгары электрон хәрәкәтчәнлеге аркасында, бу ваферлар югары тизлекле транзисторлар һәм оптоэлектрон җайланмалар кебек алдынгы электрон җайланмаларда кулланыла.
4.Квант кое җайланмалары:InSb ваферлары лазерларда, детекторларда һәм башка оптоэлектрон системаларда квант скважиналары өчен идеаль.
Продукция параметрлары
| Параметр | 2 дюйм | 3 дюйм |
| Диаметр | 50,8 ± 0,3 мм | 76,2 ± 0,3 мм |
| Калынлык | 500 ± 5μм | 650 ± 5μм |
| Faceир өсте | Чистартылган | Чистартылган |
| Допинг тибы | Эшсез, Te-doped (N), Ge-doped (P) | Эшсез, Te-doped (N), Ge-doped (P) |
| Ориентация | 100, 111 | 100, 111 |
| Пакет | Ялгыз | Ялгыз |
| Эпи-әзер | Әйе | Әйе |
Te Doped өчен электр параметрлары (N-Type):
- Хәрәкәт: 2000-5000 см² / В · с
- Каршылык: (1-1000) Ω · см
- EPD (тыгызлык тыгызлыгы): 0002000 җитешсезлекләр / см²
Ge Doped өчен электр параметрлары (P-Type):
- Хәрәкәт: 4000-8000 см² / В · с
- Каршылык: (0,5-5) Ω · см
EPD (тыгызлык тыгызлыгы): 0002000 җитешсезлекләр / см²
Сораулар (еш бирелә торган сораулар)
1 нче сорау: Инфракызыл ачыклау кушымталары өчен идеаль допинг төре нинди?
А1:Те-допед (N-тип)ваферлар, гадәттә, инфракызыл ачыклау кушымталары өчен идеаль сайлау, чөнки алар югары электрон хәрәкәтчәнлекне һәм урта дулкын озынлыгы инфракызыл (MWIR) детекторларында һәм сурәтләү системаларында искиткеч күрсәткеч тәкъдим итәләр.
2 нче сорау: Бу ваферларны югары тизлекле электрон кушымталар өчен куллана аламмы?
А2: Әйе, InSb вафиннары, аеруча булганнар беләнN тибындагы допингһәм100 юнәлеш, югары тизлекле электроника өчен транзисторлар, квант скважиналары, оптоэлектрон компонентлары кебек югары тизлекле электроника өчен бик яраклы.
3 нче сорау: InSb ваферлары өчен 100 һәм 111 юнәлешләр арасында нинди аермалар бар?
А3 :.100ориентация гадәттә югары тизлекле электрон эшне таләп итүче җайланмалар өчен кулланыла, шул ук вакытта111ориентация еш төрле электр яки оптик характеристика таләп иткән махсус кушымталар өчен кулланыла, шул исәптән кайбер оптоэлектрон җайланмалар һәм сенсорлар.
4-нче сорау: InSb ваферлары өчен Epi-Ready үзенчәлегенең мәгънәсе нинди?
А4 :.Эпи-әзерүзенчәлек - вафер эпитаксиаль чүпләү процесслары өчен алдан эшкәртелгән дигән сүз. Бу, өстәмә ярымүткәргеч яки оптоэлектрон җайланмалар җитештергәндә, вафин өстендә өстәмә катлам катламы үсүне таләп итүче кушымталар өчен бик мөһим.
5 нче сорау: Инфракызыл технология өлкәсендә InSb ваферларының типик кулланмалары нинди?
A5: InSb ваферлары беренче чиратта инфракызыл ачыклау, җылылык күзаллау, төн күрү системаларында һәм башка инфракызыл сизү технологияләрендә кулланыла. Аларның югары сизгерлеге һәм түбән тавышы аларны идеаль итәурта дулкын озынлыгы инфракызыл (MWIR)детекторлар.
6 нчы сорау: Вафин калынлыгы аның эшенә ничек тәэсир итә?
А6: Вафин калынлыгы аның механик тотрыклылыгында һәм электр характеристикасында мөһим роль уйный. Нечкә ваферлар еш кына сизгер кушымталарда кулланыла, анда материаль үзлекләргә төгәл контроль кирәк, калын ваферлар кайбер сәнәгать кушымталары өчен ныклыкны тәэмин итә.
7 нче сорау: Минем заявка өчен тиешле вафин күләмен ничек сайларга?
A7: Тиешле вафин зурлыгы конструкцияләнгән җайланмага яки системага бәйле. Кечкенә вафиннар (2 дюйм) еш тикшерү һәм кечерәк кушымталар өчен кулланыла, ә зуррак ваферлар (3 дюйм) гадәттә массакүләм җитештерү өчен һәм күбрәк материал таләп иткән зур җайланмалар өчен кулланыла.
Йомгаклау
InSb вафиннары2 дюймһәм3 дюймзурлыклары беләначылмаган, N тибы, һәмР тибыярымүткәргеч һәм оптоэлектрон кушымталарда аеруча инфра-кызыл ачыклау системаларында бик кыйммәт. .Әр сүзнең100һәм111юнәлешләр төрле технологик ихтыяҗлар өчен югары тизлекле электроникадан инфракызыл сурәтләү системасына кадәр сыгылучылык тәэмин итә. Аларның махсус электрон хәрәкәте, түбән тавыш, төгәл өслек сыйфаты белән бу ваферлар идеальурта дулкын озынлыгы инфракызыл детекторларһәм башка югары җитештерүчән кушымталар.
Диаграмма
