LNOI пластинасы (литий ниобаты изоляторда) Телекоммуникацияләрне сизү өчен югары электро-оптик
җентекле схема
Гомуми күзәтү
Пластиналы тартма эчендә симметрик уемнар бар, аларның үлчәмнәре пластинаның ике ягын да тотып тору өчен катгый рәвештә бертигез. Кристалл тартма, гадәттә, температурага, тузуга һәм статик электр энергиясенә чыдам үтә күренмәле пластик PP материалыннан эшләнгән. Ярымүткәргечләр җитештерүдә металл эшкәртү сегментларын аеру өчен төрле төстәге өстәмәләр кулланыла. Ярымүткәргечләрнең кечкенә ачкыч зурлыгы, тыгыз бизәкләр һәм җитештерүдә бик катгый кисәкчәләр зурлыгы таләпләре аркасында, пластина тартмасы төрле җитештерү машиналарының микротирәлек тартмасы реакция куышлыгына тоташу өчен чиста мохит гарантияләнергә тиеш.
Ясау методикасы
LNOI пластиналарын ясау берничә төгәл адымнан тора:
1 нче адым: Гелий ион имплантациясеГелий ионнары LN кристалына ион имплантаторы ярдәмендә кертелә. Бу ионнар билгеле бер тирәнлектә урнаша, нәтиҗәдә пленканың аерылуына ярдәм итәчәк көчсезләнгән яссылык барлыкка китерә.
2 нче адым: Нигез субстратын формалаштыруАерым кремний яки LN пластинасы PECVD яки термик оксидлаштыру ярдәмендә SiO2 белән оксидлаша яки катламлана. Аның өске өслеге оптималь бәйләнеш өчен яссылана.
3 нче адым: LNны субстратка берләштерүИонга имплантацияләнгән LN кристалы әйләндерелә һәм турыдан-туры пластина бәйләнеше ярдәмендә төп пластинага беркетелә. Тикшеренү шартларында бензоциклобутен (BCB) җиңелрәк шартларда бәйләнешне гадиләштерү өчен ябыштыргыч буларак кулланылырга мөмкин.
4 нче адым: Термик эшкәртү һәм пленканы аеруҖылыту имплантацияләнгән тирәнлектә күбек формалашуын активлаштыра, бу юка пленканы (өске LN катламын) күплектән аерырга мөмкинлек бирә. Пилингны тәмамлау өчен механик көч кулланыла.
5 нче адым: Өслекне ялтыратуЛинзаның өске өслеген шомарту, оптик сыйфатны һәм җайланманың нәтиҗәлелеген яхшырту өчен химик-механик полировка (ХМП) кулланыла.
Техник параметрлар
| Материал | Оптик Дәрәҗә LiNbO3 вафлилар (ак or Кара) | |
| Кюри Температура | 1142±0.7℃ | |
| Кисү Почмак | X/Y/Z һ.б. | |
| Диаметр/зурлык | 2”/3”/4” ±0.03 мм | |
| Тол(±) | <0,20 мм ±0,005 мм | |
| Калынлыгы | 0,18～0,5 мм яки күбрәк | |
| Беренчел Яссы | 16мм/22мм/32мм | |
| TTV | <3 мкм | |
| Баш | -30 | |
| Варп | <40 мкм | |
| Ориентация Яссы | Барысы да бар | |
| Өслек Төре | Бер яклы ялтыратылган (SSP) / Ике яклы ялтыратылган (DSP) | |
| Шыланган як Ra | <0,5 нм | |
| S/D | 20/10 | |
| Кырый Критерийлар | R=0.2 мм C-тип or Үгезборын | |
| Сыйфат | Бушлай of ярык (күбекләр) һәм кертемнәр) | |
| Оптик допингланган | Mg/Fe/Zn/MgO һ.б. өчен оптик дәрәҗә ЛН вафлилар һәр соралган | |
| Вафли Өслек Критерийлар | Сыну күрсәткече | No=2.2878/Ne=2.2033 @632нм дулкын озынлыгы/призм тоташтыргыч ысулы. |
| Пычрану, | Юк | |
| Кисәкчәләр c>0.3μ m | <=30 | |
| Сызылу, ватылу | Юк | |
| Кимчелек | Кырыйда ярыклар, тырналган урыннар, пычкы эзләре, таплар юк | |
| Упаковка | Саны/Вафли тартмасы | Бер тартмада 25 данә |
Куллану очраклары
Күпкырлылыгы һәм нәтиҗәлелеге аркасында, LNOI төрле тармакларда кулланыла:
Фотоника:Компакт модуляторлар, мультиплексорлар һәм фотон схемалары.
Радиоелемтәләр/Акустика:Акустооптик модуляторлар, РФ фильтрлары.
Квант исәпләүләре:Сызыклы булмаган ешлык миксерлары һәм фотон парлы генераторлар.
Оборона һәм аэрокосмик:Түбән югалтулы оптик гироскоплар, ешлыкны үзгәртүче җайланмалар.
Медицина җайланмалары:Оптик биосенсорлар һәм югары ешлыклы сигнал зондлары.
еш бирелә торган сораулар
С: Ни өчен оптик системаларда SOI урынына LNOI өстенлеклерәк?
A:LNOI югарырак электро-оптик коэффициентларга һәм киңрәк үтә күренмәлелек диапазонына ия, бу фотон схемаларында югарырак эшчәнлекне тәэмин итә.
С: Бүленгәннән соң CMP мәҗбүриме?
A:Әйе. Ачык LN өслеге ион кискәннән соң тупас һәм оптик сыйфатлы спецификацияләргә туры килерлек итеп ялтыратылырга тиеш.
С: Вафлиның максималь зурлыгы нинди?
A:Коммерция LNOI пластиналары, нигездә, 3 һәм 4 дюймлы, ләкин кайбер тәэмин итүчеләр 6 дюймлы вариантлар эшли.
С: LN катламын бүлгәннән соң кабат кулланып буламы?
A:Төп кристаллны берничә тапкыр кабат ялтыратып, кабат кулланырга мөмкин, гәрчә берничә циклдан соң сыйфаты начарланырга мөмкин.
С: LNOI пластиналары CMOS эшкәртү белән туры киләме?
A:Әйе, алар гадәти ярымүткәргеч җитештерү процесслары белән туры килерлек итеп эшләнгән, бигрәк тә кремний субстратлары кулланылганда.
