LNOI Wafer (изоляторда Литий Ниобат) Телекоммуникация сенсоры югары электро-оптик
Диаграмма
Гомуми күзәтү
Вафер тартмасы эчендә симметрияле трюклар бар, аларның үлчәмнәре вафинның ике ягына булышыр өчен бертөрле. Кристалл тартма, гадәттә, температурага, тузуга һәм статик электрга чыдам транспренталь пластик PP материалыннан эшләнгән. Ярымүткәргеч җитештерүдә металл процесс сегментларын аеру өчен төрле өстәмәләр кулланыла. Ярымүткәргечләрнең кечкенә ачкыч зурлыгы, тыгыз үрнәкләр, һәм җитештерүдә кисәкчәләрнең зурлыгы таләпләре аркасында, вафин тартмага төрле җитештерү машиналарының микроэнергетика тартмасы реакция куышына тоташу өчен чиста мохит гарантияләнергә тиеш.
Фабрика методикасы
LNOI вафиннары ясау берничә төгәл адымнан тора:
Адым 1: Гелий Ион ИмплантациясеГелий ионнары күпчелек LN кристаллына ион имплантеры ярдәмендә кертелә. Бу ионнар билгеле бер тирәнлектә урнашалар, зәгыйфьләнгән яссылык ясыйлар, ахыр чиктә кино отрядын җиңеләйтәчәк.
2 адым: төп субстрат формалашуыАерым кремний яки LN ваферы оксидлаштырыла яки SiO2 белән PECVD яки термик оксидлаштыру ярдәмендә катламлана. Аның өске өслеге оптималь бәйләнеш өчен планлаштырылган.
3 адым: LN-ны субстратка бәйләүИон-имплантацияләнгән LN кристаллын әйләндереп алалар һәм туры вафер бәйләнеше ярдәмендә төп ваферга бәйлиләр. Тикшеренү параметрларында бензоциклобутен (BCB) азрак катлаулы шартларда бәйләнешне гадиләштерү өчен ябыштыргыч буларак кулланылырга мөмкин.
4 адым: rылылык белән эшкәртү һәм кино аеруАннальинг имплантацияләнгән тирәнлектә күпер формалашуны активлаштыра, нечкә пленканы (өске LN катламы) күпчелектән аерырга мөмкинлек бирә. Эксфолиацияне тәмамлау өчен механик көч кулланыла.
5 адым: faceир өсте белән бизәүХимик механик полировка (CMP) LN өслеген тигезләү өчен кулланыла, оптик сыйфатын һәм җайланма җитештерүчәнлеген яхшырта.
Техник параметрлар
| Материал | Оптик Сыйфат LiNbO3 вафлар (Белый or Кара) | |
| Кюри Темп | 1142 ± 0.7 ℃ | |
| Кисү Почмак | X / Y / Z һ.б. | |
| Диаметр / зурлык | 2 "/ 3" / 4 "± 0.03 мм | |
| Тол (±) | <0,20 мм ± 0,005 мм | |
| Калынлык | 0,18 ～ 0,5 мм яки аннан да күбрәк | |
| Башлангыч Фатир | 16 мм / 22 мм / 32 мм | |
| TTV | <3μм | |
| Bowәя | -30 | |
| Сугыш | <40μм | |
| Ориентация Фатир | Барысы да бар | |
| Faceир өсте Тип | Бер яклы бизәлгән (SSP) / Ике яклы бизәлгән (DSP) | |
| Чистартылган ягы Ra | <0,5нм | |
| S / D. | 20/10 | |
| Кыр Критерийлар | R = 0,2 мм С тибы or Булноз | |
| Сыйфат | Бушлай of ярык (күбекләр һәм кертүләр) | |
| Оптик допед | Mg / Fe / Zn / MgO һ.б. өчен оптик класс LN ваферлар башына сорады | |
| Вафер Faceир өсте Критерийлар | Рекактив индекс | = К = 2.2878 / Ne = 2.2033 @ 632nm дулкын озынлыгы / призма куперы ысулы. |
| Пычрату, | Беркем дә юк | |
| Кисәкчәләр в> 0,3μ m | <= 30 | |
| Сызу, чипләү | Беркем дә юк | |
| Кимчелек | Кырык ярыклар, тырмалар, ара билгеләре, таплар юк | |
| Пакетлау | Qty / Wafer тартмасы | Бер тартмага 25 даана |
Эшләрне кулланыгыз
Күпкырлылыгы һәм эшләве аркасында LNOI күп тармакларда кулланыла:
Фотоника:Компакт модульаторлар, мультиплексерлар, фотоник схемалар.
RF / акустика:Акусто-оптик модульаторлар, RF фильтрлары.
Квант исәпләү:Сызыкча ешлыклы миксерлар һәм фотон парлы генераторлар.
Оборона һәм аэрокосмос:Аз югалтулы оптик гирос, ешлыкны үзгәртү җайланмалары.
Медицина җайланмалары:Оптик биосенсорлар һәм югары ешлыклы сигнал зоналары.
Сораулар
С: Ни өчен LNOI оптик системаларда SOIдан өстен?
A:LNOI өстен электро-оптик коэффициентларны һәм киңрәк ачыклык диапазонын күрсәтә, фотоник схемаларда югары күрсәткечләргә мөмкинлек бирә.
С: бүленгәннән соң CMP мәҗбүриме?
A:Әйе. Ачыкланган LN өслеге ион киселгәннән соң тупас һәм оптик класс спецификацияләренә туры килер өчен чистартылырга тиеш.
С: Ваферның максималь күләме нинди?
A:Коммерция LNOI ваферлары беренче чиратта 3 "һәм 4", ләкин кайбер тәэмин итүчеләр 6 "вариантны эшләп чыгаралар.
С: LN катламын бүлүдән соң кабат кулланып буламы?
A:Төп кристалл берничә тапкыр кабат эшкәртелергә һәм кабат кулланылырга мөмкин, гәрчә сыйфат берничә циклдан соң төшәргә мөмкин.
С: LNOI ваферлары CMOS эшкәртү белән туры киләме?
A:Әйе, алар гадәти ярымүткәргеч эшкәртү процесслары белән тигезләнү өчен эшләнгән, аеруча кремний субстратлары кулланылганда.
