Монокристалл кремний үстерү миче монокристалл кремний коелмаларын үстерү системасы җиһазларының температурасы 2100℃ кадәр

Монокристалл кремний үстерү миче монокристалл кремний коелмаларын үстерү системасы җиһазлары температурасы 2100℃ кадәр Тәкъдим ителгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

Монокристалл кремний үстерү миче - ярымүткәргечләр һәм фотоэлектрик сәнәгатьтә киң кулланыла торган югары чисталыктагы монокристалл кремний таякчыклары җитештерү өчен төп җиһаз. Монокристалл кремний интеграль схемалар, кояш батареялары һәм башка электрон җайланмалар җитештерүдә төп материал булып тора. Монокристалл кремний үстерү мичләре поликремний чималларын Чохральски (CZ) Чохральски яки йөзүче зона ысулы (FZ) кебек ысуллар кулланып югары сыйфатлы монокристалл кремний таякчыкларына әйләндерә.

Төп функция: Поликремний чималын эрегән хәлгә кадәр җылыту, кристалл үсешен орлык кристаллары аша җитәкләү һәм контрольдә тоту, билгеле бер кристалл юнәлеше һәм зурлыгы булган монокристалл кремний таякчыкларын формалаштыру.

Төп компонентлар:
Җылыту системасы: гадәттә графит җылыткычлар яки югары ешлыклы индукцион җылыту кулланыла торган югары температуралы мохит тәэмин итә.

Тигель: Эретелгән кремнийны тоту өчен кулланыла, гадәттә кварц яки графиттан ясалган.

Күтәрү системасы: кристаллның тигез үсешен тәэмин итү өчен орлык кристалының әйләнүен һәм күтәрү тизлеген контрольдә тота.

Атмосфераны контрольдә тоту системасы: Эретмә аргон кебек инерт газлар белән пычранудан сакланган.

Суыту системасы: Термик киеренкелекне киметү өчен кристалл суыту тизлеген контрольдә тотыгыз.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Монокристалл кремний үстерү миченең төп үзенчәлекләре

(1) Югары төгәллекле контроль
Температураны контрольдә тоту: Эретмәнең тотрыклылыгын тәэмин итү өчен җылыту температурасын төгәл контрольдә тотыгыз (кремнийның эрү температурасы якынча 1414°C).
Күтәрү тизлеген контрольдә тоту: орлык кристалының күтәрү тизлеге төгәл мотор белән контрольдә тотыла (гадәттә 0,5-2 мм/мин), бу кристалл диаметрына һәм сыйфатына тәэсир итә.
Әйләнү тизлеген көйләү: Кристаллның тигез үсешен тәэмин итү өчен орлыкның һәм тигельнең әйләнү тизлеген көйләгез.

(2) югары сыйфатлы кристалл үсеше
Түбән кимчелек тыгызлыгы: Процесс параметрларын оптимальләштерү юлы белән, түбән кимчелекле һәм югары сафлыкка ия монокристалл кремний таякчыгын үстерергә мөмкин.
Зур кристаллар: ярымүткәргечләр сәнәгате ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен диаметры 12 дюймга (300 мм) кадәр булган монокристалл кремний таякчыклары үстерелергә мөмкин.

(3) Нәтиҗәле җитештерү
Автоматлаштырылган эшләү: Заманча монокристалл кремний үстерү мичләре кул белән катнашуны киметү һәм җитештерү нәтиҗәлелеген арттыру өчен автоматлаштырылган идарә итү системалары белән җиһазландырылган.
Энергияне нәтиҗәле куллану: Энергия куллануны киметү өчен нәтиҗәле җылыту һәм суыту системаларын кулланыгыз.

(4) Күпкырлылык
Төрле процесслар өчен яраклы: CZ ысулын, FZ ысулын һәм башка кристалл үстерү технологияләрен хуплый.
Төрле материаллар белән туры килә: Монокристалл кремнийдан тыш, аны башка ярымүткәргеч материаллар (мәсәлән, германий, галлий арсениды) үстерү өчен дә кулланырга мөмкин.

Монокристалл кремний үстерү миченең төп кулланылышлары

(1) Ярымүткәргечләр сәнәгате
Интегральләштерелгән схемалар җитештерү: монокристалл кремний - процессор, хәтер һәм башка интеграль схемалар җитештерү өчен төп материал.
Көч җайланмасы: MOSFET, IGBT һәм башка көч ярымүткәргеч җайланмалар җитештерү өчен кулланыла.

(2) Фотоэлектрик сәнәгать
Кояш элементлары: монокристалл кремний югары нәтиҗәле кояш элементларының төп материалы булып тора һәм фотоэлектрик энергия җитештерүдә киң кулланыла.
Фотоэлектрик модульләр: Фотоэлектрик конверсия нәтиҗәлелеген арттыру өчен монокристалл кремний фотоэлектрик модульләр җитештерү өчен кулланыла.

(3) Фәнни тикшеренүләр
Материалларны тикшерү: Монокристалл кремнийның физик һәм химик үзлекләрен өйрәнү һәм яңа ярымүткәргеч материаллар эшләү өчен кулланыла.
Процессны оптимальләштерү: Кристалл үсеше процессын инновацияләү һәм оптимальләштерүне хуплау.

(4) Башка электрон җайланмалар
Датчиклар: Басым датчиклары һәм температура датчиклары кебек югары төгәллекле датчиклар җитештерү өчен кулланыла.
Оптоэлектрон җайланмалар: лазерлар һәм фотодетекторлар җитештерү өчен кулланыла.

XKH монокристалл кремний үстерү миче җиһазлары һәм хезмәтләрен күрсәтә

XKH монокристалл кремний үстерү миче җиһазларын эшләү һәм җитештерүгә игътибар итә, түбәндәге хезмәтләрне күрсәтә:

Заказ буенча җиһазлар: XKH төрле кристалл үстерү процессларын тәэмин итү өчен клиент таләпләренә туры китереп төрле спецификацияләрдәге һәм конфигурацияләрдәге монокристалл кремний үстерү мичләрен тәкъдим итә.

Техник ярдәм: XKH клиентларга җиһазларны урнаштырудан һәм процессны оптимальләштерүдән алып кристалл үстерү буенча техник җитәкчелеккә кадәр тулы процесс ярдәме күрсәтә.

Укыту хезмәтләре: XKH җиһазларның нәтиҗәле эшләвен тәэмин итү өчен клиентларга оператив тренинглар һәм техник тренинглар үткәрә.

Сатудан соңгы хезмәт: XKH тиз җавап бирүче сатудан соңгы хезмәт күрсәтә һәм клиентлар җитештерүенең өзлексезлеген тәэмин итү өчен җиһазларга техник хезмәт күрсәтә.

Яңарту хезмәтләре: XKH җитештерү нәтиҗәлелеген һәм кристалл сыйфатын яхшырту өчен клиентлар таләпләренә туры китереп җиһазларны яңарту һәм үзгәртү хезмәтләрен күрсәтә.

Монокристалл кремний үстерү мичләре - ярымүткәргеч һәм фотоэлектрик сәнәгатьнең төп җиһазлары, алар югары төгәллекле контроль, югары сыйфатлы кристалл үстерү һәм нәтиҗәле җитештерү белән аерылып тора. Ул интеграль схемалар, кояш батареялары, фәнни тикшеренүләр һәм электрон җайланмалар өлкәләрендә киң кулланыла. XKH алдынгы монокристалл кремний үстерү миче җиһазларын һәм клиентларга югары сыйфатлы монокристалл кремний таякчыклары җитештерүгә ирешүдә ярдәм итү, бәйле тармакларны үстерүгә ярдәм итү өчен тулы хезмәтләр спектрын тәкъдим итә.