N-типтагы SiC композит субстратлары, диаметры 6 дюйм, югары сыйфатлы монокристалл һәм түбән сыйфатлы субстрат

Кыскача тасвирлама:

N-типтагы SiC композит субстратлары - электрон җайланмалар җитештерүдә кулланыла торган ярымүткәргеч материал. Бу субстратлар кремний карбидыннан (SiC) ясалган, ул үзенең җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу көчәнеше һәм каты әйләнә-тирә мохит шартларына чыдамлыгы белән билгеле.


Үзенчәлекләр

N-типтагы SiC композит субстратлары Гомуми параметрлар таблицасы

项目Әйберләр 指标Спецификация 项目Әйберләр 指标Спецификация
直径Диаметр 150±0.2 мм (硅 面) 粗 糙 度
Алгы (Si-бит) тупаслыгы
Ra≤0.2нм (5μm*5μm)
晶型Политип 4H Читтәге ватыклар, тырналган урыннар, ярыклар (күз белән карау) Юк
电阻率Каршылык 0.015-0.025 Ом ·см 总厚度变化TTV ≤3 мкм
Күчерү катламы калынлыгы ≥0.4 мкм 翘曲度Варп ≤35 мкм
空洞Буш ≤5ea/пластина (2мм>D>0.5мм) 总厚度Калынлыгы 350±25μm

"N-тип" билгеләмәсе SiC материалларында кулланыла торган легирлау төрен аңлата. Ярымүткәргеч физикасында легирлау ярымүткәргечкә аның электр үзлекләрен үзгәртү өчен махсус рәвештә катнашмалар кертүне үз эченә ала. N-тип легирлау материалга тискәре заряд йөртүче концентрациясен бирә торган ирекле электроннарның артык күп булуын тәэмин итүче элементларны кертә.

N-типтагы SiC композит субстратларының өстенлекләре түбәндәгеләрне үз эченә ала:

1. Югары температурада эшләү: SiC югары җылылык үткәрүчәнлегенә ия һәм югары температураларда эшли ала, бу аны югары куәтле һәм югары ешлыклы электрон кушымталар өчен яраклы итә.

2. Югары ватылу көчәнеше: SiC материаллары югары ватылу көчәнешенә ия, бу аларга электр ватылусыз югары электр кырларына түзәргә мөмкинлек бирә.

3. Химик һәм әйләнә-тирә мохиткә чыдамлык: SiC химик яктан чыдам һәм каты әйләнә-тирә мохит шартларына чыдам, шуңа күрә ул катлаулы кушымталарда куллану өчен яраклы.

4. Энергия югалтуларын киметү: Традицион кремний нигезендәге материаллар белән чагыштырганда, SiC субстратлары энергияне нәтиҗәлерәк үзгәртү мөмкинлеген бирә һәм электрон җайланмаларда энергия югалтуларын киметә.

5. Киң зона: SiC киң зонага ия, бу югарырак температураларда һәм югарырак куәт тыгызлыгында эшли алырлык электрон җайланмалар эшләү мөмкинлеген бирә.

Гомумән алганда, N-типтагы SiC композит субстратлары югары җитештерүчән электрон җайланмалар эшләү өчен зур өстенлекләр бирә, бигрәк тә югары температуралы эшләү, югары куәт тыгызлыгы һәм нәтиҗәле энергия үзгәртү мөһим булган кушымталарда.


  • Алдагысы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез