N-Type SiC композит субстратлары Dia6inch qualityгары сыйфатлы монокристалин һәм түбән сыйфатлы субстрат
N-Type SiC Композит субстратлары Гомуми параметрлар таблицасы
项目Предметлар | 指标Спецификация | 项目Предметлар | 指标Спецификация |
直径Диаметр | 150 ± 0,2 мм | 正 面 (硅 面) 粗 糙 度 Фронт (Si-face) тупаслыгы | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) |
晶型Политип | 4H | Кыр чипсы, сызу, ярык (визуаль тикшерү) | Беркем дә юк |
电阻率Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
Катламны күчерү | ≥0.4μm | 翘曲度Сугыш | ≤35μm |
空洞Буш | ≤5ea / wafer (2mm> D> 0,5 мм) | 总厚度Калынлык | 350 ± 25μм |
"N-тип" билгесе SiC материалларында кулланылган допинг төрен аңлата. Ярымүткәргеч физикасында допинг электр үткәргечләрен үзгәртү өчен пычракларны ярымүткәргечкә белә торып кертүне үз эченә ала. N тибындагы допинг ирекле электроннарны тәэмин итүче элементлар кертә, материалга тискәре корылма йөртүче концентрациясен бирә.
N тибындагы SiC составлы субстратларның өстенлекләренә түбәндәгеләр керә:
1. temperatureгары температураның эшләнеше: SiC югары җылылык үткәрүчәнлегенә ия һәм югары температурада эшли ала, аны югары көчле һәм югары ешлыктагы электрон кушымталар өчен яраклы итә.
2.
3. Химик һәм экологик каршылык: SiC химик яктан чыдам һәм катлаулы экологик шартларга каршы тора ала, аны катлаулы кушымталарда куллану өчен яраклы итә.
4. Энергиянең кимүе: традицион кремнийга нигезләнгән материаллар белән чагыштырганда, SiC субстратлары эффектив конверсиягә мөмкинлек бирә һәм электрон җайланмаларда энергия югалтуын киметә.
5.
Гомумән алганда, N тибындагы SiC композицион субстратлары югары җитештерүчән электрон җайланмалар үсеше өчен зур өстенлекләр тәкъдим итә, аеруча югары температурада эшләү, югары тыгызлык һәм эффектив энергия конверсиясе булган кушымталарда.