Диаметры 6 дюймлы Si композит субстратларындагы N-типтагы SiC
| 等级Дәрәҗә | U 级 | П 级 | D 级 |
| Түбән BPD дәрәҗәсе | Җитештерү дәрәҗәсе | Макет дәрәҗәсе | |
| 直径Диаметр | 150.0 мм±0.25 мм | ||
| 厚度Калынлыгы | 500 мкм±25 мкм | ||
| 晶片方向Вафли юнәлеше | Күчтән читтә: 4H-N өчен <11-20 > ±0.5° юнәлешендә 4.0°, күчәрдә: 4H-SI өчен <0001>±0.5° | ||
| 主定位边方向Төп фатир | {10-10}±5.0° | ||
| 主定位边长度Башлангыч яссы озынлык | 47,5 мм±2,5 мм | ||
| 边缘Кыр чикләүләре | 3 мм | ||
| 总厚度变化/ 弯曲度 / 翘曲度 TTV / Bowәя / Сугыш | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | ||
| 微管密度和基面位错MPD һәм BPD | MPD≤1 см-2 | MPD≤5 см-2 | MPD≤15 см-2 |
| BPD≤1000см-2 | |||
| 电阻率Каршылык | ≥1E5 Ω·см | ||
| 表面粗糙度Тупаслык | Полякча Ra≤1 нм | ||
| CMP Ra≤0.5 нм | |||
| 裂纹(强光灯观测) # | Юк | Кумулятив озынлык ≤10 мм, бер озынлык ≤2 мм | |
| Югары интенсивлыклы яктылыктан ярылулар | |||
| 六方空洞（强光灯观测）* | Кумулятив мәйдан ≤1% | Кумулятив мәйдан ≤5% | |
| Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә алты шакмаклы пластиналар | |||
| 多型(强光灯观测) * | Юк | Кумулятив мәйдан ≤5% | |
| Югары интенсивлыклы яктылык белән политип зоналары | |||
| 划痕(强光灯观测) * & | 1 × пластина диаметрына 3 сызык | 1 × пластина диаметрына 5 сызык | |
| Югары интенсивлыклы яктылыктан тырналган урыннар | тупланма озынлык | тупланма озынлык | |
| 崩边# Чик чипы | Юк | 5 рөхсәт ителә, һәрберсе ≤1 мм | |
| 表面污染物（强光灯观测） | Юк | ||
| Югары интенсивлыклы яктылык белән пычрану | |||
җентекле схема
