Si-композицион субстратларда N-Type SiC Dia6inch
| 等级Сыйфат | U 级 | П 级 | D 级 |
| Түбән BPD дәрәҗәсе | Производство дәрәҗәсе | Dummy Grade | |
| 直径Диаметр | 150,0 мм ± 0,25 мм | ||
| 厚度Калынлык | 500 μm ± 25μm | ||
| 晶片方向Вафер юнәлеше | Өстән күчәр: 4H-N өчен 4.0 ° <11-20> ± 0,5 ° күчәрендә: <0001> 4H-SI өчен 0,5 ° | ||
| 主定位边方向Беренчел фатир | {10-10} .0 5.0 ° | ||
| 主定位边长度Беренчел фатир озынлыгы | 47,5 мм ± 2,5 мм | ||
| 边缘Кыр читен чыгару | 3 мм | ||
| 总厚度变化/ 弯曲度 / 翘曲度 TTV / Bowәя / Сугыш | ≤15μm / ≤40μm / ≤60μm | ||
| 微管密度和基面位错MPD & BPD | MPD≤1 см-2 | MPD≤5 см-2 | MPD≤15 см-2 |
| BPD≤1000см-2 | |||
| 电阻率Каршылык | ≥1E5 Ω · см | ||
| 表面粗糙度Тупаслык | Поляк Ra≤1 nm | ||
| CMP Ra≤0.5 nm | |||
| 裂纹(强光灯观测) # | Беркем дә юк | Кумулятив озынлык ≤10 мм, бер озынлык mm2 мм | |
| Highгары интенсивлык яктылыгы | |||
| 六方空洞（强光灯观测）* | Кумулятив мәйдан ≤1% | Кумулятив мәйдан ≤5% | |
| Heгары интенсивлык яктылыгы белән алты тәлинкәләр | |||
| 多型(强光灯观测) * | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤5% | |
| Политип өлкәләре югары интенсивлык яктылыгы белән | |||
| 划痕(强光灯观测) * & | 1 × вафер диаметрына 3 сызык | 1 × вафер диаметрына 5 тырма | |
| Highгары интенсивлык яктылыгы | кумулятив озынлык | кумулятив озынлык | |
| 崩边# Кыр чипы | Беркем дә юк | 5 рөхсәт, һәрберсе ≤1 мм | |
| 表面污染物（强光灯观测） | Беркем дә юк | ||
| Highгары интенсив яктылык белән пычрану | |||
Диаграмма
