P тибындагы SiC субстрат SiC ваферы Dia2inch яңа продукт

Кыска тасвирлау:

2 дюймлы P-тип кремний карбид (SiC) вафер 4H яки 6H политипта. Ул N тибындагы Кремний Карбид (SiC) ваферы кебек охшаш үзенчәлекләргә ия, мәсәлән, югары температурага каршы тору, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары электр үткәрүчәнлеге һ.б. Капка ике яклы транзисторлар (IGBT). IGBT дизайны еш PN тоташуларын үз эченә ала, монда P тибындагы SiC җайланмаларның тәртибен контрольдә тоту өчен отышлы була ала.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

П тибындагы кремний карбид субстратлары гадәттә электр җайланмалары ясау өчен кулланыла, мәсәлән, Инсулат-капка Биполяр транзисторлары (IGBT).

IGBT = MOSFET + BJT, бу сүндергеч. MOSFET = IGFET (металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффект трубасы, яки изоляцияләнгән капка тибындагы кыр эффект транзисторы). BJT (Биполяр Чишелеш Транзисторы, шулай ук транзистор дип тә атала), биполяр - эштә үткәрү процессында ике төрле электрон һәм тишек йөртүче бар, гадәттә үткәрүдә PN тоташуы бар.

2 дюймлы p тибындагы кремний карбид (SiC) ваферы 4H яки 6H политипта. Ул n типтагы кремний карбид (SiC) ваферларына охшаш үзенчәлекләргә ия, мәсәлән, югары температурага каршы тору, югары җылылык үткәрүчәнлеге, һәм югары электр үткәрүчәнлеге. p тибындагы SiC субстратлары гадәттә электр җайланмалары җитештерүдә кулланыла, аеруча изоляцияләнгән капка биполяр транзисторлары (IGBT). IGBT-ларның дизайны гадәттә PN тоташуларын үз эченә ала, монда p-SiC җайланманың тәртибен контрольдә тоту өчен отышлы.