P-типтагы SiC субстраты SiC пластинасы Dia2 дюймлы яңа продукт

P-типтагы кремний карбиды субстратлары гадәттә көч җайланмаларын, мәсәлән, Insulate-Gate биполяр транзисторларын (IGBT) ясау өчен кулланыла.

IGBT= MOSFET+BJT, ул кабызу-сүндерү ачкычы. MOSFET=IGFET (металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффекты лампасы, яки изоляцияләнгән капка тибындагы кыр эффекты транзисторы). BJT (биполяр тоташу транзисторы, шулай ук ​​транзистор дип тә атала), биполяр дигән сүз үткәрү процессында ике төрле электрон һәм тишек йөртүчеләр катнаша дигәнне аңлата, гадәттә үткәрүдә PN тоташу катнаша.

2 дюймлы p-типлы кремний карбиды (SiC) пластинасы 4H яки 6H политипта. Ул n-типлы кремний карбиды (SiC) пластиналарына охшаш үзлекләргә ия, мәсәлән, югары температурага чыдамлык, югары җылылык үткәрүчәнлек һәм югары электр үткәрүчәнлек. p-типлы SiC субстратлары гадәттә көч җайланмаларын җитештерүдә, аеруча изоляцияләнгән капкалы биполяр транзисторлар (IGBT) җитештерүдә кулланыла. IGBT конструкциясе гадәттә PN тоташуларын үз эченә ала, анда p-типлы SiC җайланманың эшчәнлеген контрольдә тоту өчен отышлы.