P тибындагы SiC субстрат SiC ваферы Dia2inch яңа продукт

П тибындагы кремний карбид субстратлары гадәттә электр җайланмалары ясау өчен кулланыла, мәсәлән, Инсулат-капка Биполяр транзисторлары (IGBT).

IGBT = MOSFET + BJT, бу сүндергеч. MOSFET = IGFET (металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффект трубасы, яки изоляцияләнгән капка тибындагы кыр эффект транзисторы). BJT (Биполяр Чишелеш Транзисторы, шулай ук ​​транзистор дип тә атала), биполяр - эштә үткәрү процессында ике төрле электрон һәм тишек йөртүче бар, гадәттә үткәрүдә PN тоташуы бар.

2 дюймлы p тибындагы кремний карбид (SiC) ваферы 4H яки 6H политипта. Ул n типтагы кремний карбид (SiC) ваферларына охшаш үзенчәлекләргә ия, мәсәлән, югары температурага каршы тору, югары җылылык үткәрүчәнлеге, һәм югары электр үткәрүчәнлеге. p тибындагы SiC субстратлары гадәттә электр җайланмалары җитештерүдә кулланыла, аеруча изоляцияләнгән капка биполяр транзисторлары (IGBT). IGBT-ларның дизайны гадәттә PN тоташуларын үз эченә ала, монда p-SiC җайланманың тәртибен контрольдә тоту өчен отышлы.