LED чиплары өчен бизәкле сапфир субстраты PSS 2 дюймлы 4 дюймлы 6 дюймлы ICP коры гравюра кулланылырга мөмкин.

Кыскача тасвирлама:

Рәсемле сапфир субстраты (PSS) - литография һәм гравюра техникасы ярдәмендә микро һәм нано структуралар формалаштырылган субстрат. Ул, нигездә, яктылык чыгаручы диодлар җитештерүдә, өслек бизәкләре дизайны аша яктылык чыгару нәтиҗәлелеген арттыру өчен кулланыла, шуның белән LEDның яктылыгын һәм эшчәнлеген яхшырта.


Үзенчәлекләр

Төп үзенчәлек

1. Материал үзенчәлекләре: Субстрат материалы - югары катылыкка, югары җылылыкка чыдамлыкка һәм химик тотрыклылыкка ия ​​монокристалл сапфир (Al₂O₃).

2. Өслек структурасы: Өслек фотолитография һәм конуслар, пирамидалар яки алты почмаклы массивлар кебек периодик микро-нано структураларга гравюра ясау юлы белән формалаша.

3. Оптик эшчәнлек: Өслек бизәкләре дизайны аша, яктылыкның чиктә гомуми чагылышы кими, һәм яктылык чыгару нәтиҗәлелеге яхшыра.

4. Җылылык күрсәткечләре: Сапфир субстраты бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеккә ия, югары куәтле LED кушымталары өчен яраклы.

5. Зурлык спецификацияләре: Гадәти зурлыклар 2 дюйм (50,8 мм), 4 дюйм (100 мм) һәм 6 дюйм (150 мм).

Төп куллану өлкәләре

1. LED җитештерү:
Яктылык чыгару нәтиҗәлелеген яхшырту: PSS үрнәк дизайны ярдәмендә яктылык югалтуны киметә, LED яктылыгын һәм яктылык нәтиҗәлелеген сизелерлек яхшырта.

Эпитаксиаль үсеш сыйфатын яхшырту: Үрнәкле структура GaN эпитаксиаль катламнары өчен яхшырак үсеш нигезен тәэмин итә һәм LED эшчәнлеген яхшырта.

2. Лазер диоды (LD):
Югары куәтле лазерлар: PSS-ның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм тотрыклылыгы югары куәтле лазер диодлары өчен яраклы, җылылык тарату эшчәнлеген һәм ышанычлылыгын яхшырта.

Түбән бусага тогы: Эпитаксиаль үсешне оптимальләштерегез, лазер диодының бусага тогын киметегез һәм нәтиҗәлелекне арттырыгыз.

3. Фотодетектор:
Югары сизгерлек: PSS-ның югары яктылык үткәрүчәнлеге һәм түбән кимчелек тыгызлыгы фотодетекторның сизгерлеген һәм җавап бирү тизлеген яхшырта.

Киң спектрлы җавап: ультрафиолеттан күренмәле диапазонга кадәр фотоэлектрик детекторлау өчен яраклы.

4. Көчле электроника:
Югары көчәнешле каршылык: Sapphire'ның югары изоляциясе һәм җылылык тотрыклылыгы югары көчәнешле җайланмалар өчен яраклы.

Нәтиҗәле җылылык тарату: Югары җылылык үткәрүчәнлеге көч җайланмаларының җылылык тарату эшчәнлеген яхшырта һәм хезмәт итү вакытын озайта.

5. Радиоелемтәләр җайланмалары:
Югары ешлыклы эш күрсәткечләре: PSS-ның түбән диэлектрик югалтулары һәм югары термик тотрыклылыгы югары ешлыклы RF җайланмалары өчен яраклы.

Түбән шау: Югары яссылык һәм түбән кимчелек тыгызлыгы җайланма шау-шуын киметә һәм сигнал сыйфатын яхшырта.

6. Биосенсорлар:
Югары сизгерлекле детекторлау: PSS-ның югары яктылык үткәрүчәнлеге һәм химик тотрыклылыгы югары сизгерлекле биосенсорлар өчен яраклы.

Биоярашлылык: Сапфирның биоярашлылыгы аны медицина һәм биодетекция кушымталары өчен яраклы итә.
GaN эпитаксиаль материалы белән бизәкле сапфир субстраты (PSS):

Үрнәкле сапфир субстраты (PSS) GaN (галлий нитриды) эпитаксиаль үсеше өчен идеаль субстрат булып тора. Сапфирның челтәр константасы GaN га якын, бу челтәр туры килмәүчәнлеген һәм эпитаксиаль үсештәге кимчелекләрне киметергә мөмкин. PSS өслегенең микро-нано структурасы яктылык чыгару нәтиҗәлелеген генә түгел, ә GaN эпитаксиаль катламының кристалл сыйфатын да яхшырта, шуның белән LEDның эшчәнлеген һәм ышанычлылыгын яхшырта.

Техник параметрлар

Әйбер Рәсемле сапфир субстраты (2~6 дюйм)
Диаметр 50,8 ± 0,1 мм 100,0 ± 0,2 мм 150,0 ± 0,3 мм
Калынлыгы 430 ± 25 мкм 650 ± 25 мкм 1000 ± 25 мкм
Өслек юнәлеше C-яссылыгы (0001) M күчәренә таба почмактан читкә тайпылган (10-10) 0,2 ± 0,1°
C-яссылыгы (0001) А күчәренә таба почмактан читкә юнәлгән (11-20) 0 ± 0.1°
Төп яссылык ориентациясе А-яссылыгы (11-20) ± 1.0°
Башлангыч яссы озынлык 16,0 ± 1,0 мм 30,0 ± 1,0 мм 47,5 ± 2,0 мм
R-планец 9 сәгать
Алгы өслек бизәлеше Үрнәкле
Арткы өслек бизәлеше SSP: Вак итеп тартылган, Ra=0.8-1.2 мкм; DSP: Epi белән ялтыратылган, Ra<0.3 нм
Лазер билгесе Арткы як
TTV ≤8 мкм ≤10 мкм ≤20 мкм
БӘЙ ≤10 мкм ≤15 мкм ≤25 мкм
ВАРАФ ≤12 мкм ≤20 мкм ≤30 мкм
Кыр чикләрен чыгару ≤2 мм
Үрнәк спецификациясе Форма структурасы Гөмбәз, Конус, Пирамида
Үрнәк биеклеге 1.6~1.8μm
Үрнәк диаметры 2,75~2,85 мкм
Үрнәк киңлеге 0,1~0,3 мкм

 XKH югары сыйфатлы, шәхси бизәкле сапфир субстратлары (PSS) белән тәэмин итүдә махсуслаша, бу клиентларга LED, дисплей һәм оптоэлектроника өлкәсендә нәтиҗәле инновацияләргә ирешергә ярдәм итү өчен техник ярдәм һәм сатудан соңгы хезмәт күрсәтү белән тәэмин ителә.

1. Югары сыйфатлы PSS тәэминаты: LED, дисплей һәм оптоэлектрон җайланмалар ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен төрле зурлыктагы (2", 4", 6) бизәкле сапфир субстратлары.

2. Шәхси дизайн: Яктылык чыгару нәтиҗәлелеген оптимальләштерү өчен, клиент ихтыяҗларына туры китереп, өслек микро-нано структурасын (мәсәлән, конус, пирамида яки алты почмаклы массив) көйләгез.

3. Техник ярдәм: Клиентларга продукт эшчәнлеген яхшыртырга ярдәм итү өчен PSS кушымтасы дизайнын, процессларны оптимальләштерүне һәм техник консультацияләрне тәэмин итү.

4. Эпитаксиаль үсешне тәэмин итү: югары сыйфатлы эпитаксиаль катлам үсешен тәэмин итү өчен GaN эпитаксиаль материалы белән туры китерелгән PSS бирелә.

5. Сынау һәм сертификацияләү: Продукциянең тармак стандартларына туры килүен тәэмин итү өчен PSS сыйфатын тикшерү отчетын бирегез.

җентекле схема

Рәсемле сапфир субстраты (PSS) 4
Рәсемле сапфир субстраты (PSS) 5
Рәсемле сапфир субстраты (PSS) 6

  • Алдагысы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез