Si композицион субстратларда ярым изоляцион SiC
| Предметлар | Спецификация | Предметлар | Спецификация |
| Диаметр | 150 ± 0,2 мм | Ориентация | <111> / <100> / <110> һ.б. |
| Политип | 4H | Тип | P / N. |
| Каршылык | ≥1E8ohm · см | Тигезлек | Фатир / кисәк |
| Катламны күчерү | ≥0.1μm | Кыр чипсы, сызу, ярык (визуаль тикшерү) | Беркем дә юк |
| Буш | ≤5ea / wafer (2mm> D> 0,5 мм) | TTV | ≤5μm |
| Алгы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | Калынлык | 500/625/675 ± 25μm |
Бу комбинация электроника җитештерүдә берничә өстенлек тәкъдим итә:
Сөйләшү: кремний субстратын куллану аны кремний нигезендә эшкәртү техникасы белән туры китерә һәм ярымүткәргеч җитештерү процесслары белән интеграцияләргә мөмкинлек бирә.
Temperatureгары температураның эшләнеше: SiC искиткеч җылылык үткәрүчәнлегенә ия һәм югары температурада эшли ала, аны югары көч һәм югары ешлыктагы электрон кушымталар өчен яраклы итә.
Breakгары өзелү көчәнеше: SiC материаллары ватылу көчәнешенә ия һәм югары электр кырларына электр өзелмичә каршы тора ала.
Энергиянең кимүе: SiC субстратлары традицион кремнийга нигезләнгән материаллар белән чагыштырганда, электрон җайланмаларда нәтиҗәлерәк энергия конверсиясенә һәм энергиянең түбән югалуына мөмкинлек бирә.
Киң киңлек киңлеге: SiC киң температурада, югары температурада һәм югары көч тыгызлыгында эшли ала торган электрон җайланмалар үсешенә мөмкинлек бирә.
Шулай итеп, Si композицион субстратларында ярым изоляцион SiC кремнийның SiC өстен электр һәм җылылык үзлекләре белән туры килүен берләштерә, аны югары җитештерүчән электроника кушымталары өчен яраклы итә.
Урлау һәм китерү
1. Без саклау өчен пластик һәм махсуслаштырылган бокс кулланачакбыз. (Әйләнә-тирә дуслык материалы)
2. Без санга карап махсуслаштырылган пакетлар ясый алыр идек.
3. DHL / Fedex / UPS Express гадәттә билгеләнгән урынга якынча 3-7 эш көне ала.
Диаграмма
