Si композит субстратларында ярымизоляцияле SiC
| Әйберләр | Спецификация | Әйберләр | Спецификация |
| Диаметр | 150±0.2 мм | Ориентация | <111>/<100>/<110> һ.б. |
| Политип | 4H | Төре | P/N |
| Каршылык | ≥1E8Ω·см | Яссылык | Яссы/Украшеный |
| Күчерү катламы калынлыгы | ≥0.1 мкм | Читтәге ватыклар, тырналган урыннар, ярыклар (күз белән карау) | Юк |
| Буш | ≤5ea/пластина (2мм>D>0.5мм) | TTV | ≤5 мкм |
| Алгы өлешнең тигезсезлеге | Ra≤0.2нм (5μm*5μm) | Калынлыгы | 500/625/675±25μm |
Бу комбинация электроника җитештерүдә берничә өстенлек бирә:
Ярашучанлык: Кремний субстратын куллану аны стандарт кремний нигезендәге эшкәртү ысуллары белән туры китерә һәм гамәлдәге ярымүткәргеч җитештерү процесслары белән интеграцияләргә мөмкинлек бирә.
Югары температура күрсәткечләре: SiC җылылык үткәрүчәнлеге бик яхшы һәм югары температураларда эшли ала, бу аны югары куәтле һәм югары ешлыклы электрон кушымталар өчен яраклы итә.
Югары ватылу көчәнеше: SiC материаллары югары ватылу көчәнешенә ия һәм электр җимерелүсез югары электр кырларына чыдам.
Энергия югалтуларын киметү: SiC субстратлары электрон җайланмаларда энергияне нәтиҗәлерәк үзгәртү һәм традицион кремний нигезендәге материаллар белән чагыштырганда энергия югалтуларын киметү мөмкинлеген бирә.
Киң полоса киңлеге: SiC киң полоса киңлегенә ия, бу югарырак температураларда һәм югарырак энергия тыгызлыгында эшли алырлык электрон җайланмалар эшләү мөмкинлеген бирә.
Шулай итеп, Si композит субстратларындагы ярымизоляцияле SiC кремнийның туры килүчәнлеген SiCның югары электр һәм җылылык үзлекләре белән берләштерә, бу аны югары җитештерүчән электроника кушымталары өчен яраклы итә.
Төрү һәм китерү
1. Без саклагыч пластик һәм махсус эшләнгән тартмалар кулланачакбыз. (Әйләнә-тирә мохиткә зыян китерми торган материал)
2. Без күләмгә карап шәхси заказ буенча төрү ясый алабыз.
3. DHL/Fedex/UPS Express гадәттә билгеләнгән урынга якынча 3-7 эш көне вакыт ала.
җентекле схема
