Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары
Диаграмма
Лазер күтәрү җиһазларына продукт турында гомуми күзәтү
Ярымүткәргеч лазер Lift-Off җиһазлары ярымүткәргеч материал эшкәртүдә алдынгы инготны киметү өчен киләсе буын чишелешен күрсәтә. Механик тарту, бриллиант чыбыклар яисә химик-механик планаризациягә таянган традицион вафинг ысулларыннан аермалы буларак, бу лазерга нигезләнгән платформа күпчелек ярымүткәргеч инготлардан ультра-нечкә катламнарны аеру өчен контактсыз, җимергеч булмаган альтернатива тәкъдим итә.
Галлий нитрид (GaN), кремний карбид (SiC), сапфир, һәм галлий арсенид (GaAs) кебек ватык һәм югары кыйммәтле материаллар өчен оптимальләштерелгән, ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары кристалл инготтан вафер масштаблы фильмнарны төгәл кисәргә мөмкинлек бирә. Бу ачыш технологиясе материаль калдыкларны сизелерлек киметә, үткәрүне яхшырта һәм субстрат бөтенлеген көчәйтә - болар барысы да электроника, RF системалары, фотоника һәм микро-дисплейларда киләсе буын җайланмалары өчен бик мөһим.
Автоматлаштырылган контрольгә, нур формалаштыруга, лазер-материал үзара бәйләнеш аналитикасына басым ясап, ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары ярымүткәргеч эшкәртү эш процессларына бертуктаусыз интеграцияләнү өчен эшләнгән, шул ук вакытта R&D сыгылмалылыгын һәм массакүләм җитештерү масштабын тәэмин итә.
Лазер күтәрү җиһазларының технология һәм эш принцибы
Ярымүткәргеч лазер Lift-Off җиһазлары башкарган процесс донор инготын югары энергияле ультрафиолет лазер нуры ярдәмендә нурландырудан башлана. Бу нур билгеле бер эчке тирәнлеккә тупланган, гадәттә инженер интерфейсы буенча, оптик, җылылык яки химик контраст аркасында энергия үзләштерү максимальләштерелә.
Бу энергияне үзләштерү катламында локальләштерелгән җылылык тиз микро-шартлауга, газның киңәюенә яки интерфейсаль катламның бозылуына китерә (мәсәлән, стрессор пленкасы яки корбан оксиды). Бу төгәл контрольдә тотылган өзеклек югары кристалл катламга китерә - калынлыгы дистәләрчә микрометр белән - төп инготтан чиста.
Ярымүткәргеч лазер Lift-Off җиһазлары хәрәкәт-синхрон сканер башларын, программалаштырыла торган z-күчәрен контрольдә тотуны һәм реаль вакыттагы рефлектометрны куллана, һәр импульс максатчан яссылыкта энергияне тулысынча тәэмин итә. Theиһаз шулай ук шартлау режимын яки күп импульслы мөмкинлекләр белән конфигурацияләнергә мөмкин, отрядның тигезлеген арттыру һәм калдык стрессын киметү өчен. Иң мөһиме, лазер нуры беркайчан да физик яктан элемтәгә кермәгәнгә, микрокрекинг, баш иү яки өстән чабу куркынычы кискен кими.
Бу лазерны күтәрү нечкә ысулын уен алмаштыручы итә, аеруча суб-микрон TTV (Гомуми калынлык вариациясе) ярдәмендә ультра яссы, ультра нечкә ваферлар кирәк булган кушымталарда.
Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары параметры
| Дулкын озынлыгы | IR / SHG / THG / FHG |
|---|---|
| Пульс киңлеге | Наносекунд, Пикосекунд, Фемтосекунд |
| Оптик система | Тикшерелгән оптик система яки Гальвано-оптик система |
| XY этап | 500 мм × 500 мм |
| Эшкәртү диапазоны | 160 мм |
| Хәрәкәт тизлеге | Макс 1000 мм / сек |
| Кабатлану | ± 1 мм яки аннан да азрак |
| Абсолют позиция төгәллеге: | ± 5 мм яки аннан да азрак |
| Вафер размеры | 2-6 дюйм яки көйләнгән |
| Контроль | Windows 10,11 һәм PLC |
| Электр белән тәэмин итү көчәнеше | AC 200 V ± 20 V, бер фазалы, 50/60 кГц |
| Тышкы үлчәмнәр | 2400 мм (Вт) × 1700 мм (D) × 2000 мм (H) |
| Авырлык | 1000 кг |
Лазер күтәрү җиһазларының сәнәгать кушымталары
Ярымүткәргеч лазер Lift-Off җиһазлары ярымүткәргеч доменнарда материалларның ничек әзерләнүен тиз үзгәртә:
- Лазер күтәрү җиһазларының вертикаль GaN электр җайланмалары
Ультра-нечкә GaN-on-GaN фильмнарын күпчелек инготлардан күтәрү вертикаль үткәрү архитектурасын һәм кыйммәтле субстратларны кабат кулланырга мөмкинлек бирә.
- Шоттки һәм MOSFET җайланмалары өчен SiC Wafer нечкәлеге
Субстрат планаритлыгын саклап калганда, җайланма катламы калынлыгын киметә - тиз электр энергиясе өчен идеаль.
- Сапфирга нигезләнгән LED һәм лазер күтәрү җиһазларының материаллары
Нечкә, термик оптимальләштерелгән микро-LED җитештерүне тәэмин итү өчен, җайланма катламнарын сапфир булаларыннан эффектив аерырга мөмкинлек бирә.
- III-V Лазер күтәрү җиһазларының материаль инженериясе
Алга киткән оптоэлектрон интеграция өчен GaAs, InP, AlGaN катламнары отрядын җиңеләйтә.
- Нечкә Вафер IC һәм сенсор җитештерү
Басым сенсорлары, акселерометрлар яки фотодиодлар өчен нечкә функциональ катламнар җитештерә, монда күпчелек эш башкару.
- Эластик һәм ачык электроника
Эластик дисплейларга, киеп була торган схемаларга, акыллы акыллы тәрәзәләргә яраклы ультра-нечкә субстратлар әзерли.
Бу өлкәләрнең һәрберсендә ярымүткәргеч лазер Lift-Off җиһазлары миниатюризация, материалны кабат куллану һәм процессны гадиләштерүдә мөһим роль уйный.
Лазер күтәрү җиһазларының еш бирелә торган сораулары
1 нче сорау: Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазларын кулланып мин ирешә алган минималь калынлык нинди?
А1:Гадәттә материалга карап 10-30 микрон. Процесс үзгәртелгән көйләүләр белән нечкә нәтиҗәләргә сәләтле.
2-нче сорау: Моны бер үк инготтан берничә вафер кисү өчен кулланып буламы?
А2:Әйе. Күпчелек клиентлар лазер күтәрү техникасын кулланалар, бер инготтан берничә нечкә катламны серияле чыгару.
3 нче сорау: powerгары көчле лазер эше өчен нинди куркынычсызлык үзенчәлекләре кертелгән?
А3:1 класс корпуслары, үзара бәйләнеш системалары, нурдан саклау, автоматлаштырылган ябу - барысы да стандарт.
4-нче сорау: Бу система бәясе ягыннан бриллиант чыбык белән ничек чагыштырыла?
А4:Башлангыч капекс югарырак булырга мөмкин, лазерны күтәрү куллану чыгымнарын, субстрат зыянны һәм эшкәртүдән соңгы адымнарны кискен киметә - гомуми бәянең бәясен киметә (TCO).
5 нче сорау: Бу процесс 6 дюйм яки 8 дюймлы инготларга масштаблымы?
А5:.Ичшиксез. Платформа 12 дюймга кадәр субстратларны бердәм нур тарату һәм зур форматлы хәрәкәт этаплары белән тәэмин итә.
Безнең турында
XKH югары технологияле үсештә, махсус оптик пыяла һәм яңа кристалл материаллар җитештерүдә, сатуда махсуслаша. Безнең продукт оптик электроника, кулланучылар электроникасы һәм армиягә хезмәт күрсәтә. Без Сапфир оптик компонентларын, кәрәзле телефон линзаларын, керамика, LT, Кремний Карбид СИС, Кварц һәм ярымүткәргеч кристалл ваферларын тәкъдим итәбез. Оста тәҗрибә һәм заманча җиһазлар белән без югары технологияле предприятия булып алдынгы оптоэлектрон материаллар булырга омтылып, стандарт булмаган продукт эшкәртүдә өстенлек итәбез.
