Ярымүткәргечле лазер белән күтәрү җиһазлары коелмаларны сирәкләндерүдә революция ясый

Кыскача тасвирлама:

Ярымүткәргеч Лазерлы Күтәрү Җиһазлары - лазер ярдәмендә күтәрү ысуллары ярдәмендә ярымүткәргеч коелмаларны төгәл һәм контактсыз сирәкләү өчен эшләнгән югары дәрәҗәдә махсуслаштырылган сәнәгать чишелеше. Бу алдынгы система заманча ярымүткәргеч пластиналар ясау процессларында, бигрәк тә югары җитештерүчәнлекле көч электроникасы, LEDлар һәм РФ җайланмалары өчен ультра-нечкә пластиналар җитештерүдә мөһим роль уйный. Күпләп җитештерелгән коелмалардан яки донор субстратлардан нечкә катламнарны аеру мөмкинлеге биреп, Ярымүткәргеч Лазерлы Күтәрү Җиһазлары механик кисү, тарту һәм химик эшкәртү этапларын бетереп, коелмаларны сирәкләүдә революция ясый.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

җентекле схема

Ярымүткәргечле лазер күтәрү җиһазлары продукты белән таныштыру

Галлий нитриды (GaN), кремний карбиды (SiC) һәм сапфир кебек ярымүткәргеч коелмаларны традицион сирәкләү еш кына хезмәт күп таләп итә, исрафка китерә һәм микроярыкларга яки өслек зыянына дучар була. Киресенчә, Ярымүткәргеч Лазер Лифт-Офф Җиһазлары материал югалтуларын һәм өслек киеренкелеген минимальләштерә торган, шул ук вакытта җитештерүчәнлекне арттыра торган җимерми торган, төгәл альтернатива тәкъдим итә. Ул төрле кристалл һәм кушылма материалларны хуплый һәм алгы яки урта агым ярымүткәргеч җитештерү линияләренә шома интеграцияләнергә мөмкин.

Конфигурацияләнә торган лазер дулкын озынлыклары, адаптив фокус системалары һәм вакуум белән туры килә торган пластина патроннары белән бу җиһаз, аеруча, коелмаларны кисү, ламеллалар ясау һәм вертикаль җайланма структуралары яки гетероэпитаксиаль катлам күчерү өчен ультра-нечкә пленканы аеру өчен бик яхшы туры килә.

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазы параметры

Дулкын озынлыгы	IR/SHG/THG/FHG
Пульс киңлеге	Наносекунд, Пикосекунд, Фемтосекунд
Оптик система	Стационар оптик система яки Гальвано-оптик система
XY этабы	500 мм × 500 мм
Эшкәртү диапазоны	160 мм
Хәрәкәт тизлеге	Макс. 1000 мм/сек
кабатланырлык	±1 мкм яки аннан кимрәк
Абсолют позиция төгәллеге:	±5 мкм яки аннан кимрәк
Вафли зурлыгы	2–6 дюйм яки шәхси заказ буенча
Идарә итү	Windows 10, 11 һәм PLC
Электр белән тәэмин итү көчәнеше	AC 200 В ±20 В, бер фазалы, 50/60 кГц
Тышкы үлчәмнәр	2400 мм (киңлек) × 1700 мм (тереңлек) × 2000 мм (биеклек)
Авырлык	1000 кг

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазларының эш принцибы

Ярымүткәргечле Лазер Лифт-Офф җиһазының төп механизмы донор коелмасы һәм эпитаксиаль яки максатлы катлам арасындагы чиктә сайлап фототермик таркалуга яки абляциягә нигезләнә. Югары энергияле УВ лазер (гадәттә 248 нм да KrF яки 355 нм тирәсендәге каты халәтле УВ лазерлары) үтә күренмәле яки ярым үтә күренмәле донор материалы аша фокуслана, анда энергия алдан билгеләнгән тирәнлектә сайлап сеңдерелә.

Бу локальләштерелгән энергия сеңдерү чиктә югары басымлы газ фазасы яки җылылык киңәю катламы булдыра, бу исә өске пластина яки җайланма катламының коелма нигезеннән чиста деламинациясен башлый. Процесс импульс киңлеге, лазер агышы, сканерлау тизлеге һәм z күчәренең фокус тирәнлеге кебек параметрларны көйләү юлы белән нечкә көйләнә. Нәтиҗәдә, механик искерүсез төп коелмадан чиста аерылган ультра-нечкә кисәк барлыкка килә.

Бу лазер белән коелмаларны сирәкләү ысулы алмаз чыбык кисү яки механик эшкәртү белән бәйле борылыш югалтуларын һәм өслек зыянын булдырмый. Ул шулай ук кристаллның бөтенлеген саклый һәм агымдагы полировкалау таләпләрен киметә, бу исә ярымүткәргеч лазер белән күтәрү җиһазларын киләсе буын пластина җитештерү өчен уен кагыйдәләрен үзгәртүче коралга әйләндерә.

Ярымүткәргечле лазер белән күтәрү җиһазлары коелмаларны сирәкләндерүдә революция ясый 2

Ярымүткәргечле лазер күтәрү җиһазларының кулланылышы

Ярымүткәргечле лазер күтәрү җиһазлары төрле алдынгы материаллар һәм җайланма төрләре буенча коелмаларны сирәкләүдә киң кулланыла, шул исәптән:

Көч җайланмалары өчен GaN һәм GaAs комбайннарын сирәкләтү
Югары нәтиҗәле, түбән каршылыклы көч транзисторлары һәм диодлары өчен нечкә пластиналар булдыру мөмкинлеген бирә.

SiC субстратын рекультивацияләү һәм ламеллаларны аеру
Вертикаль җайланма структуралары һәм пластинаны кабат куллану өчен күп күләмле SiC субстратларыннан пластина масштабын күтәрергә мөмкинлек бирә.

LED пластина кисү
Калын сапфир комыяларыннан GaN катламнарын аерып алуны җиңеләйтә, ультра-нечкә LED субстратлар җитештерә.

Радиоелемтәләр һәм микродулкынлы җайланмалар җитештерү
5G һәм радар системаларында кирәкле ультра-нечкә югары электрон-мобильле транзистор (HEMT) структураларын хуплый.

Эпитаксиаль катлам күчерүе
Кабат куллану яки гетероструктураларга интеграцияләү өчен кристалл коелмалардан эпитаксиаль катламнарны төгәл аера.

Нечкә пленкалы кояш элементлары һәм фотоэлектриклар
Сыгылмалы яки югары нәтиҗәле кояш батареялары өчен юка абсорбер катламнарын аеру өчен кулланыла.

Бу өлкәләрнең һәрберсендә, Semiconductor Laser Lift-Off Equipment калынлыкның бердәмлеген, өслек сыйфатын һәм катламның бөтенлеген тиңдәшсез контрольдә тота.

Лазер нигезендәге коелманы сирәкләүнең өстенлекләре

Нуль-керф материал югалтуы
Традицион пластина кисү ысуллары белән чагыштырганда, лазер процессы материалны якынча 100% куллануга китерә.

Минималь стресс һәм варшиваялык
Контактсыз күтәрү механик тибрәнүне бетерә, пластина җәясен һәм микроярыклар барлыкка килүне киметә.

Өслек сыйфатын саклау
Күп очракларда, сирәкләгәннән соң, ялтырату яки пыялалау кирәк түгел, чөнки лазер белән алып ташлау өслекнең бөтенлеген саклый.

Югары җитештерүчәнлек һәм автоматизациягә әзерлек
Автоматик йөкләү/бушату белән бер сменага йөзләгән субстрат эшкәртергә сәләтле.

Берничә материалга җайлаша ала
GaN, SiC, сапфир, GaAs һәм яңа III-V материаллары белән туры килә.

Экологик яктан куркынычсызрак
Шлам нигезендәге сыекландыру процессларында кулланыла торган абразив матдәләр һәм каты химик матдәләр куллануны киметә.

Субстратны кабат куллану
Донор коелмаларын берничә күтәрү циклы өчен эшкәртергә мөмкин, бу материал чыгымнарын шактый киметә.

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары турында еш бирелә торган сораулар (FAQ)

1 нче сорау: Ярымүткәргечле лазер күтәрү җиһазы пластина кисәкләре өчен нинди калынлык диапазонына ирешә ала?
A1:Гадәти кисем калынлыгы, материалга һәм конфигурациягә карап, 10 мкм дан 100 мкм га кадәр була.

2 нче сорау: Бу җиһазны SiC кебек тонык материаллардан ясалган коелмаларны сирәкләтергә кулланып буламы?
A2:Әйе. Лазер дулкын озынлыгын көйләү һәм интерфейс инженериясен оптимальләштерү (мәсәлән, корбан итү катламнары) ярдәмендә, хәтта өлешчә тонык булмаган материалларны да эшкәртергә мөмкин.

3 нче сорау: Лазер белән күтәрү алдыннан донор субстраты ничек тигезләнә?
A3:Система субмикрон күрүгә нигезләнгән тигезләү модульләрен куллана, алар фидуциаль билгеләр һәм өслекнең чагылыш сканерлауларыннан кире элемтә белән тәэмин ителә.

4 нче сорау: Бер лазерны күтәрү операциясе өчен көтелгән цикл вакыты нинди?
A4:Вафлиның зурлыгына һәм калынлыгына карап, гадәти цикллар 2 дән 10 минутка кадәр дәвам итә.

5 нче сорау: Процесс чиста бүлмә мохитен таләп итәме?
A5:Югары төгәллекле операцияләр вакытында субстрат чисталыгын һәм җайланманың нәтиҗәлелеген саклап калу өчен, чиста бүлмәгә интеграцияләү мәҗбүри булмаса да, киңәш ителә.

Безнең турында

XKH махсус оптик пыяла һәм яңа кристалл материалларын югары технологияләр белән эшләү, җитештерү һәм сату белән шөгыльләнә. Безнең продуктлар оптик электроника, кулланучы электроникасы һәм хәрби хезмәтләр күрсәтә. Без сапфир оптик компонентлары, мобиль телефон линзалары каплагычлары, керамика, LT, кремний карбиды SIC, кварц һәм ярымүткәргеч кристалл пластиналары тәкъдим итәбез. Осталык һәм алдынгы җиһазлар белән без стандарт булмаган продуктларны эшкәртүдә алдынгы булып торабыз, югары технологияле оптоэлектрон материаллар җитештерүче алдынгы предприятие булырга омтылабыз.