Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары ингот нечкәлеген революцияли

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары ингот нечкә нечкә рәсемне революцияли

Кыска тасвирлау:

Ярымүткәргеч лазерны күтәрү җиһазлары - махсуслаштырылган сәнәгать чишелеше, лазер ярдәмендә күтәрелү техникасы ярдәмендә ярымүткәргеч инготларның төгәл һәм контактсыз нечкәлеге өчен эшләнгән. Бу алдынгы система хәзерге ярымүткәргеч вафинг процессларында төп роль уйный, аеруча югары җитештерүчән электроника, LED, RF җайланмалары өчен ультра нечкә ваферлар ясауда. Нечкә катламнарны күпчелек инготлардан яки донор субстратларыннан аерырга мөмкинлек биреп, ярымүткәргеч лазерлы Lift-Off җиһазлары механик кисү, тарту һәм химик эшкәртү адымнарын бетереп инготның нечкәлеген үзгәртә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Featuresзенчәлекләр

Диаграмма

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазларын продукт белән таныштыру

Ярымүткәргеч инготларның традицион нечкәлеге, мәсәлән, галлий нитрид (GaN), кремний карбид (SiC), һәм сапфир, еш кына хезмәтне күп таләп итә, исраф итә, микрокрекларга яки өслеккә зыян китерә. Киресенчә, ярымүткәргеч лазер Lift-Off җиһазлары җимергеч булмаган, төгәл альтернатива тәкъдим итә, бу җитештерүчәнлекне арттырганда материаль югалту һәм өслек стрессын киметә. Ул төрле кристалл һәм катнаш материалларга ярдәм итә һәм алгы яки урта ярымүткәргеч җитештерү линияләренә бербөтен итеп интеграцияләнергә мөмкин.

Конфигурацияләнә торган лазер дулкын озынлыклары, адаптив фокус системалары, вакуумга туры килә торган вафер чәкләре белән, бу җиһаз вертикаль җайланма структуралары яки гетероепитаксиаль катлам күчерү өчен ингот кисү, ламелла ясау, һәм ультра нечкә пленка отряды өчен бик яраклы.

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары параметры

Дулкын озынлыгы	IR / SHG / THG / FHG
Пульс киңлеге	Наносекунд, Пикосекунд, Фемтосекунд
Оптик система	Тикшерелгән оптик система яки Гальвано-оптик система
XY этап	500 мм × 500 мм
Эшкәртү диапазоны	160 мм
Хәрәкәт тизлеге	Макс 1000 мм / сек
Кабатлану	± 1 мм яки аннан да азрак
Абсолют позиция төгәллеге:	± 5 мм яки аннан да азрак
Вафер размеры	2-6 дюйм яки көйләнгән
Контроль	Windows 10,11 һәм PLC
Электр белән тәэмин итү көчәнеше	AC 200 V ± 20 V, бер фазалы, 50/60 кГц
Тышкы үлчәмнәр	2400 мм (Вт) × 1700 мм (D) × 2000 мм (H)
Авырлык	1000 кг

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазларының эш принцибы

Ярымүткәргеч лазерны күтәрү җиһазының төп механизмы донор инготы белән эпитаксиаль яки максатлы катлам арасындагы интерфейста сайлап алынган фототермаль бүленешкә яки абляциягә таяна. Energyгары энергияле UV лазеры (гадәттә KrF 248 нм яки каты торышлы UV лазерлары 355 нм тирәсе) ачык яки ярым үтә күренмәле донор материалы аша тупланган, анда энергия алдан билгеләнгән тирәнлектә үзләштерелә.

Бу локальләштерелгән энергия үзләштерү интерфейста югары басымлы газ фазасын яки җылылык киңәйтү катламын барлыкка китерә, ул ингот базасыннан өске вафин яки җайланма катламының чиста деламинациясен башлый. Процесс импульсның киңлеге, лазерның иркенлеге, сканерлау тизлеге һәм z-күчәренең фокаль тирәнлеге кебек параметрларны көйләп яхшы көйләнгән. Нәтиҗә - ультра-нечкә кисәк - еш 10-50 мм диапазонда - механик абразиясез ата-ана инготыннан чиста аерылган.

Инготны нечкәртү өчен лазерны күтәрүнең бу ысулы керф югалтудан һәм бриллиант чыбык белән кисү яки механик бәрелү белән бәйле. Ул шулай ук кристалл бөтенлеген саклый һәм түбән агымдагы полировка таләпләрен киметә, ярымүткәргеч лазер Lift-Off җиһазларын киләсе буын ваферы җитештерү өчен уен үзгәртү коралы итә.

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары ингот нечкәлеген революцияли 2

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары кушымталары

Ярымүткәргеч лазерны күтәрү җиһазлары алдынгы материаллар һәм җайланмалар төрләре буенча инготны нечкәләүдә киң кулланыла, шул исәптән:

GaN һәм GaAs Электр җайланмалары өчен нечкәлек
Efficiencyгары эффективлык, түбән каршылыклы көч транзисторлары һәм диодлар өчен нечкә вафер ясарга мөмкинлек бирә.

SiC субстрат мелиорациясе һәм Ламелла аеру
Вертикаль җайланма структуралары һәм ваферны кабат куллану өчен күпчелек SiC субстратларыннан вафер масштаблы күтәрелергә мөмкинлек бирә.

LED вафер кисү
Ультра-нечкә LED субстратлары чыгару өчен, калын сапфир инготлардан GaN катламнарын күтәрүне җиңеләйтә.

RF һәм микродулкынлы җайланма җитештерү
5G һәм радар системаларында кирәк булган ультра-нечкә югары электрон-хәрәкәтле транзистор (HEMT) структураларын хуплый.

Эпитаксиаль катламны күчерү
Эпитаксиаль катламнарны гетероструктураларга кабат куллану яки интеграцияләү өчен кристалл инготлардан аера.

Нечкә кино кояш күзәнәкләре һәм фотоволтаика
Эластик яки югары эффектив кояш күзәнәкләре өчен нечкә сеңдергеч катламнарны аеру өчен кулланыла.

Бу доменнарның һәрберсендә ярымүткәргеч лазер Lift-Off җиһазлары калынлыкның бердәмлеге, өслек сыйфаты, катлам бөтенлеге белән чагыштыргысыз контроль тәэмин итә.

Лазерлы ингот нечкәлегенең өстенлекләре

Нуль-Керф материалы югалту
Традицион вафер кисү ысуллары белән чагыштырганда, лазер процессы якынча 100% материал куллануга китерә.

Минималь стресс
Контактсыз күтәрү механик тибрәнүне бетерә, вафат җәя һәм микрокрек формалашуны киметә.

Faceир өслегенең сыйфатын саклау
Күп очракларда нечкәлектән соң ябыштыру яки бизәү кирәк түгел, чөнки лазер күтәрү өслекнең бөтенлеген саклый.

Thrгары үткәрү һәм автоматизация әзер
Автоматлаштырылган йөкләү / бушату белән сменага йөзләгән субстрат эшкәртә ала.

Күп материалларга яраклаштырылган
GaN, SiC, сапфир, GaAs һәм барлыкка килүче III-V материаллары белән туры килә.

Экологик яктан куркынычсыз
Абразив һәм каты химик матдәләрне куллануны киметә.

Субстрат куллану
Донор керемнәре күп күтәрелү цикллары өчен эшкәртелә ала, материаль чыгымнарны сизелерлек киметә.

Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазларының еш бирелә торган сораулары

1-нче сорау: Ярымүткәргеч лазер күтәрү җиһазлары нинди калынлык диапазоны вафер кисәкләренә ирешә ала?
А1:Типик кисәкнең калынлыгы материалга һәм конфигурациягә карап 10 ммнан 100 ммга кадәр.

2 нче сорау: Бу җиһаз SiC кебек ачык булмаган материаллардан ясалган нечкә инготларга кулланыла аламы?
А2:Әйе. Лазер дулкын озынлыгын көйләп һәм интерфейс инженериясен оптимальләштереп (мәсәлән, корбан чатучылар), хәтта өлешчә ачык булмаган материаллар эшкәртелергә мөмкин.

3 нче сорау: Лазер күтәрелгәнче донор субстраты ничек тигезләнгән?
А3:Система суб-микрон күренешкә нигезләнгән тигезләү модульләрен куллана, фидуций билгеләрдән һәм өслекне чагылдыру сканерларыннан.

4-нче сорау: Бер лазер күтәрү өчен көтелгән цикл вакыты нинди?
А4:Вафин зурлыгына һәм калынлыгына карап, типик цикллар 2-10 минут дәвам итә.

С 5: Бу процесс чиста бүлмә мохитен таләп итәме?
А5:Мәҗбүри булмаса да, чиста бүлмә интеграциясе субстрат чисталыкны һәм югары төгәл операцияләр вакытында җайланманың уңышын сакларга киңәш ителә.

Безнең турында

XKH югары технологияле үсештә, махсус оптик пыяла һәм яңа кристалл материаллар җитештерүдә, сатуда махсуслаша. Безнең продукт оптик электроника, кулланучылар электроникасы һәм армиягә хезмәт күрсәтә. Без Сапфир оптик компонентларын, кәрәзле телефон линзаларын, керамика, LT, Кремний Карбид СИС, Кварц һәм ярымүткәргеч кристалл ваферларын тәкъдим итәбез. Оста тәҗрибә һәм заманча җиһазлар белән без югары продуктлы оптоэлектрон материаллар булырга омтылып, стандарт булмаган продукт эшкәртүдә өстенлек итәбез.