Вафли ташу өчен SiC керамик оч эффекторы кулы

Вафли ташу өчен SiC керамик оч эффекторы кул тотучы кул. Күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

LiNbO₃ пластиналары интегральләштерелгән фотоника һәм төгәл акустикада алтын стандарт булып тора, заманча оптоэлектрон системаларда тиңдәшсез эш күрсәткечләрен тәэмин итә. Алдынгы җитештерүче буларак, без бу инженерлык субстратларын алдынгы пар транспорты тигезләү ысуллары ярдәмендә җитештерү сәнгатен камилләштердек, 50/см² тан кимрәк тыгызлыктагы кристалл камиллегенә ирештек.

XKH җитештерү мөмкинлекләре диаметрлары 75 мм дан 150 мм га кадәр, төгәл ориентация контроле (X/Y/Z кисү ±0,3°) һәм сирәк җир элементларын да кертеп, махсус легирлау вариантлары белән тәэмин ителә. LiNbO₃ пластиналарындагы үзенчәлекләрнең уникаль комбинациясе - шул исәптән аларның гаҗәеп r₃₃ коэффициенты (32±2 pm/V) һәм якын ультрафиолеттан урта ИК га кадәр киң үтә күренмәлелек - аларны киләсе буын фотоник схемалар һәм югары ешлыклы акустик җайланмалар өчен алыштыргысыз итә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

SiC керамик эффектор аннотациясе

SiC (Кремний карбиды) керамик эффекторы ярымүткәргечләр җитештерүдә һәм алдынгы микроҗитештерү мохитендә кулланыла торган югары төгәллекле пластиналар белән эшләү системаларында мөһим компонент булып тора. Ультра чиста, югары температуралы һәм бик тотрыклы мохитнең таләпчән таләпләренә туры китереп эшләнгән бу махсуслаштырылган эффектор литография, гравюра ясау һәм утырту кебек төп җитештерү этапларында пластиналарны ышанычлы һәм пычранмыйча ташуны тәэмин итә.

Кремний карбидының югары җылылык үткәрүчәнлеге, экстремаль катылык, искиткеч химик инерция һәм минималь җылылык киңәюе кебек югары материал үзенчәлекләрен кулланып, SiC керамик эффекторы тиз җылылык циклы яки коррозия процессы камераларында да тиңдәшсез механик катылык һәм үлчәм тотрыклылыгы тәкъдим итә. Аның түбән кисәкчәләр барлыкка килүе һәм плазмага каршы торучанлык үзенчәлекләре аны чиста бүлмә һәм вакуум эшкәртү кушымталары өчен аеруча яраклы итә, анда пластина өслегенең бөтенлеген саклау һәм кисәкчәләр пычрануын киметү иң мөһиме.

SiC керамик оч эффекторын куллану

1. Ярымүткәргечле пластиналар белән эш итү

SiC керамик оч эффекторлары ярымүткәргечләр сәнәгатендә автоматлаштырылган җитештерү вакытында кремний пластиналарын эшкәртү өчен киң кулланыла. Бу оч эффекторлары гадәттә робот кулларына яки вакуум күчерү системаларына урнаштырыла һәм 200 мм һәм 300 мм кебек төрле зурлыктагы пластиналарны урнаштыру өчен эшләнгән. Алар югары температуралар, вакуум шартлары һәм коррозияле газлар еш очрый торган химик пар утырту (CVD), физик пар утырту (PVD), гравюра ясау һәм диффузия кебек процессларда бик мөһим. SiC-ның гаҗәеп җылылыкка чыдамлыгы һәм химик тотрыклылыгы аны мондый каты мохиткә таркалмыйча чыдам итү өчен идеаль материал итә.

2. Чиста бүлмә һәм вакуум белән туры килүчәнлек

Чиста бүлмәләрдә һәм вакуум шартларында, кисәкчәләрнең пычрануын минимальләштерергә кирәк булганда, SiC керамикасы зур өстенлекләр бирә. Материалның тыгыз, тигез өслеге кисәкчәләр барлыкка килүенә каршы тора, бу транспорт вакытында пластинаның бөтенлеген сакларга ярдәм итә. Бу SiC ахыргы эффекторларын, бигрәк тә, чисталык бик мөһим булган Экстремаль Ультрафиолет Литографиясе (EUV) һәм Атом Катламын Чүпләү (ALD) кебек мөһим процесслар өчен бик яхшы куллана. Моннан тыш, SiCның аз газ чыгаруы һәм югары плазмага каршы торуы вакуум камераларында ышанычлы эшләүне тәэмин итә, коралларның гомерен озайта һәм хезмәт күрсәтү ешлыгын киметә.

3. Югары төгәллекле позицияләү системалары

Пластиналар белән эшләүнең алдынгы системаларында, бигрәк тә метрология, тикшерү һәм тигезләү җиһазларында, төгәллек һәм тотрыклылык бик мөһим. SiC керамикасы бик түбән җылылык киңәю коэффициентына һәм югары катылыкка ия, бу исә эффекторга хәтта җылылык циклы яки механик йөкләнеш астында да үзенең структураль төгәллеген сакларга мөмкинлек бирә. Бу пластиналарның транспорт вакытында төгәл тигезләнүен тәэмин итә, микро тырналу, тигезләү яки үлчәү хаталары куркынычын минимальләштерә - бу факторлар 5 нм дан түбәнрәк процесс төеннәрендә барган саен мөһимрәк.

SiC керамик эффектор үзенчәлекләре

1. Югары механик ныклык һәм катылык

SiC керамикасы гаҗәеп механик ныклыкка ия, аларның бөгелүгә ныклыгы еш кына 400 МПа дан артып китә, ә Виккерс катылыгы күрсәткечләре 2000 HV дан югарырак. Бу аларны озак вакыт кулланылганнан соң да механик көчәнешкә, бәрелүгә һәм тузуга бик чыдам итә. SiC ның югары катылыгы шулай ук югары тизлекле пластина күчерүләре вакытында тайпылуны минимальләштерә, төгәл һәм кабатланырлык позицияләүне тәэмин итә.

2. Бик яхшы җылылык тотрыклылыгы

SiC керамикасының иң кыйммәтле үзлекләренең берсе - аларның механик бөтенлеген югалтмыйча, бик югары температураларга - еш кына инерт атмосферада 1600°C кадәр - түзә алу сәләте. Аларның түбән җылылык киңәю коэффициенты (~4.0 x 10⁻⁶ /K) җылылык циклы вакытында үлчәм тотрыклылыгын тәэмин итә, бу аларны CVD, PVD һәм югары температуралы җылыту кебек кушымталар өчен идеаль итә.

SiC керамик эффекторы турында сораулар һәм җаваплар

С: Вафли эффекторында нинди материал кулланыла?

A：Пластиналы эффекторлар гадәттә югары ныклык, җылылык тотрыклылыгы һәм кисәкчәләрнең аз барлыкка килүен тәэмин итүче материаллардан ясала. Шулар арасында кремний карбиды (SiC) керамикасы иң алдынгы һәм өстенлекле материалларның берсе. SiC керамикасы бик каты, җылылык тотрыклы, химик яктан инерт һәм тузуга чыдам, шуңа күрә алар чиста бүлмәләрдә һәм вакуум мохитендә нечкә кремний пластиналары белән эш итү өчен идеаль. Кварц яки капланган металлар белән чагыштырганда, SiC югары температураларда югары үлчәмле тотрыклылык бирә һәм кисәкчәләрне чыгармый, бу пычрануны булдырмаска ярдәм итә.