SiC керамик ахыр эффектор вафер йөртү өчен кул
SiC керамик ахыр эффектор Абстракт
SiC (Кремний Карбид) керамик ахыр эффектор ярымүткәргеч җитештерүдә һәм алдынгы микрофабрика шартларында кулланылган югары төгәл вафер эшкәртү системасында критик компонент. Ультра-чиста, югары температуралы һәм бик тотрыклы мохит таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән, бу махсуслаштырылган эффектор литография, эфир һәм чүпләү кебек төп җитештерү адымнары вакытында ваферларның ышанычлы һәм пычранмыйча ташылуын тәэмин итә.
Кремний карбидының югары материаль үзлекләрен куллану, мәсәлән, югары җылылык үткәрүчәнлеге, чиктән тыш каты, химик инерция, һәм минималь җылылык киңәюе - SiC керамик ахыр эффекторы тиз җылылык велосипедында яки коррозив процесс палаталарында тиңсез механик катгыйлык һәм үлчәм тотрыклылыгы тәкъдим итә. Аның түбән кисәкчәләр барлыкка килүе һәм плазмага каршы тору үзенчәлекләре аны чистарту бүлмәсе һәм вакуум эшкәртү кушымталары өчен аеруча яраклаштыра, монда вафин өслегенең бөтенлеген саклау һәм кисәкчәләрнең пычрануын киметү иң мөһиме.
SiC керамик ахыр эффектор кушымтасы
1. Ярымүткәргеч вафер эшкәртү
SiC керамик ахыр эффекторлары ярымүткәргеч индустриясендә автоматлаштырылган җитештерү вакытында кремний вафаларын эшкәртү өчен киң кулланыла. Бу ахыр эффекторлар гадәттә робот кулларына яки вакуум тапшыру системаларына куелган һәм 200 мм һәм 300 мм кебек төрле зурлыктагы ваферларны урнаштыру өчен эшләнгән. Алар химик пар парламенты (CVD), физик пар парламенты (ПВД), эфирлау һәм диффузия кебек процессларда бик мөһим - югары температура, вакуум шартлары, коррозив газлар еш очрый. SiC-ның гадәттән тыш җылылык каршылыгы һәм химик тотрыклылыгы аны мондый кырыс мохиткә деградациясез каршы торыр өчен идеаль материал итә.
2. Чистарту бүлмәсе һәм вакуумга туры килү
Чистарту бүлмәсендә һәм вакуум шартларында, кисәкчәләр пычрануны киметергә кирәк, SiC керамикасы зур өстенлекләр тәкъдим итә. Материалның тыгыз, шома өслеге кисәкчәләр барлыкка килүгә каршы тора, транспорт вакытында вафер бөтенлеген сакларга булыша. Бу SiC ахыр эффекторларын экстремаль ультрафиолет литографиясе (EUV) һәм атом катламы (ALD) кебек критик процесслар өчен аеруча яраклы итә, анда чисталык бик мөһим. Моннан тыш, SiC-ның түбән чыгу һәм югары плазмага каршы торуы вакуум камераларында ышанычлы эшне тәэмин итә, коралларның гомер озынлыгын озайта һәм хезмәт ешлыгын киметә.
3. Highгары төгәл позицияләү системалары
Төгәллек һәм тотрыклылык вафин эшкәртү системаларында аеруча метрология, инспекция һәм тигезләү җиһазларында бик мөһим. SiC керамикасы җылылык киңәю һәм югары катгыйлык коэффициентына ия, бу соңгы эффекторга структур төгәллеген җылылык велосипедында яки механик йөк астында сакларга мөмкинлек бирә. Бу ваферларның транспорт вакытында төгәл тигезләнүен тәэмин итә, микро-сызу, тигезләмә яки үлчәү хаталары куркынычын киметә - 5нм суб-процесс төеннәрендә көннән-көн критик булган факторлар.
SiC керамик ахыр эффекторы Сыйфатлар
1. Highгары механик көч һәм катылык
SiC керамикасы гаҗәеп механик көчкә ия, флексур көче еш 400 MPa һәм Викерс катылыгы 2000 HV-тан югары. Бу аларны механик стресска, тәэсиргә, киемгә бик нык каршы тора, хәтта озак эшләгәннән соң. SiC-ның югары катгыйлыгы шулай ук югары тизлекле вафер трансфертлары вакытында дефлекцияне киметә, төгәл һәм кабатланучы позицияне тәэмин итә.
2. Искиткеч җылылык тотрыклылыгы
SiC керамикасының иң кыйммәтле сыйфатларының берсе - механик бөтенлекне югалтмыйча, бик югары температурага - еш кына 1600 ° C ка кадәр инерт атмосферада каршы тора белү. Аларның җылылык киңәюенең түбән коэффициенты (~ 4.0 x 10⁻⁶ / K) җылылык велосипедында үлчәмле тотрыклылыкны тәэмин итә, аларны CVD, PVD һәм югары температуралы аннальинг кебек кушымталар өчен идеаль итә.
SiC керамик ахыр эффектор Сораулар
С waf Вафер эффекторында нинди материал кулланыла?
A ：Вафер ахыр эффекторлары гадәттә югары көч, җылылык тотрыклылыгы һәм түбән кисәкчәләр җитештерүне тәкъдим итүче материаллардан ясала. Шулар арасында Кремний Карбид (SiC) керамикасы иң алдынгы һәм өстенлекле материалларның берсе. SiC керамикасы бик каты, термик тотрыклы, химик инерт, һәм киемгә чыдам, чиста бүлмәдә һәм вакуум шартларында нечкә кремний вафаларын эшкәртү өчен идеаль итә. Кварц яки капланган металл белән чагыштырганда, SiC югары температурада югары үлчәмле тотрыклылык тәкъдим итә һәм пычрануны булдырмаска ярдәм итүче кисәкчәләр түкми.
