SiC керамик подшипник графиты җиһаз өчен CVD SiC каплавы белән

Кремний карбид керамикасы эпитакси яки MOCVD кебек нечкә пленка чүпләү стадиясендә генә кулланылмый, яки вафер эшкәртүдә, MOCVD өчен вафер ташучы подшипниклар башта чүпләү мохитенә дучар була, шуңа күрә бик нык каршы торалар. heatылылык һәм коррозия. SiC белән капланган ташучылар шулай ук ​​югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм искиткеч җылылык тарату үзенчәлекләренә ия.

Чиста химик пар парламенты кремний карбид (CVD SiC) югары температуралы металл органик химик пар парламенты (MOCVD) эшкәртү өчен вафер йөртүчеләр.

Чиста CVD SiC вафер йөртүчеләре бу процесста кулланылган гадәти вафер ташучылардан шактый өстен, алар графит һәм CVD SiC катламы белән капланган. бу капланган графит нигезендәге ташучылар югары температурага (1100 - 1200 градус) каршы тора алмыйлар, бүгенге югары яктылык зәңгәр һәм ак корычны GaN чүпләү өчен кирәк. Highгары температура каплауның кечкенә тишекләр барлыкка килүенә китерә, алар аша химик матдәләр графитны эретәләр. Аннары графит кисәкчәләре очып, GaNны пычраталар, капланган вафер йөртүченең алышынуына китерәләр.

CVD SiC чисталыгы 99,999% яки аннан да күбрәк, һәм җылылык үткәрүчәнлеге һәм җылылык шокына каршы торуы бар. Шуңа күрә ул югары температураларга һәм югары яктылыклы LED җитештерүнең кырыс мохитенә каршы тора ала. Бу теоретик тыгызлыкка җиткән, минималь кисәкчәләр чыгаручы һәм бик югары коррозиягә һәм эрозиягә каршы торучы каты монолит материал. Материал металл пычраклар кертмичә караңгылыкны һәм үткәрүчәнлекне үзгәртә ала. Вафер йөртүчеләр гадәттә диаметры 17 дюйм, 40 2-4 дюймлы вафер тоталар.