Җиһазлар өчен CVD SiC каплавы белән SiC керамик табак графиты

Кремний карбиды керамикасы эпитакси яки MOCVD кебек юка пленка урнаштыру этабында, яки пластина эшкәртүдә генә кулланылмый, аның үзәгендә MOCVD өчен пластина ташучы табаклар башта урнаштыру мохитенә дучар ителә, шуңа күрә җылылыкка һәм коррозиягә бик чыдам. SiC белән капланган ташучылар шулай ук ​​югары җылы үткәрүчәнлеккә һәм җылылык бүленешенең искиткеч үзлекләренә ия.

Югары температуралы металл-органик химик пар утырту (MOCVD) эшкәртү өчен саф химик пар утырту кремний карбиды (CVD SiC) пластина ташучылары.

Саф CVD SiC пластина ташучылары бу процесста кулланыла торган гадәти пластина ташучыларыннан күпкә өстенрәк, алар графиттан һәм CVD SiC катламы белән капланган. Бу капланган графит нигезендәге ташучылар бүгенге югары яктылыклы зәңгәр һәм ак светодиодларның GaN утырту өчен кирәкле югары температураларга (1100 - 1200 градус Цельсий) түзә алмый. Югары температуралар каплауда кечкенә тишекләр барлыкка китерә, алар аша процесс химик матдәләре астагы графитты җимерә. Аннары графит кисәкчәләре кабырчыкланып, GaNны пычрата, бу капланган пластина ташучысын алыштырырга мәҗбүр итә.

CVD SiC 99,999% яки аннан да күбрәк сафлыкка ия ​​һәм югары җылылык үткәрүчәнлегенә һәм җылылык бәрелүләренә чыдам. Шуңа күрә ул югары яктылыклы LED җитештерүнең югары температурасына һәм каты мохитенә түзә ала. Бу теоретик тыгызлыкка ирешә, минималь кисәкчәләр чыгара һәм бик югары коррозиягә һәм эрозиягә чыдамлык күрсәтә торган нык монолит материал. Материал металл катнашмаларын кертмичә тоныклыкны һәм үткәрүчәнлекне үзгәртә ала. Пластиналар йөртүчеләр гадәттә диаметры 17 дюйм һәм 40 2-4 дюймлы пластиналарны сыйдыра ала.