English

Электр җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль вафер - 4H-SiC, N тибындагы, түбән җитешсезлек тыгызлыгы

Энергия җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль вафер - 4H-SiC, N тибындагы, түбән җитешсезлек тыгызлыгы үзенчәлекле рәсем
  • Электр җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль вафер - 4H-SiC, N тибындагы, түбән җитешсезлек тыгызлыгы
  • Электр җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль вафер - 4H-SiC, N тибындагы, түбән җитешсезлек тыгызлыгы
  • Электр җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль вафер - 4H-SiC, N тибындагы, түбән җитешсезлек тыгызлыгы

Кыска тасвирлау:

SiC Epitaxial Wafer заманча югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмаларның үзәгендә тора, аеруча югары көчле, югары ешлыклы һәм югары температуралы операцияләр өчен эшләнгән. Кремний Карбид Эпитаксиаль Вафер өчен кыска, SiC Эпитаксиаль Вафер югары сыйфатлы, нечкә SiC эпитаксиаль катламнан тора, күпчелек SiC субстратында үскән. SiC Epitaxial Wafer технологиясен куллану электр машиналарында, акыллы челтәрләрдә, яңартыла торган энергия системаларында һәм аэрокосмоста гадәти кремний нигезендәге ваферлар белән чагыштырганда өстен физик һәм электрон үзенчәлекләре аркасында тиз арта.


Featuresзенчәлекләр

Диаграмма

SiC Epitaxial Wafer-4
SiC Epitaxial Wafer-6 - 副本

Кереш сүз

SiC Epitaxial Wafer заманча югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмаларның үзәгендә тора, аеруча югары көчле, югары ешлыклы һәм югары температуралы операцияләр өчен эшләнгән. Кремний Карбид Эпитаксиаль Вафер өчен кыска, SiC Эпитаксиаль Вафер югары сыйфатлы, нечкә SiC эпитаксиаль катламнан тора, күпчелек SiC субстратында үскән. SiC Epitaxial Wafer технологиясен куллану электр машиналарында, акыллы челтәрләрдә, яңартыла торган энергия системаларында һәм аэрокосмоста гадәти кремний нигезендәге ваферлар белән чагыштырганда өстен физик һәм электрон үзенчәлекләре аркасында тиз арта.

SiC эпитаксиаль ваферның җитештерү принциплары

SiC эпитаксиаль вафер ясау бик югары контрольдә тотылган химик пар парламенты (CVD) процессын таләп итә. Эпитаксиаль катлам гадәттә монокристалл SiC субстратында силан (SiH₄), пропан (C₃H₈), водород (H₂) кебек газларны 1500 ° C тан артык температурада үстерәләр. Бу югары температуралы эпитаксиаль үсеш кристаллның тигезләнүен һәм эпитаксиаль катлам белән субстрат арасындагы минималь кимчелекләрне тәэмин итә.

Бу процесс берничә төп этапны үз эченә ала:

  1. Субстрат әзерләү: SiC вафины чистартыла һәм атом тигезлегенә бизәлгән.

  2. CVD үсеше: Purгары чисталыклы реакторда газлар субстратка бер кристалл SiC катламын урнаштыру өчен реакция ясыйлар.

  3. Допинг контроле: Н-тип яки P тибындагы допинг эпитакси вакытында кирәкле электр үзлекләренә ирешү өчен кертелә.

  4. Инспекция һәм метрология: Оптик микроскопия, AFM һәм рентген дифракция катлам калынлыгын, допинг концентрациясен һәм җитешсезлек тыгызлыгын тикшерү өчен кулланыла.

Eachәрбер SiC эпитаксиаль вафер калынлык бердәмлегендә, өслекнең яссылыгында, каршылыгында нык толерантлыкны саклап калу өчен җентекләп күзәтелә. Бу параметрларны яхшы көйләү сәләте югары көчәнешле MOSFETлар, Шоттки диодлары һәм башка электр җайланмалары өчен бик кирәк.

Спецификация

Параметр Спецификация
Төркемнәр Фән материаллары, бер кристалл субстратлар
Политип 4H
Допинг N тибы
Диаметр 101 мм
Диаметр толерантлыгы ± 5%
Калынлык 0,35 мм
Калынлык толерантлыгы ± 5%
Беренчел фатир озынлыгы 22 мм (± 10%)
TTV (Калынлыкның гомуми үзгәреше) ≤10 µm
Сугыш ≤25 µm
FWHM Arc30 Арка-сек
Faceир өсте Rq ≤0.35 nm

SiC Epitaxial Wafer кушымталары

SiC Epitaxial Wafer продуктлары берничә тармакта алыштыргысыз:

  • Электр машиналары (ЕВ): SiC Epitaxial Wafer нигезендәге җайланмалар электр энергиясе эффективлыгын арттыралар һәм авырлыкны киметәләр.

  • Яңартыла торган энергия: Кояш һәм җил энергиясе системалары өчен инвертерларда кулланыла.

  • Сәнәгать энергиясе белән тәэмин итү: Түбән югалтулар белән югары ешлыклы, югары температуралы күчү мөмкинлеген бирегез.

  • Аэрокосмос һәм Оборона: Ярымүткәргечләр таләп итә торган катлаулы мохит өчен идеаль.

  • 5G база станцияләре: SiC Epitaxial Wafer компонентлары RF кушымталары өчен югары көч тыгызлыгын тәэмин итә.

SiC Epitaxial Wafer компакт конструкцияләрне, тизрәк күчү һәм кремний вафалары белән чагыштырганда энергияне әйләндерүнең эффективлыгын тәэмин итә.

SiC эпитаксиаль ваферның өстенлекләре

SiC Epitaxial Wafer технологиясе зур өстенлекләр тәкъдим итә:

  1. Breakгары өзелү көчәнеше: Si ваферларына караганда 10 тапкырга югарырак көчәнешләргә каршы тора.

  2. Rылылык үткәрүчәнлеге: SiC Epitaxial Wafer җылылыкны тизрәк тарата, җайланмалар салкынрак һәм ышанычлырак эшләргә мөмкинлек бирә.

  3. Highгары күчү тизлеге: Түбән күчү югалтулары югары эффективлык һәм миниатюризация мөмкинлеген бирә.

  4. Киң бандгап: Higherгары көчәнешләрдә һәм температурада тотрыклылыкны тәэмин итә.

  5. Материаль ныклык: SiC химик яктан инерт һәм механик яктан көчле, кушымталар таләп итү өчен идеаль.

Бу өстенлекләр SiC Epitaxial Wafer-ны киләсе буын ярымүткәргечләр өчен сайлау материалы итә.

Сораулар: SiC эпитаксиаль вафер

1 нче сорау: SiC ваферы белән SiC эпитаксиаль вафер арасында нинди аерма бар?
SiC ваферы күпчелек субстратны аңлата, ә SiC Epitaxial Wafer җайланма ясауда кулланылган махсус үскән допед катламын үз эченә ала.

2 нче сорау: SiC Epitaxial Wafer катламнары өчен нинди калынлыклар бар?
Эпитаксиаль катламнар, гадәттә, берничә микрометрдан 100 ммга кадәр, куллану таләпләренә карап.

3 нче сорау: SiC Epitaxial Wafer югары температуралы мохит өчен яраклымы?
Әйе, SiC Epitaxial Wafer 600 ° C-тан югары шартларда эшли ала, кремнийдан зуррак.

4-нче сорау: Ни өчен SiC Epitaxial Waferда җитешсезлек тыгызлыгы мөһим?
Түбән җитешсезлек тыгызлыгы җайланманың эшләвен һәм уңышын яхшырта, аеруча югары көчәнешле кушымталар өчен.

5 нче сорау: N тибындагы һәм P тибындагы SiC эпитаксиаль ваферлар икесе дә бармы?
Әйе, ике төр дә эпитаксиаль процесс вакытында төгәл допант газ контроле ярдәмендә җитештерелә.

6-нчы сорау: SiC Epitaxial Wafer өчен нинди вафер зурлыклары стандарт?
Стандарт диаметрларга 2 дюйм, 4 дюйм, 6 дюйм, һәм зур күләмле җитештерү өчен 8 дюйм керә.

7 нче сорау: SiC Epitaxial Wafer бәягә һәм эффективлыкка ничек тәэсир итә?
Башта кремнийга караганда кыйммәтрәк булса да, SiC Epitaxial Wafer система күләмен һәм энергия югалтуын киметә, озак вакытка бәянең нәтиҗәлелеген күтәрә.

  • Алдагы:
  • Киләсе:

    • Бәйләнешле продуктлар

    Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез
    Эзләү өчен керү яки ESC ябу өчен басыгыз