English

Көч җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль пластинасы – 4H-SiC, N-типтагы, түбән дефект тыгызлыгы

Көч җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль пластинасы – 4H-SiC, N-типтагы, түбән дефект тыгызлыгы. Күрсәтелгән рәсем.
  • Көч җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль пластинасы – 4H-SiC, N-типтагы, түбән дефект тыгызлыгы
  • Көч җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль пластинасы – 4H-SiC, N-типтагы, түбән дефект тыгызлыгы
  • Көч җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль пластинасы – 4H-SiC, N-типтагы, түбән дефект тыгызлыгы

Кыскача тасвирлама:

SiC эпитаксиаль пластинасы заманча югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмаларның, бигрәк тә югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы операцияләр өчен эшләнгән җайланмаларның нигезендә тора. Кремний карбиды эпитаксиаль пластинасының кыскартылуы, SiC эпитаксиаль пластинасы югары сыйфатлы, юка SiC эпитаксиаль катламыннан тора, ул күләмле SiC субстраты өстендә үстерелә. SiC эпитаксиаль пластина технологиясен куллану электр транспорт чараларында, акыллы челтәрләрдә, яңартыла торган энергия системаларында һәм аэрокосмик тармакта тиз киңәя, чөнки ул гадәти кремний нигезендәге пластиналар белән чагыштырганда югары физик һәм электрон үзлекләргә ия.


Үзенчәлекләр

җентекле схема

SiC Эпитаксиаль Вафли-4
SiC Epitaxial Wafer-6 - 副本

Кереш сүз

SiC эпитаксиаль пластинасы заманча югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмаларның, бигрәк тә югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы операцияләр өчен эшләнгән җайланмаларның нигезендә тора. Кремний карбиды эпитаксиаль пластинасының кыскартылуы, SiC эпитаксиаль пластинасы югары сыйфатлы, юка SiC эпитаксиаль катламыннан тора, ул күләмле SiC субстраты өстендә үстерелә. SiC эпитаксиаль пластина технологиясен куллану электр транспорт чараларында, акыллы челтәрләрдә, яңартыла торган энергия системаларында һәм аэрокосмик тармакта тиз киңәя, чөнки ул гадәти кремний нигезендәге пластиналар белән чагыштырганда югары физик һәм электрон үзлекләргә ия.

SiC эпитаксиаль пластинасын ясау принциплары

SiC эпитаксиаль пластинасын булдыру өчен югары дәрәҗәдә контрольдә тотылган химик пар чыгару (CVD) процессы кирәк. Эпитаксиаль катлам гадәттә монокристалл SiC субстратында силан (SiH₄), пропан (C₃H₈) һәм водород (H₂) кебек газлар кулланып, 1500°C тан югарырак температурада үстерелә. Бу югары температуралы эпитаксиаль үсеш кристаллларның бик яхшы тигезләнешен һәм эпитаксиаль катлам белән субстрат арасында минималь кимчелекләрне тәэмин итә.

Процесс берничә төп этапны үз эченә ала:

  1. Субстрат әзерләүНигездәге SiC пластинасы чистартыла һәм атом шомалыгына кадәр ялтыратыла.

  2. Йөрәк-кан тамырлары үсешеЮгары чисталыклы реакторда газлар субстратта монокристалл SiC катламын урнаштыру өчен реакциягә керәләр.

  3. Допинг контролеТеләгән электр үзлекләренә ирешү өчен эпитаксия вакытында N-тип яки P-тип легирлау кертелә.

  4. Инспекция һәм метрологияОптик микроскопия, AFM һәм рентген дифракциясе катлам калынлыгын, легирлау концентрациясен һәм кимчелек тыгызлыгын тикшерү өчен кулланыла.

Һәр SiC эпитаксиаль пластинасы калынлыкның бердәмлегендә, өслекнең тигезлегендә һәм каршылыгында ныклы түземлелекне саклап калу өчен игътибар белән күзәтелә. Бу параметрларны төгәл көйләү мөмкинлеге югары вольтлы MOSFETлар, Шоттки диодлары һәм башка көч җайланмалары өчен бик мөһим.

Спецификация

Параметр Спецификация
Категорияләр Материаллар фәне, Монокристалл субстратлар
Политип 4H
Допинг N төре
Диаметр 101 мм
Диаметрга чыдамлылык ± 5%
Калынлыгы 0,35 мм
Калынлыкка чыдамлылык ± 5%
Башлангыч яссы озынлык 22 мм (± 10%)
TTV (Тулы калынлык үзгәрүе) ≤10 мкм
Варп ≤25 мкм
FWHM ≤30 Дуга-сек
Өслек бизәлеше Rq ≤0.35 нм

SiC эпитаксиаль пластинасын куллану

SiC Epitaxial Wafer продуктлары күп тармакларда алыштыргысыз:

  • Электр транспорт чаралары (ЭВ)SiC Epitaxial Wafer нигезендәге җайланмалар көч агрегатының нәтиҗәлелеген арттыра һәм авырлыкны киметә.

  • Яңартыла торган энергияКояш һәм җил энергиясе системалары өчен инверторларда кулланыла.

  • Сәнәгать электр белән тәэмин итүТүбән югалтулар белән югары ешлыклы, югары температуралы күчерүне тәэмин итә.

  • Аэрокосмик һәм оборонаНыклы ярымүткәргечләр таләп итә торган каты мохит өчен идеаль.

  • 5G база станцияләреSiC эпитаксиаль пластина компонентлары радиоешлык кушымталары өчен югарырак көч тыгызлыгын тәэмин итә.

SiC эпитаксиаль пластинасы кремний пластиналары белән чагыштырганда компакт конструкцияләр, тизрәк күчү һәм югарырак энергия үзгәртү нәтиҗәлелеген тәэмин итә.

SiC эпитаксиаль пластинасының өстенлекләре

SiC Epitaxial Wafer технологиясе зур өстенлекләр бирә:

  1. Югары ватылу көчәнешеSi пластиналарына караганда 10 тапкыр югарырак көчәнешкә чыдам.

  2. Җылылык үткәрүчәнлегеSiC эпитаксиаль пластинкасы җылылыкны тизрәк тарата, шуның белән җайланмалар салкынрак һәм ышанычлырак эшли ала.

  3. Югары күчерү тизлегеТүбәнрәк коммутация югалтулары югарырак нәтиҗәлелеккә һәм миниатюризациягә мөмкинлек бирә.

  4. Киң полоса аралыгыЮгарырак көчәнешләрдә һәм температураларда тотрыклылыкны тәэмин итә.

  5. Материалның ныклыгыSiC химик яктан инерт һәм механик яктан нык, катлаулы кушымталар өчен идеаль.

Бу өстенлекләр SiC эпитаксиаль пластинасын киләсе буын ярымүткәргечләр өчен сайланган материал итә.

Еш бирелә торган сораулар: SiC эпитаксиаль пластинасы

1 нче сорау: SiC пластинасы һәм SiC эпитаксиаль пластинасы арасында нинди аерма бар?
SiC пластинасы күләмле субстратны аңлата, ә SiC эпитаксиаль пластинасы җайланмалар җитештерүдә кулланыла торган махсус үстерелгән легирланган катламны үз эченә ала.

2 нче сорау: SiC эпитаксиаль пластина катламнары өчен нинди калынлыклар бар?
Эпитаксиаль катламнар, куллану таләпләренә карап, гадәттә берничә микрометрдан алып 100 мкм дан артыкка кадәр була.

3 нче сорау: SiC эпитаксиаль пластинасы югары температуралы мохит өчен яраклымы?
Әйе, SiC эпитаксиаль пластинасы 600°C тан югарырак шартларда эшли ала, кремнийдан күпкә яхшырак эшли.

4 нче сорау: Ни өчен SiC эпитаксиаль пластинасында кимчелек тыгызлыгы мөһим?
Түбәнрәк кимчелек тыгызлыгы җайланманың эшчәнлеген һәм нәтиҗәлелеген яхшырта, бигрәк тә югары вольтлы кушымталар өчен.

5 нче сорау: N-типтагы һәм P-типтагы SiC эпитаксиаль пластиналары бармы?
Әйе, ике төр дә эпитаксиаль процесс вакытында төгәл кушылма газын контрольдә тоту ярдәмендә җитештерелә.

6 нчы сорау: SiC эпитаксиаль пластинасы өчен нинди пластина зурлыклары стандарт?
Зур күләмле җитештерү өчен стандарт диаметрларга 2 дюйм, 4 дюйм, 6 дюйм һәм барган саен 8 дюйм керә.

7 нче сорау: SiC эпитаксиаль пластинкасы бәягә һәм нәтиҗәлелеккә ничек тәэсир итә?
Башта кремнийга караганда кыйммәтрәк булса да, SiC Epitaxial Wafer система зурлыгын һәм энергия югалтуларын киметә, озак вакытлы перспективада гомуми чыгымнарның нәтиҗәлелеген яхшырта.

  • Алдагысы:
  • Киләсе:

    • Бәйле продуктлар

    Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез
    Эзләү өчен Enter төймәсенә яки ябу өчен ESC төймәсенә басыгыз