SiC Ingot 4H-N тип Dummy класс 2инч 3инч 4инч 6инч калынлык: > 10 мм

Кыска тасвирлау:

4H-N Type SiC Ingot (Dummy Grade) - алдынгы ярымүткәргеч җайланмаларны эшкәртүдә һәм сынауда кулланылган премиум материал. Аның көчле электр, җылылык һәм механик үзлекләре белән ул югары көчле һәм югары температурада куллану өчен идеаль. Бу материал электроника, автомобиль системалары, сәнәгать җиһазларын тикшерү һәм үстерү өчен бик яраклы. Төрле зурлыкта, шул исәптән 2 дюйм, 3 дюйм, 4 дюйм һәм 6 дюйм диаметрда, бу ингот ярымүткәргеч индустриясенең катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән, шул ук вакытта искиткеч җитештерүчәнлек һәм ышанычлылык тәкъдим итә.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Заявка

Электроника:Industrialгары эффектив электр транзисторлары, диодлар, сәнәгать һәм автомобиль кушымталары өчен төзәткечләр җитештерүдә кулланыла.

Электр машиналары (ЕВ):Электр йөртүче системалары, инвертерлар, зарядлагычлар өчен электр модуллары җитештерүдә кулланыла.

Яңартыла торган энергия системалары:Кояш, җил, энергия саклау системалары өчен эффектив энергия конверсия җайланмалары үсеше өчен мөһим.

Аэрокосмос һәм Оборона:Radгары ешлыклы һәм югары көчле компонентларда, шул исәптән радар системаларында һәм спутник элемтәләрендә кулланыла.

Индустриаль контроль системалары:Заманча шартларда алдынгы сенсорларны һәм контроль җайланмаларны тәэмин итә.

Сыйфатлар

үткәрүчәнлеге.
Диаметр вариантлары: 2 дюйм, 3 дюйм, 4 дюйм һәм 6 дюйм.
Калынлыгы:> 10 мм, вафер кисү һәм эшкәртү өчен зур материал тәэмин итү.
Төре: Dummy Grade, беренче чиратта, җайланма булмаган сынау һәм үсеш өчен кулланыла.
Оператор тибы: N-тип, югары җитештерүчән электр җайланмалары өчен материалны оптимальләштерү.
Rылылык үткәрүчәнлеге: Электроникада җылылыкның эффектив таралуы өчен искиткеч.
Каршылык: түбән каршылык, җайланмаларның үткәрүчәнлеген һәм эффективлыгын арттыру.
Механик көч: стресс, югары температурада ныклыкны һәм тотрыклылыкны тәэмин итү.
Оптик үзлекләр: UV-күренгән диапазонда ачык, оптик сенсор кушымталары өчен яраклы.
Кимчелек тыгызлыгы: түбән, ясалган җайланмаларның югары сыйфаты.
SiC ingot спецификациясе
Сыйфат: җитештерү;
Размер: 6инч;
Диаметры: 150,25 мм +0,25:
Калынлыгы:> 10 мм;
Faceир өсте юнәлеше: 4 ° <11-20> + 0,2 °:
Беренчел яссы юнәлеш: <1-100> + 5 °:
Беренчел яссы озынлык: 47,5 мм + 1,5;
Каршылык: 0.015-0.02852:
Микропип: <0,5;
BPD: <2000;
TSD: <500;
Политип өлкәләре: юк;
Fdge күрсәткечләре: <3 ,: лмм киңлек һәм тирәнлек;
Кырыклар: 3,
Урлау: Вафер корпусы;
Күпчелек заказлар яки махсус көйләүләр өчен бәяләр төрле булырга мөмкин. Зинһар, безнең таләпләргә һәм күләмнәргә нигезләнеп, безнең сату бүлегенә мөрәҗәгать итегез.

Диаграмма

SiC Ingot11
SiC Ingot14
SiC Ingot12
SiC Ingot15

  • Алдагы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез