6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI оптик линза
Төп характеристика
| Химик состав | Al2O3 |
| Катылык | 9Мох |
| Оптик табигать | Uniaxial |
| Рекактив индекс | 1.762-1.770 |
| Бирефринг | 0.008-0.010 |
| Дисперсия | Түбән, 0.018 |
| Якты | Витреус |
| Плеохроизм | Уртача көчле |
| Диаметр | 0,4 мм-30 мм |
| Диаметр толерантлыгы | 0,004 мм-0,05 мм |
| озынлык | 2 мм-150 мм |
| озынлыкка толерантлык | 0,03 мм-0,25 мм |
| Faceир өсте сыйфаты | 40/20 |
| Faceир өслеге | RZ0.05 |
| Махсус форма | икесе дә яссы, бер оч редиус, икесе дә редиус, ээр кадаклар һәм махсус формалар |
Төп үзенчәлекләр
1. Highгары рефактив индекс һәм киң тапшыру тәрәзәсе: SiC оптик линзалар оператив спектр буенча якынча 2,6-2,7 күрсәткечләре белән реактив индекс белән гаҗәеп оптик күрсәткеч күрсәтәләр. Бу киң тапшыру тәрәзәсе (600-1850 нм) күренеп торган һәм инфра-кызыл төбәкләрне үз эченә ала, аларны күп спектрлы сурәтләү системалары һәм киң полосалы оптик кушымталар өчен аеруча кыйммәтле итә. Бу диапазондагы материалның түбән үзләштерү коэффициенты минималь сигналның көчәюен тәэмин итә, хәтта югары көчле лазер кушымталарында.
2.Сексуаль булмаган оптик үзлекләр: Кремний карбидының уникаль кристалл структурасы аңа искиткеч сызыксыз оптик коэффициентлар бирә (χ (2) pm 15 pm / V, χ (3) ≈ 10-20 m2 / V2), ешлыкны әйләндерү процессларын мөмкинлек бирә. Бу үзлекләр оптик параметрик осиллаторлар, ультрафаст лазер системалары һәм бөтен оптик сигнал эшкәртү җайланмалары кебек заманча кушымталарда актив кулланыла. Материалның югары зыян бусагасы (> 5 GW / см2) югары интенсив кушымталар өчен яраклылыгын тагын да арттыра.
3.Механик һәм җылылык тотрыклылыгы: 400 GPa якынлашкан эластик модуль һәм җылылык үткәрүчәнлеге 300 Вт / м · Ктан артканда, SiC оптик компонентлары механик стресс һәм җылылык велосипедында гаҗәеп тотрыклылык саклыйлар. Rылылык киңәюенең ультра түбән коэффициенты (4.0 × 10-6 / K) температураның үзгәрүләре белән минималь фокаль сменаны тәэмин итә, космик кушымталар яки сәнәгать лазер эшкәртү җайланмалары кебек үзгәрүчән җылылык мохитендә эшләүче төгәл оптик системалар өчен критик өстенлек.
4.Квант үзенчәлекләре: 4H-SiC һәм 6H-SiC политипларында кремний вакансиясе (VSi) һәм диваканс (VSiVC) төс үзәкләре оптик яктан мөрәҗәгать ителә торган спин халәтләрен күрсәтәләр, бүлмә температурасында озын килешү вакыты. Бу квант эмитерлары масштаблы квант челтәрләренә интеграцияләнәләр һәм фотоник квант исәпләү архитектурасында бүлмә температурасы квант сенсорларын һәм квант хәтер җайланмаларын үстерү өчен аеруча өметле.
5. Бу гибрид фотоник-электрон системалар булдырырга мөмкинлек бирә, SiC-ның оптик өстенлекләрен кремнийның электрон функциональлеге белән берләштерә, оптик исәпләү һәм сенсор кушымталарында система-чип дизайннары өчен яңа мөмкинлекләр ача.
Беренчел кушымталар
1.Фотоник интеграль схемалар (PIC): Киләсе буын PIC-ларында SiC оптик линзалары моңарчы күрелмәгән интеграция тыгызлыгын һәм эшләвен тәэмин итә. Алар мәгълүмат үзәкләрендәге терабит масштаблы оптик үзара бәйләнеш өчен аеруча кыйммәт, монда аларның югары реактив индекс һәм аз югалту комбинациясе сигналның деградациясез каты бөкләнү радиосын тәэмин итә. Соңгы казанышлар ясалма интеллект кушымталары өчен нейроморфик фотоник схемаларда кулланылышын күрсәттеләр, монда сызыксыз оптик үзлекләр бөтен оптик нейрон челтәрен тормышка ашырырга мөмкинлек бирә.
2.Квант мәгълүматы һәм исәпләү: төс үзәге кушымталарыннан тыш, поляризация халәтләрен саклап калу һәм бер фотонлы чыганаклар белән туры килү өчен SiC линзалары квант элемтә системаларында кулланыла. Материалның югары дәрәҗәдәге икенче сызыксызлыгы квант ешлыгын конверсия интерфейслары өчен кулланыла, төрле дулкын озынлыкларында эшләүче төрле квант системаларын тоташтыру өчен кирәк.
3.Аэрокосмос һәм Оборона: SiC нурланыш катылыгы (дозаларга каршы> 1 MGy) аны космик оптик системалар өчен алыштыргысыз итә. Соңгы урнаштыруда спутник навигациясе өчен йолдызлар һәм спутник элемтәләре өчен оптик элемтә терминаллары бар. Оборона кушымталарында SiC линзалары яңа буын компакт, югары көчле лазер системаларын юнәлтелгән энергия кушымталары һәм камилләштерелгән диапазон резолюциясе белән алдынгы LiDAR системалары өчен мөмкинлек бирә.
4.UV Оптик Системалар: SiC UV спектрында эшләве (аеруча 300 нмнан түбән), кояшлаштыру эффектларына каршы торуы аны UV литография системалары, озон мониторинг кораллары һәм астрофизика күзәтү җайланмалары өчен сайлау материалы итә. Материалның югары җылылык үткәрүчәнлеге югары көчле UV кушымталары өчен аеруча файдалы, анда җылылык линзасы эффектлары гадәти оптиканы киметә.
5. Интеграль фотоник җайланмалар: Традицион дулкынландыргыч кушымталардан тыш, SiC интеграль фотоник җайланмаларның яңа классларын булдыра, шул исәптән магнито-оптик эффектлар нигезендә оптик изоляторлар, ешлык тараклары өчен ультра югары Q микроорезонаторлар, һәм 100 ГГцдан арткан электро-оптик модульаторлар. Бу алгарыш оптик сигнал эшкәртүдә һәм микродулкынлы фотоника системаларында яңалыклар булып тора.
XKH хезмәте
XKH продуктлары спектроскопия анализы, лазер системалары, микроскоплар һәм астрономия кебек югары технологияле өлкәләрдә киң кулланыла, оптик системаларның эшләвен һәм ышанычлылыгын арттыра. Өстәвенә, XKH клиентларга үз продуктларын тиз раслый һәм массакүләм җитештерә алуын тәэмин итү өчен комплекслы дизайн ярдәме, инженер хезмәтләре, тиз прототиплар белән тәэмин итә.
Безнең SiC оптик призмаларын сайлау сезгә файда китерәчәк:
1. Supгары күрсәткеч: SiC материаллары югары каты һәм җылылык каршылыгын тәкъдим итә, хәтта экстремаль шартларда да тотрыклы эшне тәэмин итә.
2.Костомизацияләнгән хезмәтләр: без клиент таләпләренә нигезләнеп дизайннан производствога кадәр тулы процесс ярдәме күрсәтәбез.
3. Эффектив тапшыру: алдынгы процесслар һәм бай тәҗрибә белән без клиент ихтыяҗларына тиз җавап бирә алабыз һәм вакытында җиткерә алабыз.
