SiC субстрат Dia200mm 4H-N һәм HPSI Кремний карбид

Кыска тасвирлау:

Кремний карбид субстраты (SiC wafer) - киң физик һәм химик үзенчәлекләргә ия булган киң полосалы ярымүткәргеч материал, аеруча югары температурада, югары ешлыкта, югары көчле һәм югары нурланыш шартларында аеруча күренекле. 4H-V - кремний карбидның кристалл структураларының берсе. Өстәвенә, SiC субстратлары яхшы җылылык үткәрүчәнлегенә ия, димәк, алар эш вакытында җайланмалар тудырган җылылыкны эффектив тарата алалар, җайланмаларның ышанычлылыгын һәм гомер озынлыгын арттыралар.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

4H-N һәм HPSI - кремний карбид (SiC) политипы, дүрт углерод һәм дүрт кремний атомыннан торган алты почмаклы берәмлекләрдән торган кристалл тактасы структурасы. Бу структура материалны искиткеч электрон хәрәкәтчәнлек һәм өзелү көчәнеш үзенчәлекләре белән тәэмин итә. Барлык SiC политиплары арасында 4H-N һәм HPSI балансланган электрон һәм тишек хәрәкәте һәм югары җылылык үткәрүчәнлеге аркасында электр электроникасы өлкәсендә киң кулланыла.

8inch SiC субстратларының барлыкка килүе электр ярымүткәргеч индустриясе өчен зур алгарышны күрсәтә. Традицион кремнийга нигезләнгән ярымүткәргеч материаллар югары температура һәм югары көчәнеш кебек экстремаль шартларда эшнең сизелерлек кимүен кичерәләр, ә SiC субстратлары искиткеч эшләрен саклый ала. Кечкенә субстратлар белән чагыштырганда, 8inch SiC субстратлары зуррак бер кисәк эшкәртү өлкәсен тәкъдим итә, бу SiC технологиясенең коммерцияләштерү процессын алып бару өчен бик югары җитештерү эффективлыгына һәм түбән чыгымнарга күчерелә.

8инч кремний карбид (SiC) субстратлары өчен үсеш технологиясе бик югары төгәллек һәм чисталык таләп итә. Субстратның сыйфаты алдагы җайланмаларның эшенә турыдан-туры йогынты ясый, шуңа күрә җитештерүчеләр кристалл камиллеген һәм субстратларның кимчелек җитешсезлеген тәэмин итү өчен алдынгы технологияләр кулланырга тиеш. Бу гадәттә катлаулы химик пар парламенты (CVD) процессларын һәм кристаллның төгәл үсүен һәм кисү техникасын үз эченә ала. 4H-N һәм HPSI SiC субстратлары электр электроникасы өлкәсендә аеруча киң кулланыла, мәсәлән, югары эффективлык конвертерларында, электр машиналары өчен тарту инвертерларында һәм яңартыла торган энергия системаларында.

Без 4H-N 8inch SiC субстратын, төрле дәрәҗәдәге субстрат запас ваферларын бирә алабыз. Без шулай ук сезнең ихтыяҗларыгыз буенча көйләүне оештыра алабыз. Сорауга рәхим итегез!