SiC субстраты Dia200 мм 4H-N һәм HPSI кремний карбиды

4H-N һәм HPSI - кремний карбидының (SiC) политипы, дүрт углерод һәм дүрт кремний атомыннан торган алты почмаклы берәмлекләрдән торган кристалл рәшәткә структурасы белән. Бу структура материалга электроннарның хәрәкәтчәнлеге һәм җимерелү көчәнеше үзенчәлекләрен бирә. Барлык SiC политиплары арасында 4H-N һәм HPSI, тигезләнгән электрон һәм тишекләр хәрәкәтчәнлеге һәм югарырак җылылык үткәрүчәнлеге аркасында, көч электроникасы өлкәсендә киң кулланыла.

8 дюймлы SiC субстратларының барлыкка килүе электр ярымүткәргечләр сәнәгате өчен зур алга китеш булып тора. Традицион кремний нигезендәге ярымүткәргеч материаллар югары температуралар һәм югары көчәнеш кебек экстремаль шартларда эшләүнең сизелерлек кимүен кичерә, ә SiC субстратлары үзләренең бик яхшы эшләүләрен саклый ала. Кечерәк субстратлар белән чагыштырганда, 8 дюймлы SiC субстратлары зуррак бер кисәкле эшкәртү мәйданы тәкъдим итә, бу югарырак җитештерү нәтиҗәлелегенә һәм түбәнрәк чыгымнарга китерә, бу SiC технологиясен коммерцияләштерү процессын алга этәрү өчен бик мөһим.

8 дюймлы кремний карбиды (SiC) субстратларын үстерү технологиясе бик югары төгәллек һәм сафлык таләп итә. Субстрат сыйфаты аннан соңгы җайланмаларның эшчәнлегенә турыдан-туры йогынты ясый, шуңа күрә җитештерүчеләр кристалл камиллеген һәм субстратларның түбән кимчелек тыгызлыгын тәэмин итү өчен алдынгы технологияләрне кулланырга тиеш. Бу гадәттә катлаулы химик пар утырту (CVD) процессларын һәм төгәл кристалл үстерү һәм кисү техникаларын үз эченә ала. 4H-N һәм HPSI SiC субстратлары, аеруча, югары нәтиҗәле көч үзгәрткечләрендә, электр транспорт чаралары өчен тарту инверторларында һәм яңартыла торган энергия системаларында, электр электроникасы өлкәсендә киң кулланыла.

Без 4H-N 8 дюймлы SiC субстрат, төрле сортлы субстрат пластиналары белән тәэмин итә алабыз. Шулай ук ​​сезнең ихтыяҗларыгызга туры китереп көйләүне оештыра алабыз. Сорауны рәхим итегез!