SiC субстрат P һәм D класс Dia50mm 4H-N 2inch

Кыска тасвирлау:

Кремний карбид (SiC) - IV-IV төркемнең икеләтә кушылмасы, ярымүткәргеч материалсаф кремний һәм саф углеродтан тора. Азот яки фосфорны СИСка күчереп, n тибындагы ярымүткәргечләр формалаштырырга мөмкин, яки p типтагы ярымүткәргечләр булдыру өчен бериллий, алюминий яки галлийны күчереп алырга мөмкин. Ул югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары электрон хәрәкәтчәнлеге, югары көчәнеш көчәнеше, химик тотрыклылык, яраклашу, җылылык белән идарә итүне тәэмин итү, җайланманың ышанычлылыгын һәм эффективлыгын арттыру, югары ешлыклы кушымталар өчен яраклы югары тизлекле электрон күчү мөмкинлеген бирү, һәм экстремаль шартларда эшне саклап калу. җайланманың гомер озынлыгын озайту.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

2inch SiC мосфет ваферларының төп үзенчәлекләре түбәндәгечә ;.

Highгары җылылык үткәрүчәнлеге: җайланманың ышанычлылыгын һәм эшләвен көчәйтеп, эффектив җылылык белән идарә итүне тәэмин итә

Electгары электрон хәрәкәт: югары ешлыктагы кушымталар өчен яраклы югары тизлекле электрон күчү мөмкинлеген бирә

Химик тотрыклылык: җайланманың гомер озынлыгы экстремаль шартларда эшне саклый

Сөйләшү: булган ярымүткәргеч интеграция һәм массакүләм җитештерү белән туры килә

2инч, 3инч, 4инч, 6инч, 8инч SiC мосфет вафлары түбәндәге өлкәләрдә киң кулланыла: электр машиналары өчен электр модуллары, тотрыклы һәм эффектив энергия системаларын тәэмин итү, яңартыла торган энергия системаларын дошманнар, энергия белән идарә итүне оптимальләштерү һәм конверсия эффективлыгы,

Спутник һәм аэрокосмик электроника өчен SiC ваферы һәм Epi-катлам ваферы, ышанычлы югары ешлыклы элемтә тәэмин итү.

Advancedгары җитештерүчән лазерлар һәм яктырткычлар өчен оптоэлектрон кушымталар, алдынгы яктырту һәм күрсәтү технологияләре таләпләрен канәгатьләндерә.

Безнең SiC ваферлары SiC субстратлары - электроника һәм RF җайланмалары өчен идеаль сайлау, аеруча югары ышанычлылык һәм гадәттән тыш эш башкару таләп ителгән урында. Ваферларның һәр партиясе иң югары сыйфат стандартларына туры килүен тикшерү өчен катгый сынаулар уза.

Безнең 2инч, 3инч, 4инч, 6инч, 8инч 4Х-Н тибындагы D-класс һәм P-класслы SiC ваферлары югары җитештерүчән ярымүткәргеч кушымталары өчен иң яхшы сайлау. Гадәттән тыш кристалл сыйфаты, катгый сыйфат контроле, үзләштерү хезмәтләре, һәм кушымталарның киң ассортименты белән без сезнең ихтыяҗларыгыз буенча көйләүне дә оештыра алабыз. Сораулар рәхим итегез!