SiC субстраты P һәм D класслы, диаметры 50 мм 4H-N 2 дюйм

2 дюймлы SiC мосфет пластиналарының төп үзенчәлекләре түбәндәгеләр.

Югары җылылык үткәрүчәнлеге: нәтиҗәле җылылык белән идарә итүне тәэмин итә, җайланманың ышанычлылыгын һәм эшчәнлеген арттыра

Югары электрон мобильлеге: югары ешлыклы кушымталар өчен яраклы, югары тизлекле электрон коммутацияне тәэмин итә

Химик тотрыклылык: Экстремаль шартларда җайланманың эшләү вакытын саклый

Ярашучанлык: Гамәлдәге ярымүткәргеч интеграциясе һәм массакүләм җитештерү белән туры килә

2 дюймлы, 3 дюймлы, 4 дюймлы, 6 дюймлы, 8 дюймлы SiC мосфет пластиналары түбәндәге өлкәләрдә киң кулланыла: электр транспорт чаралары өчен көч модульләре, тотрыклы һәм нәтиҗәле энергия системаларын тәэмин итү, яңартыла торган энергия системаларына каршы инверторлар, энергия белән идарә итүне һәм конверсия нәтиҗәлелеген оптимальләштерү,

Ышанычлы югары ешлыклы элемтәне тәэмин итүче юлдаш һәм аэрокосмик электроника өчен SiC пластинасы һәм Epi-катламлы пластина.

Алдынгы яктырту һәм дисплей технологияләре таләпләрен канәгатьләндерү өчен югары җитештерүчән лазерлар һәм светодиодлар өчен оптоэлектроника кушымталары.

Безнең SiC пластиналары SiC субстратлары көч электроникасы һәм радиоешлык җайланмалары өчен идеаль сайлау булып тора, бигрәк тә югары ышанычлылык һәм гаҗәеп эшчәнлек таләп ителгән урыннарда. Пластинаның һәр партиясе иң югары сыйфат стандартларына туры килүен тәэмин итү өчен катгый сынау уза.

Безнең 2 дюйм, 3 дюйм, 4 дюйм, 6 дюйм, 8 дюймлы 4H-N тибындагы D-класслы һәм P-класслы SiC пластиналары югары сыйфатлы ярымүткәргеч кушымталар өчен идеаль сайлау булып тора. Гаҗәеп кристалл сыйфаты, катгый сыйфат контроле, көйләү хезмәтләре һәм киң куллану диапазоны белән без сезнең ихтыяҗларыгызга туры китереп көйләүне дә оештыра алабыз. Сорауларыгыз кабул ителә!