SICOI (Изолятордагы кремний карбиды) SiC пленкасы кремнийдагы пластиналар

SICOI (Изолятордагы кремний карбиды) пластиналары SiC пленкасы ON кремний Күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

Изолятордагы кремний карбиды (SICOI) пластиналары - кремний карбидының (SiC) югары физик һәм электрон үзлекләрен кремний диоксиды (SiO₂) яки кремний нитриды (Si₃N₄) кебек изоляцияләүче буфер катламының күренекле электр изоляциясе үзенчәлекләре белән берләштергән киләсе буын ярымүткәргеч субстратлар. Гадәти SICOI пластинасы нечкә эпитаксиаль SiC катламыннан, арадаш изоляцияләүче пленкадан һәм кремний яки SiC булырга мөмкин булган терәк нигез субстратыннан тора.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

җентекле схема

Изолятор (SICOI) пластиналарына кремний карбидын кертү

Бу гибрид структура югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы электрон җайланмаларның катгый таләпләрен канәгатьләндерерлек итеп эшләнгән. Изоляция катламын кертү аркасында, SICOI пластиналары паразит сыйдырышлыкны минимальләштерә һәм агып чыгу токларын баса, шуның белән югарырак эш ешлыкларын, яхшырак нәтиҗәлелекне һәм яхшыртылган җылылык белән идарә итүне тәэмин итә. Бу өстенлекләр аларны электр транспорт чаралары, 5G телекоммуникация инфраструктурасы, аэрокосмик системалар, алдынгы RF электроникасы һәм MEMS сенсор технологияләре кебек тармакларда бик кыйммәтле итә.

SICOI пластиналарын җитештерү принцибы

SICOI (изолятордагы кремний карбиды) пластиналары алдынгы технологияләр ярдәмендә җитештереләпластиналарны бәйләү һәм сирәкләндерү процессы:

SiC субстраты үсеше– Донор материалы буларак югары сыйфатлы монокристалл SiC пластинасы (4H/6H) әзерләнә.
Изоляция катламын урнаштыру– Йөк ташучы пластинада (Si яки SiC) изоляцияләүче пленка (SiO₂ яки Si₃N₄) барлыкка килә.
Вафли белән бәйләү– SiC пластинасы һәм ташучы пластина югары температура яки плазма ярдәме астында бер-берсенә тоташтырылган.
Сирәкләү һәм ялтырату– SiC донор пластинасы берничә микрометрга кадәр сирәкләнә һәм атом ягыннан шома өслек алу өчен ялтыратыла.
Соңгы тикшерү– Тәмамланган SICOI пластинасы калынлыкның тигезлегенә, өслекнең тигезсезлегенә һәм изоляция сыйфатына тикшерелә.

Бу процесс аша,юка актив SiC катламыБик яхшы электр һәм җылылык үзлекләренә ия булган бу материал изоляция пленкасы һәм терәк субстраты белән берләштерелгән, шуның белән киләсе буын электр һәм радиоешлык җайланмалары өчен югары җитештерүчәнлекле платформа булдыра.

SICOI пластиналарының төп өстенлекләре

Функция категориясе	Техник үзенчәлекләр	Төп өстенлекләр
Материал структурасы	4H/6H-SiC актив катлам + изоляция пленкасы (SiO₂/Si₃N₄) + Si яки SiC ташучы	Көчле электр изоляциясенә ирешә, паразит комачаулауны киметә
Электр үзенчәлекләре	Югары ватылу көче (>3 МВ/см), түбән диэлектрик югалтулар	Югары вольтлы һәм югары ешлыклы эшләү өчен оптимальләштерелгән
Җылылык үзлекләре	Җылылык үткәрүчәнлеге 4,9 Вт/см·К кадәр, 500°C тан югары температурада тотрыклы	Нәтиҗәле җылылык тарату, каты җылылык йөкләмәләре астында бик яхшы эш башкару
Механик үзлекләр	Бик каты (Могс 9.5), җылылык киңәюенең түбән коэффициенты	Стресска каршы нык, җайланманың гомерен озайта
Өслек сыйфаты	Бик шома өслек (Ra <0,2 нм)	Дефектсыз эпитаксия һәм ышанычлы җайланма ясауны хуплый
Изоляция	Каршылык >10¹⁴ Ω·см, агып чыгу тогы түбән	Радиоелемтәләр һәм югары көчәнешле изоляция кушымталарында ышанычлы эшләү
Зурлык һәм көйләү	4, 6 һәм 8 дюймлы форматларда бар; SiC калынлыгы 1–100 мкм; изоляция 0,1–10 мкм	Төрле куллану таләпләре өчен сыгылмалы дизайн

Төп куллану өлкәләре

Кушымта секторы	Гадәти куллану очраклары	Эшчәнлек өстенлекләре
Көч электроникасы	Электромобиль инверторлары, зарядка станцияләре, сәнәгать көч җайланмалары	Югары ватылу көчәнеше, коммутация югалтулары кимегән
Радиоелемтәләр һәм 5G	База станциясенең көч көчәйткечләре, миллиметр дулкын компонентлары	Түбән паразитлык, ГГц диапазонындагы операцияләрне хуплый
MEMS сенсорлары	Каты мохит басымы сенсорлары, навигация дәрәҗәсендәге MEMS	Югары термик тотрыклылык, радиациягә чыдамлылык
Аэрокосмик һәм оборона	Спутник элемтәсе, авиониканың көч модульләре	Экстремаль температураларда һәм радиациягә дучар булуда ышанычлылык
Акыллы челтәр	HVDC конвертерлары, каты халәттәге автоматик өзгечләр	Югары изоляция электр энергиясе югалтуларын минимальләштерә
Оптоэлектроника	УВ LEDлары, лазер субстратлары	Югары кристалл сыйфаты яктылыкның нәтиҗәле чыгарылуын тәэмин итә

4H-SiCOI җитештерү

4H-SiCOI пластиналары җитештерү аша ирешеләпластиналарны бәйләү һәм сирәкләндерү процесслары, югары сыйфатлы изоляция интерфейсларын һәм кимчелексез SiC актив катламнарын тәэмин итә.

a: 4H-SiCOI материал платформасын ясау схемасы.
b: Ябыштыру һәм сирәкләтү кулланылган 4 дюймлы 4H-SiCOI пластинасының рәсеме; кимчелек зоналары билгеләнгән.
c4H-SiCOI субстратының калынлык бердәмлеген характерлау.
d: 4H-SiCOI матрицасының оптик сурәте.
eSiC микродиск резонаторын ясау процессы.
f: Тулы микродиск резонаторының SEM.
gРезонаторның ян диварын күрсәтүче зурайтылган SEM; AFM өстәмәсендә наномасштаблы өслек шомалыгы күрсәтелгән.
hПараболик формасындагы өске өслекне күрсәтүче кисемтәле SEM.

SICOI вафлилары турында еш бирелә торган сораулар

1 нче сорау: SICOI пластиналарының традицион SiC пластиналарына караганда нинди өстенлекләре бар?
A1: Стандарт SiC субстратларыннан аермалы буларак, SICOI пластиналары паразит сыйдырышлыкны һәм агып чыгу токларын киметә торган изоляция катламын үз эченә ала, бу югарырак нәтиҗәлелеккә, яхшырак ешлык реакциясенә һәм югарырак җылылык күрсәткечләренә китерә.

2 нче сорау: Гадәттә нинди зурлыктагы пластиналар бар?
A2: SICOI пластиналары гадәттә 4 дюймлы, 6 дюймлы һәм 8 дюймлы форматларда җитештерелә, җайланма таләпләренә карап, шәхси SiC һәм изоляция катламы калынлыгы тәкъдим ителә.

3 нче сорау: SICOI пластиналарыннан кайсы тармаклар күбрәк файда күрә?
A3: Төп тармакларга электр транспорт чаралары өчен көч электроникасы, 5G челтәрләре өчен RF электроникасы, аэрокосмик сенсорлар өчен MEMS һәм ультрафиолет светодиодлары кебек оптоэлектроника керә.

4 нче сорау: Изоляция катламы җайланма эшчәнлеген ничек яхшырта?
A4: Изоляцияләүче пленка (SiO₂ яки Si₃N₄) ток агып чыгуны булдырмый һәм электр каршылыкларын киметә, югарырак көчәнеш чыдамлыгын, нәтиҗәлерәк күчерүне һәм җылылык югалтуны киметергә мөмкинлек бирә.

5 нче сорау: SICOI пластиналары югары температуралы кушымталар өчен яраклымы?
A5: Әйе, югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм 500°C тан артык каршылык белән, SICOI пластиналары экстремаль эсселектә һәм каты мохиттә ышанычлы эшләү өчен эшләнгән.

6 нчы сорау: SICOI пластиналарын заказ буенча ясап буламы?
A6: Әлбәттә. Җитештерүчеләр төрле тикшеренү һәм сәнәгать ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен билгеле бер калынлык, легирлау дәрәҗәләре һәм субстрат комбинацияләре өчен махсус дизайннар тәкъдим итәләр.

Алдагысы: SiC өчен алмаз чыбык кисү машинасы | Сапфир | Кварц | Пыяла

Киләсе: SiC Sapphire ультра каты сынучан материаллар өчен күп чыбыклы алмаз кисү машинасы