SiCOI вафин 4инч 6инч HPSI SiC SiO2 Si субатрат структурасы

SiCOI вафины 4инч 6инч HPSI SiC SiO2 Si субатрат структурасы Күрсәтелгән рәсем

Кыска тасвирлау:

Бу кәгазьдә кремний карбид-на-изолятор (SiCOI) ваферлары турында җентекләп күзәтү ясала, кремний диоксиды (SiO₂) изоляцион катламнары белән бәйләнгән югары чисталык ярым изоляцион (HPSI) кремний карбид (SiC) катламнары булган 4 дюймлы һәм 6 дюймлы субстратларга игътибар ителә. SiCOI структурасы SiC-ның гаҗәеп электр, җылылык һәм механик үзлекләрен оксид катламының электр изоляциясе өстенлекләре һәм кремний субстратының механик ярдәме белән берләштерә. HPSI SiC куллану, субстрат үткәрүне киметеп һәм паразитик югалтуларны киметеп, бу ваферларны югары көчле, югары ешлыклы һәм югары температуралы ярымүткәргеч кушымталары өчен идеаль итеп, җайланманың эшләвен көчәйтә. Бу күпкатлы конфигурациянең ясалу процессы, материаль характеристикалары, структур өстенлекләре тикшерелә, аның киләсе буын электр электроникасы һәм микроэлектромеханик системалар (MEMS) белән актуальлеген ассызыклыйлар. Тикшеренү шулай ук 4 дюймлы һәм 6 дюймлы SiCOI ваферларының үзлекләрен һәм потенциаль кулланылышларын чагыштыра, алдынгы ярымүткәргеч җайланмаларның масштаблылыгын һәм интеграция перспективаларын күрсәтә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Featuresзенчәлекләр

SiCOI вафин структурасы

HPB (Perгары җитештерүчәнлек бәйләнеше) Бик (бәйләнгән интеграль схема) һәм SOD (кремний-на-бриллиант яки кремний-на-изолятор технологиясе). Бу үз эченә ала:

Спектакль метрикасы:

Төгәллек, хата төрләре кебек параметрлар исемлеге (мәсәлән, "Хата юк", "Кыйммәт дистанциясе"), һәм калынлык үлчәүләре (мәсәлән, "Туры катлам калынлыгы / кг").

"ADDR / SYGBDT", "10/0" һ.б. кебек рубрикалар астында санлы кыйммәтләр булган таблицалар (мөгаен эксперименталь яки процесс параметрлары).

Катлам калынлыгы мәгълүматлары:

"L1 калынлык (A)" - "L270 калынлык (A)" дип язылган киң кабатлау язмалары (мөгаен, Ангстрөмс, 1 Å = 0,1 нм).

Advancedәр катлам өчен төгәл калынлык контроле булган күп катлы структураны тәкъдим итә, алдынгы ярымүткәргеч вафларда типик.

SiCOI Wafer структурасы

SiCOI (изоляторда кремний карбид) - кремний карбидын (SiC) изоляцион катлам белән берләштергән махсус вафат структурасы, SOI (Кремний-на-изолятор) охшаган, ләкин югары көчле / югары температурада куллану өчен оптимальләштерелгән. Төп үзенчәлекләр:

Катлам композициясе:

Layгары катлам: югары электрон хәрәкәтчәнлек һәм җылылык тотрыклылыгы өчен бер кристалл кремний карбид (SiC).

Күмелгән изолятор: Паразитик сыйдырышлыкны киметү һәм изоляцияне яхшырту өчен гадәттә SiO₂ (оксид) яки бриллиант (SODда).

Төп субстрат: механик ярдәм өчен кремний яки поликристалл SiC

SiCOI вафинның үзлекләре

Электр үзенчәлекләре Киң бандгап (4H-SiC өчен 3,2 eV): breakгары ватылу көчәнешен тәэмин итә (кремнийдан 10 × югарырак) .Сак агымнарын киметә, электр җайланмаларының эффективлыгын күтәрә.

Electгары электрон хәрәкәт:~ 900 см² / V · s (4H-SiC) vs. ~ 1400 см² / V · s (Si), ләкин яхшырак югары кыр эше.

Түбән каршылык:SiCOI нигезендәге транзисторлар (мәсәлән, MOSFETлар) түбән үткәрү югалтуларын күрсәтәләр.

Искиткеч изоляция:Күмелгән оксид (SiO₂) яки бриллиант катламы паразитик сыйдырышлыкны һәм кросстальне киметә.

Rылылык үзенчәлекләреHighгары җылылык үткәрүчәнлеге: SiC (4H-SiC өчен 0 490 W / m · K) vs. Si (~ 150 W / m · K) .Диамонд (изолятор буларак кулланылса) 2000 Вт / м · Ктан артып китә, җылылык таралуны көчәйтә.

Rылылык тотрыклылыгы:> 300 ° C (кремний өчен ~ 150 ° C) ышанычлы эшли .Электроникада суыту таләпләрен киметә.

3. Механик һәм химик үзлекләрЭкстремаль катылык (~ 9.5 Мох): киемгә каршы, SiCOIны кырыс мохит өчен ныклы итә.

Химик инерция:Кислота / эшкәртү шартларында да оксидлашуга һәм коррозиягә каршы тора.

Түбән җылылык киңәюе:Башка югары температуралы материаллар белән туры килә (мәсәлән, GaN).

4. Структур өстенлекләр (күпчелек SiC яки SOI)

Субстрат югалтуларның кимүе:Изоляция катламы субстратка ток агып китүдән саклый.

Яхшыртылган RF күрсәткечләре:Түбән паразитик сыйдырышлык тизрәк күчү мөмкинлеген бирә (5G / mmWave җайланмалары өчен файдалы).

Эластик дизайн:Нечкә SiC өске катламы җайланманы оптимальләштерергә мөмкинлек бирә (мәсәлән, транзисторларда ультра-нечкә каналлар).

SOI & Bulk SiC белән чагыштыру

Милек	SiCOI	SOI (Si / SiO₂ / Si)	Күпчелек SiC
Бандагап	3.2 eV (SiC)	1.1 eV (Si)	3.2 eV (SiC)
Rылылык үткәрүчәнлеге	Биек (SiC + бриллиант)	Түбән (SiO₂ җылылык агымын чикли)	Биек (SiC гына)
Ватылу көчәнеше	Бик югары	Урта	Бик югары
Бәясе	Higherгары	Түбән	Иң югары (саф SiC)

SiCOI вафер кушымталары

Электроника
SiCOI ваферлары югары көчәнешле һәм югары көчле ярымүткәргеч җайланмаларда киң кулланыла, мәсәлән, MOSFET, Шоттки диодлары һәм электр ачкычлары. SiC-ның киң полосасы һәм югары ватылу көчәнеше югалтуларны киметү һәм җылылык җитештерүчәнлеген арттыру белән эффектив энергия конверсиясенә мөмкинлек бирә.

Радио ешлыгы (RF) җайланмалары
SiCOI ваферларында изоляцион катлам паразитик сыйдырышлыкны киметә, аларны югары ешлыктагы транзисторлар һәм телекоммуникация, радар һәм 5G технологияләрендә кулланылган көчәйткечләр өчен яраклы итә.

Микроэлектромеханик системалар (MEMS)
SiCOI ваферлары MEMS сенсорларын һәм актуаторларны ясау өчен нык мәйданчык бирә, SiC-ның химик инерциясе һәм механик көче аркасында каты шартларда ышанычлы эшли.

Temгары температуралы электроника
SiCOI югары температурада җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны саклый торган электроника мөмкинлеген бирә, гадәти кремний җайланмалары эшләмәгән автомобиль, аэрокосмос һәм сәнәгать кушымталарына файда китерә.

Фотоник һәм оптоэлектрон җайланмалар
SiC оптик үзлекләре һәм изоляцион катламның берләшүе фотоник схемаларның көчәйтелгән җылылык белән идарә итүен җиңеләйтә.

Радиация-каты электроника
SiC-ның радиация толерантлыгы аркасында, SiCOI ваферлары космос һәм югары нурланыш мохитенә каршы торучы җайланмалар таләп итүче атом кушымталары өчен идеаль.

SiCOI вафины Сораулары

1 нче сорау: SiCOI ваферы нәрсә ул?

:: SiCOI - Кремний Карбид-на-изолятор. Бу ярымүткәргеч вафер структурасы, анда кремний карбидының нечкә катламы (SiC) изоляцион катламга бәйләнгән (гадәттә кремний диоксиды, SiO₂), кремний субстрат ярдәмендә. Бу структур SiC-ның искиткеч үзенчәлекләрен изолятордан электр изоляциясе белән берләштерә.

2 нче сорау: SiCOI ваферларының төп өстенлекләре нинди?

:: Төп өстенлекләргә югары ватылу көчәнеше, киң полоса, яхшы җылылык үткәрүчәнлеге, өстен механик каты булу, изоляцион катлам ярдәмендә паразитик сыйдырышлык кимү керә. Бу җайланманың эшләвен, эффективлыгын, ышанычлылыгын яхшырта.

3 нче сорау: SiCOI ваферларының типик кулланмалары нинди?

:: Алар электр электроникасында, югары ешлыктагы RF җайланмаларында, MEMS сенсорларында, югары температуралы электроникада, фотоник җайланмаларда һәм радиация каты электроникада кулланыла.