Кремний карбиды (SiC) горизонталь мич торбасы

Кыскача тасвирлама:

Кремний карбиды (SiC) горизонталь мич трубкасы ярымүткәргечләр җитештерүдә, фотоэлектрик җитештерүдә һәм алдынгы материал эшкәртүдә кулланыла торган югары температуралы газ фазасы реакцияләре һәм җылылык эшкәртүләре өчен төп процесс камерасы һәм басым чиге булып хезмәт итә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

җентекле схема

Продукция позицияләү һәм бәя тәкъдиме

Бер кисәктән торган, өстәмәләр ярдәмендә җитештерелгән SiC структурасы һәм тыгыз CVD-SiC саклагыч катламы белән эшләнгән бу торба гаҗәеп җылы үткәрүчәнлек, минималь пычрану, көчле механик бөтенлек һәм күренекле химик каршылык күрсәтә.
Аның конструкциясе югары температура бердәмлеген, хезмәт күрсәтү интервалларын озайтуны һәм озак вакытлы тотрыклы эшләүне тәэмин итә.

Төп өстенлекләр

Система температурасының тотрыклылыгын, чисталыгын һәм җиһазларның гомуми нәтиҗәлелеген (OEE) арттыра.
Чистарту өчен эш вакытын киметә һәм алыштыру циклларын озайта, гомуми милек чыгымнарын (TCO) киметә.
Югары температуралы оксидлашучан һәм хлорга бай химик матдәләрне минималь куркыныч белән эшкәртә алырлык озак вакытлы камера тәэмин итә.

Кулланыла торган атмосфера һәм процесс тәрәзәсе

Реактив газларкислород (O₂) һәм башка оксидлаштыручы катнашмалар
Йөк ташучы/саклаучы газларазот (N₂) һәм ультра чиста инерт газлар
туры килә торган төрләрхлорлы газлар эзләре (концентрация һәм тору вакыты рецепт буенча контрольдә тотыла)

Гадәти процессларкоры/дымлы оксидлашу, җылыту, диффузия, LPCVD/CVD утырту, өслек активлаштыру, фотоэлектрик пассивлаштыру, функциональ юка пленка үсеше, карбонлаштыру, нитридлаштыру һәм башкалар.

Эш шартлары

Температура: бүлмә температурасы 1250 °C кадәр (җылыткыч конструкциясенә һәм ΔT га карап, 10–15% куркынычсызлык маржасын кулланырга мөмкин)
Басым: түбән басым/LPCVD вакуум дәрәҗәләреннән алып атмосферага якын уңай басымга кадәр (һәр сатып алу заказы өчен соңгы спецификация)

Материаллар һәм структура логикасы

Монолит SiC корпусы (өстәмә җитештерелгән)

Югары тыгызлыктагы β-SiC яки күп фазалы SiC, бер компонент буларак эшләнгән — агып чыгарга яки киеренкелек нокталары булдырырга мөмкин булган каешланган тоташулар яки җөйләр юк.
Югары җылылык үткәрүчәнлеге тиз җылылык реакциясен һәм аксиаль/радиаль температура тигезлеген тәэмин итә.
Түбән, тотрыклы җылылык киңәю коэффициенты (ТКК) югары температураларда үлчәм тотрыклылыгын һәм ышанычлы герметиклыкны тәэмин итә.

CVD SiC функциональ каплавы

Кисәкчәләр барлыкка килүен һәм металл ионнарының бүленеп чыгуын бастыру өчен, урынында урнаштырылган, ультрачиста (өслек/каплау катнашмалары < 5 ppm).
Оксидлашучы һәм хлорлы газларга каршы искиткеч химик инертлык, диварга һөҗүм итүне яки кабат утыруны булдырмый.
Коррозиягә чыдамлык һәм җылылыкка җавап бирүне тигезләү өчен зонага хас калынлык вариантлары.

Берләштерелгән файдаНыклы SiC корпусы структура ныклыгын һәм җылылык үткәрүчәнлеген тәэмин итә, ә CVD катламы максималь ышанычлылык һәм үткәрүчәнлек өчен чисталыкны һәм коррозиягә каршы торучанлыкны гарантияли.

Төп эшчәнлек максатлары

Даими куллану температурасы:≤ 1250 °C
Субстратның күпләп кулланылган катнашмалары:< 300 ppm
CVD-SiC өслек катнашмалары:< 5 ppm
Үлчәмнәр буенча чыдый торган чикләр: OD ±0.3–0.5 мм; коаксиальлек ≤ 0.3 мм/м (кыскарак урнаштыру мөмкинлеге бар)
Эчке стена тигезсезлеге: Ra ≤ 0.8–1.6 мкм (җыелган яки көзгегә якын төсмер кулланырга мөмкин)
Гелий агып чыгу тизлеге: ≤ 1 × 10⁻⁹ Па·м³/с
Термик шокка чыдамлылык: кабатланган эссе/салкын циклда ярылмыйча яки бәрелмичә исән кала
Чиста бүлмә җыю: ISO 5–6 класс, сертификацияләнгән кисәкчәләр/металл-ион калдыклары дәрәҗәләре белән

Конфигурацияләр һәм вариантлар

Геометрия: Озынлыгы 50–400 мм (бәяләү буенча зуррак), бер кисәктән торган озын конструкцияле; стена калынлыгы механик ныклык, авырлык һәм җылылык агымы өчен оптимальләштерелгән.
Төп дизайннарфланцлар, кыңгырау авызы, штык, урнаштыру боҗралары, О-формасындагы уемнар һәм махсус насос белән чыгару яки басым портлары.
Функциональ портлартермопар аша үткәрү, күзәтү пыяласы белән урнаштырылган утыргычлар, әйләнеп узу газ керү урыннары — болар барысы да югары температурада, агып чыкмый торган эш өчен эшләнгән.
Каплау схемалары: эчке стена (гадәти), тышкы стена яки тулы каплау; югары бәреп керүчән төбәкләр өчен максатчан экранлаштыру яки дәрәҗәләнгән калынлык.
Өслек эшкәртү һәм чисталык: төрле катылык дәрәҗәләре, ультратавыш/диэлектрик чистарту һәм махсус пешерү/киптерү протоколлары.
Аксессуарлар: графит/керамика/металл фланцлар, тыгызлагычлар, урнаштыру җайланмалары, эшкәртү гильзалары һәм саклау ложалары.

Эшчәнлекне чагыштыру

Метрика	SiC торбасы	Кварц торбасы	Алюминий оксиды торбасы	Графит торбасы
җылылык үткәрүчәнлеге	Югары, бердәм	Түбән	Түбән	Югары
Югары температурага чыдамлык/сыгылучанлык	Бик яхшы	Ярминкә	Яхшы	Яхшы (оксидлашуга сизгер)
Термик шок	Бик яхшы	Зәгыйфь	Уртача	Бик яхшы
Чисталык / металл ионнары	Бик яхшы (түбән)	Уртача	Уртача	Ярлы
Оксидлашу һәм Cl-химия	Бик яхшы	Ярминкә	Яхшы	Начар (оксидлаша)
Чыгымнар һәм хезмәт итү вакыты	Уртача / озын гомерле	Түбән / кыска	Уртача / уртача	Уртача / мохит белән чикләнгән

Еш бирелә торган сораулар (FAQ)

1 нче сорау. Ни өчен 3D-басмада бастырылган монолит SiC корпусын сайларга кирәк?
A. Ул агып чыга торган яки көчәнешне туплай торган җөйләрне һәм каешларны бетерә, һәм катлаулы геометрияләрне даими үлчәмле төгәллек белән тота.

С2. SiC хлорлы газларга чыдаммы?
A. Әйе. CVD-SiC билгеләнгән температура һәм басым чикләрендә югары инертлы. Югары йогынтылы зоналар өчен локальләштерелгән калын капламалар һәм ныклы чистарту/чыгару системалары тәкъдим ителә.

С3. Ул кварц торбаларыннан ничек яхшырак эшли?
A. SiC озаграк хезмәт итү вакытын, яхшырак температура тигезлеген, кисәкчәләр/металл-ионнар белән пычрануны киметүне һәм яхшыртылган TCO тәкъдим итә - бигрәк тә ~900 °C тан югарырак яки оксидлашучы/хлорланган атмосферада.

С4. Торба тиз термик күтәрелешкә түзә аламы?
A. Әйе, максималь ΔT һәм рамп тизлеге күрсәтмәләре үтәлгән очракта. Югары κ SiC корпусын нечкә CVD катламы белән берләштерү тиз җылылык күчүләрен хуплый.

С5. Кайчан алыштыру кирәк?
A. Фланц яки кырый ярыкларын, каплау чокырларын яки тайпылышларны, агып чыгу тизлегенең артуын, температура профиленең сизелерлек тайпылышын яки аномаль кисәкчәләр барлыкка килүен күрсәгез, трубканы алыштырыгыз.

Безнең турында

XKH махсус оптик пыяла һәм яңа кристалл материалларын югары технологияләр белән эшләү, җитештерү һәм сату белән шөгыльләнә. Безнең продуктлар оптик электроника, кулланучы электроникасы һәм хәрби хезмәтләр күрсәтә. Без сапфир оптик компонентлары, мобиль телефон линзалары каплагычлары, керамика, LT, кремний карбиды SIC, кварц һәм ярымүткәргеч кристалл пластиналары тәкъдим итәбез. Осталык һәм алдынгы җиһазлар белән без стандарт булмаган продуктларны эшкәртүдә алдынгы булып торабыз, югары технологияле оптоэлектрон материаллар җитештерүче алдынгы предприятие булырга омтылабыз.