Кремний Карбид SiC Ingot 6inch N тибы Dummy / төп класс калынлыгы көйләнә ала

Кремний Карбид SiC Ingot 6inch N тибы Dummy / премьер класс калынлыгы үзенчәлекле Рәсемгә ия булырга мөмкин

Кыска тасвирлау:

Кремний Карбид (SiC) - киң полосалы ярымүткәргеч материал, ул өстен электр, җылылык һәм механик үзенчәлекләре аркасында төрле тармакларда зур тарту ала. SiC Ingot 6 дюймлы N тибындагы Dummy / Prime классында югары көчле һәм югары ешлыклы кушымталарны да кертеп, алдынгы ярымүткәргеч җайланмалар җитештерү өчен махсус эшләнгән. Customзләштерелә торган калынлык вариантлары һәм төгәл спецификацияләр белән, бу SiC ингот электр машиналарында, сәнәгать энергетика системаларында, телекоммуникацияләрдә һәм башка югары җитештерүчән тармакларда кулланыла торган җайланмалар үсеше өчен идеаль чишелеш тәкъдим итә. SiC-ның югары көчәнешле, югары температуралы һәм югары ешлыктагы шартларда ныклыгы төрле кушымталарда озакка сузылган, эффектив һәм ышанычлы эшне тәэмин итә.
SiC Ingot 6 дюйм зурлыкта, диаметры 150,25 мм ± 0,25 мм һәм калынлыгы 10 ммнан зуррак, бу вафер кисү өчен идеаль. Бу продукт 4 ° <11-20> ± 0,2 ° ка яхшы билгеләнгән өслек юнәлешен тәкъдим итә, җайланма җитештерүдә югары төгәллекне тәэмин итә. Өстәвенә, ингот <1-100> ± 5 ° төп яссы юнәлешен күрсәтә, оптималь кристалл тигезләүгә һәм эшкәртү эшенә ярдәм итә.
0.015–0.0285 Ω · см диапазонында югары каршылык, түбән микропип тыгызлыгы <0,5, һәм яхшы кыр сыйфаты белән, бу SiC Ingot минималь җитешсезлекләр һәм экстремаль шартларда югары җитештерүчәнлек таләп итә торган электр җайланмалары җитештерү өчен яраклы.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Сыйфатлар

Сыйфат: җитештерү дәрәҗәсе (Dummy / Prime)
Размер: диаметр 6 дюйм
Диаметры: 150,25 мм ± 0,25 мм
Калынлыгы:> 10 мм (Сорау буенча көйләнә торган калынлык)
Faceир өсте юнәлеше: 4 ° <11-20> ± 0,2 ° ка, бу кристаллның югары сыйфатын һәм җайланма ясау өчен төгәл тигезләнүне тәэмин итә.
Беренчел яссы юнәлеш: <1-100> ± 5 °, инготны ваферларга эффектив кисү һәм кристаллның оптималь үсеше өчен төп үзенчәлек.
Беренчел фатир озынлыгы: 47,5 мм ± 1,5 мм, җиңел эшкәртү һәм төгәл кисү өчен эшләнгән.
Каршылык: 0.015–0.0285 Ω · см, югары эффективлык җайланмаларында куллану өчен идеаль.
Микропип тыгызлыгы: <0,5, ясалган җайланмалар эшенә тәэсир итә алган минималь кимчелекләрне тәэмин итү.
BPD (Бор Питинг тыгызлыгы): <2000, югары кристалл чисталыгын һәм түбән җитешсезлек тыгызлыгын күрсәтүче түбән кыйммәт.
TSD (җепнең винтовка тыгызлыгы): <500, югары җитештерүчән җайланмалар өчен искиткеч материаль бөтенлекне тәэмин итү.
Политип өлкәләре: юк - ингот политип җитешсезлекләреннән азат, югары дәрәҗәдәге кушымталар өчен югары материаль сыйфат тәкъдим итә.
Кыр күрсәткечләре: <3, 1 мм киңлек һәм тирәнлек белән, минималь өслеккә зыян китерүне тәэмин итә һәм эффектив вафер кисү өчен инготның бөтенлеген саклый.
Кыр ярыклары: һәрберсе 3, <1 мм, чит зыянның аз булуы белән, куркынычсыз эшкәртүне һәм алга таба эшкәртүне тәэмин итә.
Управление: Вафер корпусы - SiC инготлары куркынычсыз транспорт һәм эшкәртү тәэмин итү өчен вафер корпусында куркынычсыз тутырылган.

Кушымталар

Электроника:6 дюймлы SiC ингот MOSFET, IGBT, диод кебек электр электрон җайланмалар җитештерүдә киң кулланыла, алар электр конверсия системасында мөһим компонентлар. Бу җайланмалар электр машинасында (ЕВ) инвертерларда, сәнәгать двигательләрендә, электр белән тәэмин итүдә, энергия саклау системаларында киң кулланыла. SiC-ның югары көчәнешләрдә, югары ешлыкларда һәм экстремаль температурада эшләве традицион кремний (Si) җайланмалары эффектив эшләргә тырышкан кушымталар өчен идеаль итә.

Электр машиналары (ЕВ):Электр машиналарында SiC нигезендәге компонентлар инвертерларда, DC-DC конвертерларында һәм борттагы зарядлагычларда электр модулларын үстерү өчен бик мөһим. SiC-ның югары җылылык үткәрүчәнлеге җылылык җитештерүне киметергә һәм электр конверсиясендә яхшырак эффективлыкка мөмкинлек бирә, бу электр машиналарының эшләвен һәм йөртү диапазонын арттыру өчен бик мөһим. Моннан тыш, SiC җайланмалары кечерәк, җиңелрәк һәм ышанычлырак компонентларны эшләтеп җибәрә, EV системаларының гомуми эшләвенә ярдәм итә.

Яңартыла торган энергия системалары:SiC инготлары яңартыла торган энергия системаларында кулланыла торган энергия конверсия җайланмалары үсешендә мөһим материал, шул исәптән кояш инвертерлары, җил турбиналары, энергия саклау эремәләре. SiC-ның югары энергия эшкәртү мөмкинлекләре һәм эффектив җылылык белән идарә итү бу системаларда югары энергия әйләнешенең эффективлыгын һәм ышанычлылыгын яхшыртырга мөмкинлек бирә. Аны яңартыла торган энергиядә куллану глобаль көчләрне энергиянең тотрыклылыгына этәрергә ярдәм итә.

Телекоммуникация:6 дюймлы SiC ингот шулай ук югары көчле RF (радио ешлыгы) кушымталарында кулланылган компонентлар җитештерү өчен яраклы. Аларга көчәйткечләр, осиллаторлар, телекоммуникация һәм спутник элемтә системаларында кулланылган фильтрлар керә. SiCның югары ешлыкларны һәм югары көчне эшкәртү сәләте аны телекоммуникация җайланмалары өчен искиткеч материал һәм минималь сигнал югалту таләп итә.

Аэрокосмос һәм Оборона:SiC-ның югары ватылу көчәнеше һәм югары температураларга каршы торуы аны аэрокосмос һәм оборона кушымталары өчен идеаль итә. SiC инготларыннан ясалган компонентлар радар системаларында, спутник элемтәләрендә, самолетлар һәм космик кораблар өчен электр электроникасында кулланыла. SiC нигезендәге материаллар аэрокосмик системаларга космоста һәм биек биеклектә очрый торган экстремаль шартларда эшләргә мөмкинлек бирә.

Индустриаль автоматизация:Сәнәгать автоматизациясендә SiC компонентлары сенсорларда, актуаторларда һәм катлаулы шартларда эшләргә кирәк булган контроль системаларда кулланыла. SiC нигезендәге җайланмалар югары температураларга һәм электр стрессларына каршы тора алырлык эффектив, озакка сузылган компонентларны таләп итә торган техникада кулланыла.

Продукция спецификасы таблицасы

Милек	Спецификация
Сыйфат	Производство (Dummy / Prime)
Размер	6 дюйм
Диаметр	150,25 мм ± 0,25 мм
Калынлык	> 10 мм (көйләнә торган)
Faceир өсте юнәлеше	4 ° <11-20> ± 0,2 °
Беренчел фатир юнәлеше	<1-100> ± 5 °
Беренчел фатир озынлыгы	47,5 мм ± 1,5 мм
Каршылык	0.015–0.0285 Ω · см
Микропип тыгызлыгы	<0,5
Борның тыгызлыгы (BPD)	<2000
Винтовка винтасының урнашу тыгызлыгы (TSD)	<500
Политип өлкәләре	Беркем дә юк
Кыр күрсәткечләре	<3, 1 мм киңлек һәм тирәнлек
Кырык ярыклар	3, <1 мм / эа
Урлау	Вафер

Йомгаклау

6 дюймлы SiC Ingot - N тибындагы Dummy / Prime класс - ярымүткәргеч индустриясенең катгый таләпләренә туры килгән премиум материал. Аның югары җылылык үткәрүчәнлеге, гаҗәеп каршылыгы, түбән җитешсезлек тыгызлыгы аны алдынгы электр электрон җайланмалары, автомобиль компонентлары, телекоммуникация системалары һәм яңартыла торган энергия системалары җитештерү өчен искиткеч сайлау ясый. Көйләнә торган калынлык һәм төгәллек спецификасы бу SiC инготының киң кулланылышка яраклашуын тәэмин итә, таләпчән мохиттә югары җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны тәэмин итә. Күбрәк мәгълүмат алу яки заказ бирү өчен зинһар, безнең сату коллективына мөрәҗәгать итегез.