Кремний карбиды (SiC) вафли көймәсе

Кыскача тасвирлама:

Кремний карбиды (SiC) пластиналы көймә - югары чисталыклы SiC материалыннан ясалган ярымүткәргеч процесс ташучы, ул эпитаксия, оксидлашу, диффузия һәм җылыту кебек мөһим югары температуралы процесслар вакытында пластиналарны тоту һәм ташу өчен эшләнгән.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

җентекле схема

Кварц пыяласына гомуми күзәтү

Көчле ярымүткәргечләр һәм киң полосалы җайланмаларның тиз үсеше белән, гадәти кварц көймәләре югары температураларда деформация, кисәкчәләрнең нык пычрануы һәм кыска хезмәт итү вакыты кебек чикләүләр белән очраша. Югары термик тотрыклылык, түбән пычрану һәм озайтылган гомер белән аерылып торган SiC пластиналы көймәләр кварц көймәләрен алыштыра бара һәм SiC җайланмалары җитештерүдә өстенлекле сайлауга әйләнә.

Төп үзенчәлекләр

1. Материал өстенлекләре

Югары сафлыклы SiC дан җитештерелгәнюгары катылык һәм ныклык.
Эрү температурасы 2700°C тан югарырак, кварцка караганда күпкә югарырак, экстремаль мохиттә озак вакытлы тотрыклылыкны тәэмин итә.

2. Җылылык үзлекләре

Тиз һәм тигез җылылык тапшыру өчен югары җылылык үткәрүчәнлеге, пластина стрессын минимальләштерү.
Термик киңәю коэффициенты (ТКК) SiC субстратларына туры килә, пластинаның бөгелүен һәм ярылуын киметә.

3. Химик тотрыклылык

Югары температурада һәм төрле атмосфераларда (H₂, N₂, Ar, NH₃ һ.б.) тотрыклы.
Оксидлашуга каршы торучанлыгы бик югары, таркалуны һәм кисәкчәләр барлыкка килүне булдырмый.

4. Процесс эшчәнлеге

Тигез һәм тыгыз өслек кисәкчәләрнең коелуын һәм пычрануын киметә.
Озак вакыт кулланудан соң үлчәм тотрыклылыгын һәм йөк күтәрүчәнлеген саклый.

5. Чыгымнарның нәтиҗәлелеге

Кварц көймәләренә караганда 3–5 тапкыр озаграк хезмәт итү вакыты.
Техник хезмәт күрсәтү ешлыгы түбәнрәк, эш тукталышларын һәм алыштыру чыгымнарын киметә.

Кушымталар

SiC эпитаксиясеЮгары температуралы эпитаксиаль үсеш вакытында 4 дюймлы, 6 дюймлы һәм 8 дюймлы SiC субстратларын тотып тору.
Көч җайланмаларын җитештерүSiC MOSFET, Шоттки барьер диодлары (SBD), IGBT һәм башка җайланмалар өчен идеаль.
Термик эшкәртү: Ясыту, нитрлау һәм карбонлаштыру процесслары.
Оксидлашу һәм диффузияЮгары температуралы оксидлашу һәм диффузия өчен тотрыклы пластина терәк платформасы.

Техник характеристикалар

Әйбер	Спецификация
Материал	Югары сафлыклы кремний карбиды (SiC)
Вафли зурлыгы	4 дюйм / 6 дюйм / 8 дюйм (көйләп була)
Максималь эш температурасы.	≤ 1800°C
Термик киңәю CTE	4.2 × 10⁻⁶ /K (SiC субстратына якын)
Җылылык үткәрүчәнлеге	120–200 Вт/м·К
Өслекнең катылыгы	Ra < 0,2 мкм
Параллелизм	±0,1 мм
Хезмәт итү вакыты	Кварц көймәләренә караганда ≥ 3 тапкыр озынрак

Чагыштыру: Кварц көймәсе һәм SiC көймәсе

Үлчәм	Кварц көймәсе	SiC көймәсе
Температурага чыдамлык	≤ 1200°C, югары температурада деформация.	≤ 1800°C, термик яктан тотрыклы
CTE белән SiC туры килү	Зур туры килмәү, пластина стрессы куркынычы	Якын туры килү, пластина ярылуын киметә
Кисәкчәләр белән пычрану	Югары, пычраклыклар барлыкка китерә	Түбән, шома һәм тыгыз өслек
Хезмәт итү вакыты	Кыска вакытлы, еш алыштыру	Озын, 3–5 тапкыр озаграк гомер
Яраклы процесс	Гадәти Si эпитаксиясе	SiC эпитаксисы һәм көч җайланмалары өчен оптимальләштерелгән

Еш бирелә торган сораулар – Кремний карбиды (SiC) вафли көймәләре

1. SiC пластиналы көймә нәрсә ул?

SiC пластиналы көймә - югары чисталыклы кремний карбидыннан ясалган ярымүткәргеч процесс ташучы. Ул эпитаксия, оксидлашу, диффузия һәм җылыту кебек югары температуралы процесслар вакытында пластиналарны тоту һәм ташу өчен кулланыла. Традицион кварц көймәләре белән чагыштырганда, SiC пластиналы көймәләре югарырак термик тотрыклылык, түбән пычрану һәм озаграк хезмәт итү вакыты тәкъдим итә.

2. Ни өчен кварц көймәләре урынына SiC пластиналы көймәләрне сайларга кирәк?

Югарырак температурага чыдамлык: Кварцка (≤1200°C) караганда 1800°C кадәр тотрыклы.
CTE белән яхшырак туры килүSiC субстратларына якын, пластина стрессын һәм ярылуны минимальләштерә.
Түбәнрәк кисәкчәләр барлыкка килү: Тигез, тыгыз өслек пычрануны киметә.
Озынрак гомеркварц көймәләренә караганда 3–5 тапкыр озынрак, бу хуҗа булу чыгымнарын киметә.

3. SiC пластиналы көймәләре нинди пластина зурлыкларын күтәрә ала?

Без стандарт дизайннар тәкъдим итәбез4 дюймлы, 6 дюймлы һәм 8 дюймлыклиентларның ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен тулысынча көйләү мөмкинлеге булган вафлилар.

4. SiC пластиналы көймәләр гадәттә нинди процессларда кулланыла?

SiC эпитаксиаль үсеше
Көчле ярымүткәргеч җайланмалар җитештерү (SiC MOSFET, SBD, IGBT)
Югары температурада җылыту, нитрлау һәм карбонлаштыру
Оксидлашу һәм диффузия процесслары

Безнең турында

XKH махсус оптик пыяла һәм яңа кристалл материалларын югары технологияләр белән эшләү, җитештерү һәм сату белән шөгыльләнә. Безнең продуктлар оптик электроника, кулланучы электроникасы һәм хәрби хезмәтләр күрсәтә. Без сапфир оптик компонентлары, мобиль телефон линзалары каплагычлары, керамика, LT, кремний карбиды SIC, кварц һәм ярымүткәргеч кристалл пластиналары тәкъдим итәбез. Осталык һәм алдынгы җиһазлар белән без стандарт булмаган продуктларны эшкәртүдә алдынгы булып торабыз, югары технологияле оптоэлектрон материаллар җитештерүче алдынгы предприятие булырга омтылабыз.