English

AR күзлекләре өчен 12 дюймлы 4H-SiC пластинасы

AR күзлекләре өчен 12 дюймлы 4H-SiC пластинасы. Күрсәтелгән рәсем.
  • AR күзлекләре өчен 12 дюймлы 4H-SiC пластинасы
  • AR күзлекләре өчен 12 дюймлы 4H-SiC пластинасы
  • AR күзлекләре өчен 12 дюймлы 4H-SiC пластинасы
  • AR күзлекләре өчен 12 дюймлы 4H-SiC пластинасы
  • AR күзлекләре өчен 12 дюймлы 4H-SiC пластинасы

Кыскача тасвирлама:

...12 дюймлы үткәргеч 4H-SiC (кремний карбиды) субстратыкиләсе буын өчен эшләнгән ультра зур диаметрлы киң полосалы ярымүткәргеч пластина.югары вольтлы, югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралыкөч электроникасы җитештерү. SiC-ның эчке өстенлекләреннән файдалану, мәсәлән,югары критик электр кыры, югары туендырылган электрон дрейф тизлеге, югары җылылык үткәрүчәнлеге, һәмбик яхшы химик тотрыклылык—бу субстрат алдынгы электр җайланмалары платформалары һәм яңа зур мәйданлы пластиналар куллану өчен нигез материалы буларак урнаштырылган.


Үзенчәлекләр

җентекле схема

12 дюймлы 4H-SiC пластинасы
12 дюймлы 4H-SiC пластинасы

Гомуми күзәтү

...12 дюймлы үткәргеч 4H-SiC (кремний карбиды) субстратыкиләсе буын өчен эшләнгән ультра зур диаметрлы киң полосалы ярымүткәргеч пластина.югары вольтлы, югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралыкөч электроникасы җитештерү. SiC-ның эчке өстенлекләреннән файдалану, мәсәлән,югары критик электр кыры, югары туендырылган электрон дрейф тизлеге, югары җылылык үткәрүчәнлеге, һәмбик яхшы химик тотрыклылык—бу субстрат алдынгы электр җайланмалары платформалары һәм яңа зур мәйданлы пластиналар куллану өчен нигез материалы буларак урнаштырылган.

Тармак буенча таләпләрне канәгатьләндерү өченчыгымнарны киметү һәм җитештерүчәнлекне арттыру, төп агымнан күчү6–8 дюймлы SiC to 12 дюймлы SiCсубстратлар төп юл буларак киң танылган. 12 дюймлы пластина кечерәк форматларга караганда күпкә зуррак куллану мәйданы бирә, бу пластина өчен югарырак калып чыгару мөмкинлеген бирә, пластина куллануны яхшырта һәм кырый югалту нисбәтен киметә - шуның белән тәэмин итү чылбыры буенча гомуми җитештерү чыгымнарын оптимизацияләүне хуплый.

Кристалл үстерү һәм пластиналар җитештерү юлы

 

Бу 12 дюймлы үткәргеч 4H-SiC субстраты тулы процесс чылбыры белән каплау аша җитештерелә.орлык киңәюе, монокристалл үсеше, вафлинг, сирәкләү һәм ялтырату, стандарт ярымүткәргеч җитештерү практикасын үтәп:

 

  • Физик пар транспорты (PVT) ярдәмендә орлыкларны киңәйтү:
    12 дюймлы4H-SiC орлык кристалыдиаметрны киңәйтү PVT ысулын кулланып алына, бу исә аннан соң 12 дюймлы үткәргеч 4H-SiC булларын үстерергә мөмкинлек бирә.

  • Үткәргечле 4H-SiC монокристаллы үсеше:
    Үткәргечn⁺ 4H-SiCМонокристалл үсешкә контрольдә тотылган донор легирлавын тәэмин итү өчен үсеш мохитенә азот кертү юлы белән ирешелә.

  • Пластиналар җитештерү (стандарт ярымүткәргеч эшкәртү):
    Буль формалаштырганнан соң, вафлилар ничек җитештереләлазер белән кисү, аннан соңсирәкләү, ялтырату (шул исәптән CMP дәрәҗәсендәге эшкәртү) һәм чистарту.
    Нәтиҗәдә барлыкка килгән субстрат калынлыгы560 мкм.

 

Бу комплекслы алым кристаллографик бөтенлекне һәм тотрыклы электр үзлекләрен саклап калып, бик зур диаметрда тотрыклы үсешне тәэмин итү өчен эшләнгән.

 

сик вафли 9

 

Комплекслы сыйфат бәяләмәсен тәэмин итү өчен, субстрат структураль, оптик, электр һәм дефектларны тикшерү кораллары комбинациясе ярдәмендә характерлана:

 

  • Раман спектроскопиясе (мәйдан картасы):пластина буйлап политипның бердәмлеген тикшерү

  • Тулысынча автоматлаштырылган оптик микроскопия (пластиналы карталаштыру):микроторбаларны ачыклау һәм статистик бәяләү

  • Контакт булмаган каршылык метрологиясе (пластиналарны карталаштыру):берничә үлчәү урынында каршылык бүленеше

  • Югары ачыклыклы рентген дифракциясе (HRXRD):кристалл сыйфатын чайкалучы кәкре үлчәүләр ярдәмендә бәяләү

  • Чыгу тикшерүе (сайлап эшкәртүдән соң):дислокация тыгызлыгын һәм морфологиясен бәяләү (винтлы дислокацияләргә басым ясап)

 

сик вафли 10

Төп эшчәнлек нәтиҗәләре (Вәкиллек итүче)

Характеристика нәтиҗәләре 12 дюймлы үткәргеч 4H-SiC субстратының мөһим параметрлар буенча югары сыйфатлы материал күрсәтүен күрсәтә:

(1) Политип сафлыгы һәм бер төрлелеге

  • Раман өлкәсен картага төшерү күрсәтелә100% 4H-SiC политип каплавысубстрат аша.

  • Башка политиплар (мәсәлән, 6H яки 15R) кертелмәгән, бу 12 дюймлы масштабта политип контроленең бик яхшы булуын күрсәтә.

(2) Микроторба тыгызлыгы (MPD)

  • Вафли масштабындагы микроскопия карталаштыру күрсәтәмикроторба тыгызлыгы < 0,01 см⁻², бу җайланманы чикләүче кимчелек категориясен нәтиҗәле рәвештә бастыруны чагылдыра.

(3) Электр каршылыгы һәм бер төрлелек

  • Контактсыз каршылык картасы (361 нокталы үлчәү) түбәндәгеләрне күрсәтә:

    • Каршылык диапазоны:20,5–23,6 мΩ·см

    • Уртача каршылык:22,8 мΩ·см

    • Бер төрле булмау:< 2%
      Бу нәтиҗәләр яхшы кушылма кушылу консистенциясен һәм пластина масштабындагы электр бердәмлеген күрсәтә.

(4) Кристалл сыйфаты (HRXRD)

  • HRXRD тирбәлү кәкресен үлчәүләре(004) чагылыш, алынганбиш баллпластина диаметры юнәлеше буенча, күрсәтегез:

    • Күп пиклы үз-үзен тотышсыз ялгыз, симметриягә якын пиклар, бу түбән почмаклы бөртек чикләре үзенчәлекләренең булмавын күрсәтә.

    • Уртача FWHM:20.8 арка сек (″), югары кристалл сыйфатын күрсәтә.

(5) Винт дислокациясе тыгызлыгы (TSD)

  • Сайлап алып эшкәртү һәм автоматик сканерлаудан соң,винт дислокациясе тыгызлыгыүлчәнә2 см⁻², 12 дюймлы шкала буенча түбән TSD күрсәтә.

Югарыдагы нәтиҗәләрдән нәтиҗә:
Субстрат күрсәтә4H политипның бик яхшы сафлыгы, микроторбаларның бик түбән тыгызлыгы, тотрыклы һәм бердәм түбән каршылык, көчле кристалл сыйфаты һәм түбән винт дислокация тыгызлыгы, аның алдынгы җайланмалар җитештерү өчен яраклылыгын хуплый.

Продукциянең бәясе һәм өстенлекләре

  • 12 дюймлы SiC җитештерү миграциясен тәэмин итә
    12 дюймлы SiC пластина җитештерүгә юнәлтелгән тармак юл картасына туры китереп, югары сыйфатлы субстрат платформасы тәкъдим итә.

  • Җайланманың нәтиҗәлелеген һәм ышанычлылыгын арттыру өчен түбән кимчелек тыгызлыгы
    Микроторбаларның бик түбән тыгызлыгы һәм винтларның түбән дислокация тыгызлыгы катастрофик һәм параметрик чыгым югалту механизмнарын киметергә ярдәм итә.

  • Процесс тотрыклылыгы өчен бик яхшы электр бердәмлеге
    Каршылыкның тыгыз бүленеше пластиналар арасындагы һәм пластина эчендәге җайланмаларның консистенциясен яхшыртырга ярдәм итә.

  • Эпитаксия һәм җайланмаларны эшкәртүне хуплаучы югары кристалл сыйфаты
    HRXRD нәтиҗәләре һәм түбән почмаклы бөртек чикләре билгеләренең булмавы эпитаксиаль үсеш һәм җайланмалар ясау өчен уңай материал сыйфатын күрсәтә.

 

Максатчан кушымталар

12 дюймлы үткәргеч 4H-SiC субстраты түбәндәгеләр өчен кулланыла:

  • SiC көч җайланмалары:MOSFETлар, Шоттки барьер диодлары (SBD) һәм бәйле структуралар

  • Электромобильләр:төп тарту инверторлары, борт зарядка җайланмалары (OBC) һәм DC-DC конвертерлары

  • Яңартыла торган энергия һәм электр челтәре:фотоэлектрик инверторлар, энергия саклау системалары һәм акыллы челтәр модульләре

  • Сәнәгать көч электроникасы:югары нәтиҗәле электр белән тәэмин итү җайланмалары, мотор приводлары һәм югары вольтлы үзгәрткечләр

  • Зур мәйданлы пластиналар өчен барлыкка килүче таләпләр:алдынгы төргәкләү һәм башка 12 дюймлы ярымүткәргеч җитештерү сценарийлары

 

Еш бирелә торган сораулар – 12 дюймлы үткәргеч 4H-SiC субстраты

С1. Бу продукт нинди SiC субстрат төренә карый?

A:
Бу продукт12 дюймлы үткәргеч (n⁺-тип) 4H-SiC монокристалл субстрат, Физик пар ташу (PVT) ысулы белән үстерелгән һәм стандарт ярымүткәргечле вафли техникалары ярдәмендә эшкәртелгән.

2 нче сорау. Ни өчен 4H-SiC политип буларак сайланган?

A:
4H-SiC иң уңайлы комбинацияне тәкъдим итәюгары электрон хәрәкәтчәнлеге, киң зона аралыгы, югары җимерелү кыры һәм җылылык үткәрүчәнлегекоммерция максатларында кулланыла торган SiC политиплары арасында. Бу кулланыла торган доминант политипюгары вольтлы һәм югары куәтле SiC җайланмалары, мәсәлән, MOSFETлар һәм Шоттки диодлары.

3 нче сорау. 8 дюймлы SiC субстратларыннан 12 дюймлыга күчүнең өстенлекләре нинди?

A:
12 дюймлы SiC пластинасы түбәндәгеләрне тәэмин итә:

  • Игътибарга лаеклызуррак кулланылырлык өслек мәйданы

  • Һәр пластина өчен югарырак штамп чыгару

  • Түбән кырый югалту коэффициенты

  • белән яхшыртылган туры килүчәнлекалдынгы 12 дюймлы ярымүткәргеч җитештерү линияләре

Бу факторлар турыдан-туры йогынты ясыйбер җайланма өчен түбәнрәк бәяһәм югарырак җитештерү нәтиҗәлелеге.

Безнең турында

XKH махсус оптик пыяла һәм яңа кристалл материалларын югары технологияләр белән эшләү, җитештерү һәм сату белән шөгыльләнә. Безнең продуктлар оптик электроника, кулланучы электроникасы һәм хәрби хезмәтләр күрсәтә. Без сапфир оптик компонентлары, мобиль телефон линзалары каплагычлары, керамика, LT, кремний карбиды SIC, кварц һәм ярымүткәргеч кристалл пластиналары тәкъдим итәбез. Осталык һәм алдынгы җиһазлар белән без стандарт булмаган продуктларны эшкәртүдә алдынгы булып торабыз, югары технологияле оптоэлектрон материаллар җитештерүче алдынгы предприятие булырга омтылабыз.

d281cc2b-ce7c-4877-ac57-1ed41e119918
  • Алдагысы:
  • Киләсе:

    • Бәйле продуктлар

    Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез
    Эзләү өчен Enter төймәсенә яки ябу өчен ESC төймәсенә басыгыз