12 дюймлы SiC субстраты N төрендәге зур үлчәмле югары нәтиҗәле радиоешлык кушымталары

12 дюймлы SiC субстраты N төре Зур күләмле югары нәтиҗәле радиоешлык кушымталары Тәкъдим ителгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

12 дюймлы SiC субстраты ярымүткәргеч материаллар технологиясендә яңа казаныш булып тора, ул көч электроникасы һәм югары ешлыклы кушымталар өчен трансформация бирүче өстенлекләр тәкъдим итә. Сәнәгатьтә иң зур коммерция максатларында кулланыла торган кремний карбиды пластинасы форматы буларак, 12 дюймлы SiC субстраты масштабның экономиясен тәэмин итә, шул ук вакытта материалның киң полосалы үзенчәлекләре һәм гаҗәеп җылылык үзлекләре кебек өстенлекләрен саклый. Гадәти 6 дюймлы яки кечерәк SiC пластиналары белән чагыштырганда, 12 дюймлы платформа һәр пластина өчен 300% тан артык күбрәк кулланылышлы мәйдан бирә, калып чыгаруны сизелерлек арттыра һәм көч җайланмалары өчен җитештерү чыгымнарын киметә. Бу зурлык үзгәреше кремний пластиналарының тарихи эволюциясен чагылдыра, анда диаметрның һәр артуы чыгымнарны сизелерлек киметү һәм эшчәнлекне яхшырту белән бәйле. 12 дюймлы SiC субстратының югары җылылык үткәрүчәнлеге (кремнийныкыннан якынча 3 тапкыр) һәм югары критик җимерелү кыры көче аны киләсе буын 800В электр машиналары системалары өчен аеруча кыйммәтле итә, анда ул компактрак һәм нәтиҗәлерәк көч модульләрен тәкъдим итә. 5G инфраструктурасында материалның югары электрон туендыру тизлеге RF җайланмаларына югарырак ешлыкларда түбән югалтулар белән эшләргә мөмкинлек бирә. Субстратның модификацияләнгән кремний җитештерү җиһазлары белән туры килүе, шулай ук, гамәлдәге заводлар тарафыннан җиңелрәк кулланылышка кертелә, гәрчә SiCның бик каты булуы (9,5 Мосс) аркасында махсус эшкәртү таләп ителә. Җитештерү күләме арткан саен, 12 дюймлы SiC субстраты югары куәтле кушымталар өчен сәнәгать стандартына әйләнер, автомобиль, яңартыла торган энергия һәм сәнәгать энергиясен үзгәртү системаларында инновацияләрне этәрер дип көтелә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Техник параметрлар

12 дюймлы кремний карбиды (SiC) субстраты спецификациясе
Дәрәҗә		ZeroMPD җитештерү Дәрәҗә (Z дәрәҗәсе)	Стандарт җитештерү Дәрәҗә (P дәрәҗәсе)		Макет дәрәҗәсе (D дәрәҗәсе)
Диаметр		3 0 0 мм~1305 мм
Калынлыгы	4H-N	750 мкм±15 мкм	750 мкм±25 мкм
	4H-SI	750 мкм±15 мкм	750 мкм±25 мкм
Вафли юнәлеше		Күчтән читтә: 4H-N өчен <1120 >±0.5° юнәлешендә 4.0°, Күчтә: 4H-SI өчен <0001>±0.5°
Микроторба тыгызлыгы	4H-N	≤0.4 см-2	≤4 см-2		≤25 см-2
	4H-SI	≤5 см-2	≤10 см-2		≤25 см-2
Каршылык	4H-N	0,015~0,024 Ω·см			0,015~0,028 Ω·см
	4H-SI	≥1E10 Ω·см			≥1E5 Ω·см
Төп яссылык ориентациясе		{10-10} ±5.0°
Башлангыч яссы озынлык	4H-N	Юк
	4H-SI	Уклык
Кыр чикләрен чыгару		3 мм
LTV/TTV/Bow /Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 μm / ≤55 μm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
Тупаслык		Полякча Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0.2 нм			Ra≤0,5 нм
Югары интенсивлыклы яктылык белән кырый ярылулары Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә алты почмаклы пластиналар Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә политип зоналары Күзгә күренеп ясалган углерод кушылмалары Югары интенсивлы яктылык белән кремний өслегендәге сызыклар		Юк Тупланган мәйдан ≤0,05% Юк Тупланган мәйдан ≤0,05% Юк			Кумулятив озынлык ≤ 20 мм, бер озынлык ≤ 2 мм Тупланган мәйдан ≤0.1% Кумулятив мәйдан ≤3% Тупланган мәйдан ≤3% Кумулятив озынлык ≤1 × пластина диаметры
Югары интенсивлыклы яктылык белән кырый чиплары		Киңлеге һәм тирәнлеге ≥0,2 мм булырга тиеш түгел			7 рөхсәт ителә, һәрберсе ≤1 мм
(TSD) Җепле винт чыгару		≤500 см-2		Юк
(BPD) Нигез яссылыгы дислокациясе		≤1000 см-2		Юк
Кремний өслегенең югары интенсивлы яктылык белән пычрануы		Юк
Упаковка		Күп вафлилы кассета яки бер вафлилы савыт
Искәрмәләр:
1 Кимчелекләр чикләре, кырыйларны чыгару өлкәсеннән кала, пластинаның бөтен өслегенә кагыла. 2 Сыдырылган урыннарны бары тик Si йөзендә генә тикшерергә кирәк. 3 Дислокация мәгълүматлары KOH белән бизәлгән пластиналардан гына алынган.

Төп үзенчәлекләр

1. Зур күләм өстенлеге: 12 дюймлы SiC нигезе (12 дюймлы кремний карбиды нигезе) зуррак бер пластина мәйданы тәкъдим итә, бу һәр пластина өчен күбрәк чипс җитештерергә мөмкинлек бирә, шуның белән җитештерү чыгымнарын киметә һәм уңышны арттыра.
2. Югары нәтиҗәле материал: Кремний карбидының югары температурага чыдамлыгы һәм югары җимерелү кыры көче 12 дюймлы субстратны югары вольтлы һәм югары ешлыклы кушымталар, мәсәлән, электромобиль инверторлары һәм тиз зарядка системалары өчен идеаль итә.
3. Эшкәртү туры килүчәнлеге: SiC-ның югары катылыгына һәм эшкәртү кыенлыкларына карамастан, 12 дюймлы SiC нигезе оптимальләштерелгән кисү һәм ялтырату ысуллары ярдәмендә өслек кимчелекләрен киметә, җайланманың нәтиҗәлелеген яхшырта.
4. Югары җылылык белән идарә итү: Кремний нигезендәге материалларга караганда яхшырак җылылык үткәрүчәнлеге белән, 12 дюймлы субстрат югары куәтле җайланмаларда җылылык таралуын нәтиҗәле рәвештә бетерә, җиһазларның гомерен озайта.

Төп кушымталар

1. Электромобильләр: 12 дюймлы SiC нигезе (12 дюймлы кремний карбиды нигезе) киләсе буын электр привод системаларының төп компоненты булып тора, ул югары нәтиҗәле инверторлар ярдәмендә диапазонны киңәйтә һәм зарядка вакытын киметә.

2. 5G база станцияләре: Зур күләмле SiC субстратлары югары ешлыклы RF җайланмаларын хуплый, 5G база станцияләренең югары куәт һәм түбән югалту таләпләрен канәгатьләндерә.

3. Сәнәгать электр белән тәэмин итү җайланмалары: Кояш инверторларында һәм акыллы челтәрләрдә 12 дюймлы субстрат югарырак көчәнешләргә чыдый ала, шул ук вакытта энергия югалтуларын минимальләштерә.

4. Кулланучылар электроникасы: Киләчәктә тиз зарядка җайланмалары һәм мәгълүмат үзәкләренең электр белән тәэмин итү җайланмалары компакт зурлыкка һәм югарырак нәтиҗәлелеккә ирешү өчен 12 дюймлы SiC субстратларын кулланырга мөмкин.

XXKH хезмәтләре

Без 12 дюймлы SiC субстратлары (12 дюймлы кремний карбиды субстратлары) өчен шәхси эшкәртү хезмәтләренә махсуслашабыз, шул исәптән:
1. Кисәкләргә кисү һәм ялтырату: Аз зыян китерә торган, югары яссылыктагы субстрат эшкәртү, җайланманың тотрыклы эшләвен тәэмин итә, кулланучы таләпләренә туры китереп эшләнгән.
2. Эпитаксиаль үсешне тәэмин итү: Чип җитештерүне тизләтү өчен югары сыйфатлы эпитаксиаль пластина хезмәтләре.
3. Кечкенә партияле прототиплаштыру: фәнни-тикшеренү учреждениеләре һәм предприятиеләре өчен фәнни-тикшеренү һәм эшләнмәләрне валидацияләүне хуплый, үсеш циклларын кыскарта.
4. Техник консультация: Материал сайлаудан алып процессны оптимальләштерүгә кадәр комплекслы чишелешләр, клиентларга SiC эшкәртү кыенлыкларын җиңәргә ярдәм итә.
Күпләп җитештерү яки махсуслаштырылган көйләү өчен булсынмы, безнең 12 дюймлы SiC субстрат хезмәтләре сезнең проект ихтыяҗларыгызга туры килә, технологик алгарышны көчәйтә.