12 дюймлы SiC субстрат N тибы Зур размерлы югары күрсәткечле RF кушымталары

12 дюймлы SiC субстрат N тибы Зур размер югары күрсәткечле RF кушымталары үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

12 дюймлы SiC субстрат ярымүткәргеч материаллар технологиясендә төп алгарышны күрсәтә, электр электроникасы һәм югары ешлыклы кушымталар өчен трансформатив өстенлекләр тәкъдим итә. Тармакның иң зур коммерцияле кремний карбид вафер форматы буларак, 12 дюймлы SiC субстрат моңарчы күрелмәгән масштаблы экономиягә мөмкинлек бирә, шул ук вакытта материалның киң полосалар характеристикасының өстенлекле өстенлекләрен һәм җылылык үзенчәлекләрен саклый. Гадәттәге 6 дюйм яки кечерәк SiC ваферлары белән чагыштырганда, 12 дюймлы платформа ваферга 300% тан артык куллану мәйданы китерә, үлү күләмен кискен арттыра һәм электр приборлары җитештерү чыгымнарын киметә. Бу зурлыкка күчү кремний вафиннарның тарихи эволюциясен чагылдыра, монда һәр диаметр арту зур чыгымнарны киметүгә һәм эшне яхшыртуга китерде. 12 дюймлы SiC субстратының иң югары җылылык үткәрүчәнлеге (кремнийның 3 × диярлек) һәм югары критик ватылу кыры аны киләсе буын 800В электр машиналары системасы өчен аеруча кыйммәтле итә, монда ул тагын да тыгыз һәм эффектив энергия модулларын бирә. 5G инфраструктурасында материалның югары электрон туендыру тизлеге RF җайланмаларына югары ешлыкларда түбән югалтулар белән эшләргә мөмкинлек бирә. Субстратның үзгәртелгән кремний җитештерү җиһазлары белән туры килүе шулай ук булган фаблар белән җиңелрәк кабул итүне җиңеләйтә, SiC-ның каты каты булуы аркасында махсус эшкәртү таләп ителә (9,5 Мох). Productionитештерү күләме арта барган саен, 12 дюймлы SiC субстрат югары көчле кушымталар өчен сәнәгать стандарты булыр, автомобиль, яңартыла торган энергия һәм сәнәгать энергиясен конверсия системалары аша инновацияләр йөртү.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Техник параметрлар

12 дюйм Кремний Карбид (SiC) субстрат спецификасы
Сыйфат		ZeroMPD җитештерү Сыйфат (Z класс)	Стандарт җитештерү Сыйфат (П класс)		Dummy Grade (D класс)
Диаметр		3 0 0 мм ~ 1305 мм
Калынлык	4H-N	750μm ± 15 μm	750μm ± 25 μm
	4H-SI	750μm ± 15 μm	750μm ± 25 μm
Вафер юнәлеше		Очкыч күчәре: 4H-N өчен 4.0 ° <1120> ± 0,5 °, күчәрендә: <0001> ± 0,5 ° 4H-SI өчен
Микропип тыгызлыгы	4H-N	≤0.4см-2	C4см-2		C25см-2
	4H-SI	C5см-2	C10см-2		C25см-2
Каршылык	4H-N	0.015 ~ 0.024 Ω · см			0.015 ~ 0.028 Ω · см
	4H-SI	≥1E10 Ω · см			≥1E5 Ω · см
Беренчел фатир юнәлеше		{10-10} .0 5.0 °
Беренчел фатир озынлыгы	4H-N	N / A.
	4H-SI	Notch
Кыр читен чыгару		3 мм
LTV / TTV / Bow / Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 μm / ≤55 μm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
Тупаслык		Поляк Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Highгары интенсивлык яктылыгы аркасында кыр ярыклары Heгары интенсивлык яктылыгы белән алты тәлинкәләр Polгары интенсивлык яктылыгында политип өлкәләре Визуаль углерод кертүләре Highгары интенсивлык яктылыгы белән кремний өслеге сызыклары		Беркем дә юк Кумулятив мәйдан ≤0.05% Беркем дә юк Кумулятив мәйдан ≤0.05% Беркем дә юк			Кумулятив озынлыгы ≤ 20 мм, бер озынлыгы≤2 мм Кумулятив мәйдан ≤0.1% Кумулятив мәйдан ≤3% Кумулятив мәйдан ≤3% Кумулятив озынлык≤1 × вафер диаметры
Highгары интенсивлык яктылыгы		None0.2 мм киңлек һәм тирәнлек рөхсәт ителмәгән			7 рөхсәт, һәрберсе ≤1 мм
(TSD) Винтовка винтасы		00500 см-2		N / A.
(BPD) Төп самолетның урнашуы		0001000 см-2		N / A.
Кремний өслеген югары интенсивлык яктылыгы белән пычрату		Беркем дә юк
Пакетлау		Күп ваферлы кассета яки бер вафер контейнер
Искәрмәләр:
1 Кимчелекләр чикләре читтән чыгару өлкәсеннән кала бөтен вафер өслегенә кагыла. 2Сызыкларны Si йөзендә генә тикшерергә кирәк. 3 Дислокация мәгълүматлары KOH чистартылган ваферлардан гына.

Төп үзенчәлекләр

1.
2. Perгары җитештерүчәнлек материалы: Кремний карбидының югары температурага каршы торуы һәм югары ватылу кыры көче 12 дюймлы субстратны югары көчәнешле һәм югары ешлыклы кушымталар өчен идеаль итә, мәсәлән, EV инвертерлары һәм тиз корылма системалары.
3.
4. erгары җылылык белән идарә итү: кремнийга нигезләнгән материалларга караганда яхшырак җылылык үткәрүчәнлеге белән, 12 дюймлы субстрат югары көчле җайланмаларда җылылык таралуны эффектив хәл итә, җиһазларның гомер озынлыгын озайта.

Төп кушымталар

3.Сәнәгать энергиясе белән тәэмин итү: Кояш инвертерларында һәм акыллы челтәрләрдә 12 дюймлы субстрат энергия югалтуын киметкәндә югары көчәнешләргә каршы тора ала.

4. Кулланучылар электроникасы: Киләчәк тиз зарядлагычлар һәм мәгълүмат үзәгенең электр белән тәэмин итү компакт зурлыкка һәм югары эффективлыкка ирешү өчен 12 дюймлы SiC субстратларын кулланырга мөмкин.

XKH хезмәтләре

Без 12 дюймлы SiC субстратлары (12 дюймлы кремний карбид субстратлары) өчен махсуслаштырылган эшкәртү хезмәтләрендә махсуслашабыз, шул исәптән:
1.
2. Эпитаксиаль үсеш ярдәме: чип җитештерүне тизләтү өчен югары сыйфатлы эпитаксиаль вафер хезмәтләре.
3.
4. Техник консалтинг: материаль сайлаудан оптимизациягә кадәр чишелешләр, клиентларга SiC эшкәртү проблемаларын җиңәргә булышу.
Масса-күләм җитештерү яки махсуслаштырылган көйләү өчен, безнең 12 дюймлы SiC субстрат хезмәтләре сезнең проект ихтыяҗларына туры килә, технологик алгарышны көчәйтә.