Кремний Эпи катламлы вафинда 150 мм 200 мм 6инч 8инч GaN Галлиум нитрид эпитаксиаль вафер

Кыска тасвирлау:

6 дюймлы GaN Epi-катлам вафины - кремний субстратында үскән галий нитриды (GaN) катламнарыннан торган югары сыйфатлы ярымүткәргеч материал. Материал искиткеч электрон транспорт үзенчәлекләренә ия һәм югары көчле һәм югары ешлыктагы ярымүткәргеч җайланмалар җитештерү өчен идеаль.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Manufactитештерү ысулы

Manufacturingитештерү процессы металл-органик химик пар парламенты (MOCVD) яки молекуляр нур эпитаксы (MBE) кебек алдынгы техниканы кулланып, сапфир субстратында GaN катламнарын үстерүне үз эченә ала. Чүпләү процессы югары кристалл сыйфатын һәм бердәм пленканы тәэмин итү өчен контроль шартларда башкарыла.

6inch GaN-On-Sapphire кушымталары: 6 дюймлы сапфир субстрат чиплары микродулкынлы элемтәдә, радар системаларында, чыбыксыз технологияләрдә һәм оптоэлектроникада киң кулланыла.

Кайбер киң таралган кушымталар керә

1. Rf көче көчәйткеч

2. LED яктырту индустриясе

3. Зымсыз челтәр элемтәсе җиһазлары

4. temperatureгары температурада электрон җайланмалар

5. Оптоэлектрон җайланмалар

Продукция спецификасы

- Размер: Субстратның диаметры 6 дюйм (якынча 150 мм).

- faceир өсте сыйфаты: көзге сыйфатын тәэмин итү өчен өслек нечкә итеп бизәлгән.

- Калынлык: GaN катламының калынлыгы махсус таләпләр буенча көйләнергә мөмкин.

- Пакетлау: Ташу вакытында зыянны булдырмас өчен, субстрат анти-статик материаллар белән җентекләп тутырылган.

- Позицияләү кырлары: Субстратның махсус урнашу кырлары бар, алар җайланма әзерләү вакытында тигезләнүне һәм эшне җиңеләйтәләр.

- Башка параметрлар: Нечкәлек, каршылык һәм допинг концентрациясе кебек махсус параметрлар клиент таләпләренә туры китереп көйләнергә мөмкин.

Аларның өстен материаль үзенчәлекләре һәм төрле кушымталары белән 6 дюймлы сапфир субстрат ваферлары төрле тармакларда югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмалар үсеше өчен ышанычлы сайлау.

Субстрат	6 ”1 мм <111> p тибындагы Si	6 ”1 мм <111> p тибындагы Si
Epi ThickAvg	~ 5ум	~ 7ум
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Bowәя	+/- 45ум	+/- 45ум
Крекинг	<5 мм	<5 мм
Вертикаль ВВ	> 1000В	> 1400В
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30нм	20-30нм
Insitu SiN Cap	5-60нм	5-60нм
2DEG конс.	~ 10¹³cm^-2	~ 10¹³cm^-2
Хәрәкәт	~ 2000см²/ Vs (<2%)	~ 2000см²/ Vs (<2%)
Rsh	<330ohm / кв (<2%)	<330ohm / кв (<2%)