Сапфирда 100 мм 4инч ГаН Галиум нитрид эпитаксиаль ваферда
GaN зәңгәр LED квант скважинасының үсеш процессы.Деталь процесс агымы түбәндәгечә
(1) temperatureгары температурада пешерү, сапфир субстрат водород атмосферасында 1050 to кадәр җылытыла, максат - субстрат өслеген чистарту;
(2) Субстрат температурасы 510 to кадәр төшкәч, 30нм калынлыктагы түбән температуралы GaN / AlN буфер катламы сапфир субстрат өслегенә салына;
)
)
.
.
(7) Сыйфатлы P тибындагы GaN Сибуян фильмы азот атмосферасында аннальләштерү белән 700 at;
(8) N тибындагы G стази өслеген ачу өчен P тибындагы G стазисы өстенә эләгү;
(9) Ni-Au контакт тәлинкәләренең p-GaNI өслегендә парга әйләнүе, электродлар формалаштыру өчен ll-GaN өслегендә △ / Al контакт тәлинкәләренең парга әйләнүе.
Характеристикалар
| Предмет | GaN-TCU-C100 | GaN-TCN-C100 |
| Ensionsлчәмнәре | e 100 мм ± 0,1 мм | |
| Калынлык | 4.5 ± 0,5 ум көйләнергә мөмкин | |
| Ориентация | С-яссылык (0001) ± 0,5 ° | |
| Uctionткәрү төре | N тибы (ачылмаган) | N тибы (Si-doped) |
| Каршылык (300К) | <0,5 Q ・ см | <0.05 Q ・ см |
| Ташучы концентрациясе | <5х1017сантиметр-3 | > 1х1018сантиметр-3 |
| Хәрәкәт | ~ 300 см2/ Vs | ~ 200 см2/ Vs |
| Дислокация тыгызлыгы | 5х10дан ким8сантиметр-2(XRD FWHMs белән исәпләнә) | |
| Субстрат структурасы | Саффирда GaN (Стандарт: SSP Вариант: DSP) | |
| Кулланыла торган өслек мәйданы | > 90% | |
| Пакет | Азот атмосферасында 100 класслы чиста бүлмә мохитендә, 25 шт кассеталарда яки бер вафин контейнерларда. | |
Диаграмма
