Сапфир Эпи-катлам ваферында 50,8 мм 2инч GaN
Галий нитрид GaN эпитаксиаль таблицасын куллану
Галлиум нитридының эшләвенә нигезләнеп, галлий нитрид эпитаксиаль чиплары, нигездә, югары көч, югары ешлык һәм түбән көчәнеш куллану өчен яраклы.
Бу чагылыш таба:
1) bandгары бандгап: bandгары бандгап галлий нитрид җайланмаларының көчәнеш дәрәҗәсен яхшырта һәм 5G элемтә базасы станцияләре, хәрби радар һәм башка кырлар өчен аеруча яраклы галлий арсенид җайланмаларына караганда югарырак көч чыгара ала.
2) югары конверсия эффективлыгы: галлий нитридны күчерүче электрон җайланмаларның каршылыгы кремний җайланмаларына караганда 3 зурлыктагы заказ, бу күчү югалтуын сизелерлек киметә ала;
3) malгары җылылык үткәрүчәнлеге: галий нитридның югары җылылык үткәрүчәнлеге аны югары җылылык, югары температура һәм башка җайланмалар җитештерү өчен яраклы җылылык тарату эшенә китерә;
4) Электр кырының өзелү көче: Галлий нитридның электр кыры көче кремний нитридына якын булса да, ярымүткәргеч процессы, материаль тактаның туры килмәве һәм башка факторлар аркасында, галий нитрид җайланмаларының көчәнеш чыдамлыгы гадәттә 1000В тирәсе, һәм куркынычсыз куллану көчәнеше гадәттә 650Втан түбән.
| Предмет | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Ensionsлчәмнәре | e 50,8 мм ± 0,1 мм | ||
| Калынлык | 4,5 ± 0,5 ум | 4.5 ± 0,5ум | |
| Ориентация | С-яссылык (0001) ± 0,5 ° | ||
| Uctionткәрү төре | N тибы (ачылмаган) | N тибы (Si-doped) | P тибы (Mg-doped) |
| Каршылык (3O0K) | <0,5 Q ・ см | <0.05 Q ・ см | ~ 10 Q ・ см |
| Ташучы концентрациясе | <5х1017сантиметр-3 | > 1х1018сантиметр-3 | > 6х1016 см-3 |
| Хәрәкәт | ~ 300 см2/ Vs | ~ 200 см2/ Vs | ~ 10 см2/ Vs |
| Дислокация тыгызлыгы | 5х10дан ким8сантиметр-2(XRD FWHMs белән исәпләнә) | ||
| Субстрат структурасы | Саффирда GaN (Стандарт: SSP Вариант: DSP) | ||
| Кулланыла торган өслек мәйданы | > 90% | ||
| Пакет | Азот атмосферасында 100 класслы чиста бүлмә мохитендә, 25 шт кассеталарда яки бер вафин контейнерларда. | ||
* Башка калынлыкны көйләргә мөмкин
Диаграмма
