2 дюйм 50,8 мм Сапфир Вафер С-План М-самолет Р-самолет А-самолет Калынлык 350ум 430ум 500ум

Кыска тасвирлау:

Сапфир - физик, химик һәм оптик үзенчәлекләрнең уникаль кушылмасы материалы, аны югары температурага, җылылык шокына, су һәм ком эрозиясенә, тырнауга каршы тора.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Төрле юнәлешләрне күрсәтү

Ориентация

С (0001) -Акс

Р (1-102) -Акс

М (10-10) -Акс

А (11-20) -Акс

Физик милек

С күчәрендә кристалл яктылык, калган күчәрдә тискәре яктылык бар. С очкычы яссы, яхшырак киселгән.

Р-самолет А.

M самолеты баскычлы, кисү җиңел түгел, кисү җиңел. А-яссылыкның катылыгы C-яссылыгына караганда шактый югарырак, ул киемгә каршы тору, тырнауга каршы тору һәм югары катылык белән күрсәтелә; А ягы - зигзаг яссылыгы, аны кисү җиңел;
Кушымталар

С юнәлешле сапфир субстратлары III-V һәм II-VI тупланган фильмнарны үстерү өчен кулланыла, мәсәлән, зәңгәр LED продуктлары, лазер диодлары һәм инфракызыл детектор кушымталары җитештерә ала торган галий нитриды.
Бу, нигездә, С күчәре буенча сапфир кристаллының үсү процессы җитлеккән, бәясе чагыштырмача түбән, физик һәм химик үзлекләр тотрыклы, һәм C-яссылыгында эпитакс технологиясе җитлеккән һәм тотрыклы.

Микроэлектроника интеграль схемаларда кулланылган төрле кремний экстрасисталларының R юнәлешендәге субстрат үсеше.
Моннан тыш, эпитаксиаль кремний үсешенең кино җитештерү процессында югары тизлекле интеграль схемалар һәм басым сенсорлары барлыкка килергә мөмкин. Р тибындагы субстрат кургаш, башка үткәргеч компонентлар, югары каршылык резисторлары, галий арсенид җитештерүдә дә кулланылырга мөмкин.

Бу, нигездә, якты эффективлыкны күтәрү өчен поляр булмаган / ярым полярлы GaN эпитаксиаль фильмнарны үстерү өчен кулланыла. Субстратка юнәлтелгән бердәм рөхсәтлелек / урта җитештерә, һәм гибрид микроэлектроника технологиясендә югары изоляция кулланыла. Temperatureгары температуралы үткәргечләр A-база озын кристалллардан чыгарылырга мөмкин.
Эшкәртү сыйфаты Сапфир үрнәге (PSS): owсеш яки Этчинг формасында, наноскаль махсус микросруктура үрнәкләре сапфир субстратында эшләнгән һәм яктырткычның яктылык формасын контрольдә тоту, һәм сапфир субстратында үскән GaN арасында дифференциаль кимчелекләрне киметү. , эпитакси сыйфатын яхшырту, һәм LED-ның эчке квант эффективлыгын күтәрү һәм яктылык алу эффективлыгын арттыру.
Моннан тыш, сапфир призмасы, көзге, линза, тишек, конус һәм башка структур өлешләр клиент таләпләренә туры китереп көйләнергә мөмкин.

Милек декларациясе

Тыгызлыгы Катылык эретү ноктасы Рекактив индекс (күренеп торган һәм инфракызыл) Трансмитанс (DSP) Диэлектрик даими
3.98г / см3 9 (ай) 2053 ℃ 1.762 ~ 1.770 ≥85% C күчәрендә 11.58@300K (күчәрендә 9,4))

Диаграмма

avcasvb (1)
avcasvb (2)
avcasvb (3)

  • Алдагы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез