2 дюйм Сик кремний карбид субстрат 6H-N тибы 0,33 мм 0,43 мм ике яклы полировка Highгары җылылык үткәрүчәнлеге аз энергия куллану

Кыска тасвирлау:

Кремний карбид (SiC) - киң җылылык үткәрүчәнлеге һәм химик тотрыклылыгы булган киң үткәргеч ярымүткәргеч материал. 6H-N тибы аның кристалл структурасының алты почмаклы (6H) булуын күрсәтә, һәм "N" аның N тибындагы ярымүткәргеч материал булуын күрсәтә, гадәттә азотны допинглау ярдәмендә ирешелә.
Кремний карбид субстратының югары басымга каршы тору, югары температурага каршы тору, югары ешлык җитештерүчәнлеге һ.б. искиткеч үзенчәлекләре бар, кремний продуктлары белән чагыштырганда, кремний субстрат әзерләгән җайланма югалтуны 80% ка киметергә һәм җайланма күләмен 90% ка киметергә мөмкин. Яңа энергия машиналары ягыннан кремний карбид яңа энергия машиналарына җиңеллеккә ирешергә һәм югалтуларны киметергә, йөртү диапазонын арттырырга ярдәм итә ала. 5G элемтә өлкәсендә аны җиһазлар җитештерү өчен кулланырга мөмкин; Фотовольтаик энергия җитештерү конверсия эффективлыгын яхшырта ала; Тимер юл транзиты өлкәсе аның югары температурасын һәм югары басымга каршы тору үзенчәлекләрен куллана ала.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Түбәндә 2инч кремний карбид ваферы характеристикалары бар

1. Катылык: Мох катылыгы якынча 9.2.
2. Бәллүр структура: алты почмаклы такталар структурасы.
3. Highгары җылылык үткәрүчәнлеге: SiC җылылык үткәрүчәнлеге кремнийныкыннан күпкә югарырак, бу җылылыкның эффектив таралуына ярдәм итә.
4. Киң тасма аермасы: SiC диапазоны аермасы якынча 3,3eV, югары температура, югары ешлык һәм югары көч куллану өчен яраклы.
5. Электр кыры һәм электрон хәрәкәтнең өзелүе: MOSFETs һәм IGBTs кебек эффектив электрон җайланмалар өчен яраклы электр кыры һәм электрон хәрәкәт.
6. Химик тотрыклылык һәм нурланышка каршы тору: аэрокосмос һәм милли оборона кебек кырыс мохит өчен яраклы. Искиткеч химик каршылык, кислота, алкалы һәм башка химик эреткечләр.
7. Mechanгары механик көч: temperatureгары температурада һәм югары басым шартларында искиткеч механик көч.
Ул югары көч, югары ешлык һәм югары температуралы электрон җиһазларда киң кулланылырга мөмкин, мәсәлән, ультрафиолет фотодетекторлары, фотоволтаик инвертерлар, электр машиналары PCU һ.б.

2инч кремний карбид ваферының берничә кушымтасы бар.

1. Көчле электрон җайланмалар: MOSFET, IGBT һәм башка эффектив җайланмалар җитештерү өчен кулланыла, электр конверсиясендә һәм электр машиналарында киң кулланыла.

2.Rf җайланмалары: Элемтә җиһазларында SiC югары ешлыктагы көчәйткечләрдә һәм RF көчәйткечләрендә кулланылырга мөмкин.

3.Фотоэлектрик җайланмалар: аеруча зәңгәр һәм ультрафиолет кушымталарында.

4.Сенсорлар: temperatureгары температура һәм химик каршылык аркасында SiC субстратлары югары температура сенсорларын һәм башка сенсор кушымталарын җитештерү өчен кулланылырга мөмкин.

5.Милитар һәм аэрокосмос: югары температурага каршы тору һәм югары көч характеристикалары аркасында, экстремаль шартларда куллану өчен яраклы.

6H-N 2 типтагы төп куллану өлкәләренә яңа энергия машиналары, югары көчәнеш тапшыру һәм трансформация станцияләре, ак товарлар, югары тизлекле поездлар, двигательләр, фотоволтаик инвертер, импульс электр белән тәэмин итү һ.б. керә.

XKH клиент таләпләренә туры китереп төрле калынлык белән көйләнә ала. Төрле өслекнең тупаслыгы һәм бизәү ысуллары бар. Төрле допинг төрләре (мәсәлән, азот допингы) ярдәм итә. Стандарт тапшыру вакыты - көйләүгә карап 2-4 атна. Субстратның куркынычсызлыгын тәэмин итү өчен анти-статик упаковка материалларын һәм сейсмикка каршы күбек кулланыгыз. Төрле җибәрү вариантлары бар, һәм клиентлар логистиканың торышын реаль вакытта күрсәтелгән күзәтү номеры аша тикшерә ала. Клиентларның куллану процессындагы проблемаларны чишә алуларын тәэмин итү өчен техник ярдәм һәм консалтинг хезмәтләрен күрсәтегез.