P-типтагы SiC пластинасы 4H/6H-P 3C-N 6 дюйм калынлыгы 350 мкм, төп яссы ориентация белән
Спецификация 4H/6H-P тибындагы SiC композит субстратлары Гомуми параметрлар таблицасы
6 дюйм диаметрлы кремний карбиды (SiC) субстраты Спецификация
| Дәрәҗә | Нуль MPD җитештерүДәрәҗә (Z) Дәрәҗә) | Стандарт җитештерүДәрәҗә (P) Дәрәҗә) | Макет дәрәҗәсе (D Дәрәҗә) | ||
| Диаметр | 145,5 мм ~ 150,0 мм | ||||
| Калынлыгы | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
| Вафли юнәлеше | -Offкүчәр: 4H/6H-P өчен [1120] юнәлешендә 2.0°-4.0° ± 0.5°, күчәрдә: 3C-N өчен 111〉± 0.5° | ||||
| Микроторба тыгызлыгы | 0 см-2 | ||||
| Каршылык | p-тип 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏсм | ≤0.3 Ωꞏсм | ||
| n-тип 3C-N | ≤0.8 мΩꞏсм | ≤1 м Ωꞏсм | |||
| Төп яссылык ориентациясе | 4H/6H-P | -{1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0° | ||||
| Башлангыч яссы озынлык | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||||
| Икенчел яссы озынлык | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||||
| Икенчел яссы ориентация | Кремний өске яктан: 90° CW. Prime яссылыгыннан ± 5.0° | ||||
| Кыр чикләрен чыгару | 3 мм | 6 мм | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm | |||
| Тупаслык | Полякча Ra≤1 нм | ||||
| CMP Ra≤0.2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||
| Югары интенсивлыклы яктылык белән кырый ярылулары | Юк | Кумулятив озынлык ≤ 10 мм, бер озынлык ≤ 2 мм | |||
| Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә алты почмаклы пластиналар | Тупланган мәйдан ≤0,05% | Тупланган мәйдан ≤0.1% | |||
| Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә политип зоналары | Юк | Кумулятив мәйдан ≤3% | |||
| Күзгә күренеп ясалган углерод кушылмалары | Тупланган мәйдан ≤0,05% | Тупланган мәйдан ≤3% | |||
| Югары интенсивлы яктылык белән кремний өслегендәге сызыклар | Юк | Кумулятив озынлык ≤1 × пластина диаметры | |||
| Чиплар югары интенсивлыклы яктылык белән | Киңлеге һәм тирәнлеге ≥0,2 мм булырга тиеш түгел | 5 рөхсәт ителә, һәрберсе ≤1 мм | |||
| Кремний өслегенең югары интенсивлык белән пычрануы | Юк | ||||
| Упаковка | Күп вафлилы кассета яки бер вафлилы контейнер | ||||
Искәрмәләр:
※ Кимчелекләр чикләре, кырыйларны чыгару өлкәсеннән кала, бөтен пластина өслегенә кагыла. # Сыдырылуларны Si йөзендә тикшерергә кирәк.
6 дюймлы зурлыкта һәм 350 мкм калынлыкта булган P-типтагы SiC пластинасы, 4H/6H-P 3C-N, югары җитештерүчәнлекле электр электроникасын сәнәгать җитештерүендә мөһим роль уйный. Аның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары ватылу көчәнеше аны электр транспорт чаралары, электр челтәрләре һәм яңартыла торган энергия системалары кебек югары температуралы мохиттә кулланыла торган көч ачкычлары, диодлар һәм транзисторлар кебек компонентлар җитештерү өчен идеаль итә. Пластинаның катгый шартларда нәтиҗәле эшләү сәләте югары энергия тыгызлыгы һәм энергия нәтиҗәлелеге таләп итә торган сәнәгать кушымталарында ышанычлы эшләүне тәэмин итә. Моннан тыш, аның төп яссы юнәлеше җайланмалар җитештерү вакытында төгәл тигезләүгә ярдәм итә, җитештерү нәтиҗәлелеген һәм продуктның тотрыклылыгын арттыра.
N-типтагы SiC композит субстратларының өстенлекләре түбәндәгеләрне үз эченә ала
- Югары җылылык үткәрүчәнлегеP-типтагы SiC пластиналары җылылыкны нәтиҗәле рәвештә тараталар, бу аларны югары температуралы кушымталар өчен идеаль итә.
- Югары ватылу көчәнеше: Югары көчәнешләргә чыдам, көч электроникасында һәм югары көчәнешле җайланмаларда ышанычлылыкны тәэмин итә.
- Каты мохиткә каршы торучанлык: Югары температуралар һәм коррозияле мохит кебек экстремаль шартларда бик нык.
- Нәтиҗәле энергия үзгәртүP-типтагы легирлау энергияне нәтиҗәле эшкәртүне җиңеләйтә, шуның белән пластинаны энергияне үзгәртү системалары өчен яраклы итә.
- Төп яссылык ориентациясеҖитештерү вакытында төгәл тигезләүне тәэмин итә, җайланманың төгәллеген һәм тотрыклылыгын яхшырта.
- Нечкә структура (350 мкм)Пластинаның оптималь калынлыгы алдынгы, урын чикләнгән электрон җайланмаларга интеграцияләүне хуплый.
Гомумән алганда, P-типтагы SiC пластинасы, 4H/6H-P 3C-N, аны сәнәгать һәм электрон кушымталар өчен бик яраклы итә торган берничә өстенлек тәкъдим итә. Аның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм ватылу көчәнеше югары температуралы һәм югары көчәнешле мохиттә ышанычлы эшләү мөмкинлеген бирә, ә каты шартларга чыдамлыгы ныклыкны тәэмин итә. P-типтагы легирлау энергияне нәтиҗәле үзгәртү мөмкинлеген бирә, бу аны электр электроникасы һәм энергия системалары өчен идеаль итә. Моннан тыш, пластинаның төп яссы юнәлеше җитештерү процессында төгәл тигезләүне тәэмин итә, җитештерүнең тотрыклылыгын арттыра. 350 мкм калынлыгы белән ул алдынгы, компакт җайланмаларга интеграцияләү өчен бик яраклы.
җентекле схема
