SiC субстраты P-тип 4H/6H-P 3C-N 4 дюйм, калынлыгы 350 мкм. Җитештерү классы. Ялган класс.
4 дюймлы SiC субстраты P-тип 4H/6H-P 3C-N параметрлар таблицасы
4 дюйм диаметрлы кремнийКарбид (SiC) субстраты Спецификация
| Дәрәҗә | Нуль MPD җитештерү Дәрәҗә (Z) Дәрәҗә) | Стандарт җитештерү Дәрәҗә (P) Дәрәҗә) | Макет дәрәҗәсе (D Дәрәҗә) | ||
| Диаметр | 99,5 мм ~ 100,0 мм | ||||
| Калынлыгы | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
| Вафли юнәлеше | Күчтән читтә: [11] юнәлешендә 2.0°-4.0°20] 4H/6H өчен ± 0,5°P, On күчәре: 3C-N өчен〈111〉± 0.5° | ||||
| Микроторба тыгызлыгы | 0 см-2 | ||||
| Каршылык | p-тип 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏсм | ≤0.3 Ωꞏсм | ||
| n-тип 3C-N | ≤0.8 мΩꞏсм | ≤1 м Ωꞏсм | |||
| Төп яссылык ориентациясе | 4H/6H-P | - {1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5.0° | ||||
| Башлангыч яссы озынлык | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||||
| Икенчел яссы озынлык | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||||
| Икенчел яссы ориентация | Кремний өске якта: Prime flat'тан 90° CW.±5.0° | ||||
| Кыр чикләрен чыгару | 3 мм | 6 мм | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤2.5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм | ≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм | |||
| Тупаслык | Полякча Ra≤1 нм | ||||
| CMP Ra≤0.2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||
| Югары интенсивлыклы яктылык белән кырый ярылулары | Юк | Кумулятив озынлык ≤ 10 мм, бер озынлык ≤ 2 мм | |||
| Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә алты почмаклы пластиналар | Тупланган мәйдан ≤0,05% | Тупланган мәйдан ≤0.1% | |||
| Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә политип зоналары | Юк | Кумулятив мәйдан ≤3% | |||
| Күзгә күренеп ясалган углерод кушылмалары | Тупланган мәйдан ≤0,05% | Тупланган мәйдан ≤3% | |||
| Югары интенсивлы яктылык белән кремний өслегендәге сызыклар | Юк | Кумулятив озынлык ≤1 × пластина диаметры | |||
| Чиплар югары интенсивлыклы яктылык белән | Киңлеге һәм тирәнлеге ≥0,2 мм булырга тиеш түгел | 5 рөхсәт ителә, һәрберсе ≤1 мм | |||
| Кремний өслегенең югары интенсивлык белән пычрануы | Юк | ||||
| Упаковка | Күп вафлилы кассета яки бер вафлилы контейнер | ||||
Искәрмәләр:
※Кисемсезлек чикләре, кырыйларны чыгару өлкәсеннән кала, бөтен пластина өслегенә кагыла. # Сыдырылуларны бары тик Si битендә генә тикшерергә кирәк.
350 мкм калынлыктагы P-типтагы 4H/6H-P 3C-N 4 дюймлы SiC субстраты алдынгы электрон һәм көч җайланмалары җитештерүдә киң кулланыла. Бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу көчәнеше һәм экстремаль мохиткә нык каршылыгы белән бу субстрат югары көчәнешле ачкычлар, инверторлар һәм RF җайланмалары кебек югары җитештерүчәнлекле көч электроникасы өчен идеаль. Җитештерү дәрәҗәсендәге субстратлар зур күләмле җитештерүдә кулланыла, бу җайланмаларның ышанычлы, югары төгәллекле эшләвен тәэмин итә, бу көч электроникасы һәм югары ешлыклы кушымталар өчен бик мөһим. Икенче яктан, макет дәрәҗәсендәге субстратлар, нигездә, процессны калибрлау, җиһазларны сынау һәм прототип эшләү өчен кулланыла, ярымүткәргечләр җитештерүдә сыйфат контролен һәм процессның тотрыклылыгын сакларга ярдәм итә.
Спецификация N-типтагы SiC композит субстратларының өстенлекләре түбәндәгеләрне үз эченә ала
- Югары җылылык үткәрүчәнлегеНәтиҗәле җылылык тарату субстратны югары температуралы һәм югары куәтле кушымталар өчен идеаль итә.
- Югары ватылу көчәнеше: Югары вольтлы эшләүне хуплый, көч электроникасы һәм радиоешлык җайланмаларында ышанычлылыкны тәэмин итә.
- Каты мохиткә каршы торучанлык: Югары температуралар һәм коррозияле мохит кебек экстремаль шартларда нык, озак вакыт эшләүне тәэмин итә.
- Җитештерү дәрәҗәсендәге төгәллекЗур күләмле җитештерүдә югары сыйфатлы һәм ышанычлы эш башкаруны тәэмин итә, алдынгы энергия һәм радиоешлык кушымталары өчен яраклы.
- Тестлау өчен макет-дәрәҗәПроцессларны төгәл калибрлау, җиһазларны сынау һәм прототиплаштыру мөмкинлеген бирә, җитештерү дәрәҗәсендәге пластиналарны бозмыйча.
Гомумән алганда, калынлыгы 350 мкм булган P-типтагы 4H/6H-P 3C-N 4 дюймлы SiC субстраты югары җитештерүчән электрон кушымталар өчен зур өстенлекләр бирә. Аның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм җимерелү көчәнеше аны югары куәтле һәм югары температуралы мохит өчен идеаль итә, ә каты шартларга чыдамлыгы ныклыкны һәм ышанычлылыкны тәэмин итә. Җитештерү дәрәҗәсендәге субстрат көч электроникасы һәм радиоешлык җайланмаларын зур күләмдә җитештерүдә төгәл һәм тотрыклы эшләүне тәэмин итә. Шул ук вакытта, макет дәрәҗәсендәге субстрат процессны калибрлау, җиһазларны сынау һәм прототиплаштыру өчен бик мөһим, ярымүткәргечләр җитештерүдә сыйфатны контрольдә тотуны һәм тотрыклылыкны хуплый. Бу үзенчәлекләр SiC субстратларын алдынгы кушымталар өчен бик күп функцияле итә.
җентекле схема
