2инч 3инч 4инч InP эпитаксиаль вафер субстрат җепсел оптик элемтә яки LiDAR өчен APD яктылык детекторы

2инч 3инч 4инч InP эпитаксиаль вафер субстрат җепселле оптик элемтә яки LiDAR үзенчәлекле рәсем өчен APD яктылык детекторы

Кыска тасвирлау:

InP эпитаксиаль субстрат - APD җитештерү өчен төп материал, гадәттә эпитаксиаль үсеш технологиясе ярдәмендә субстратка урнаштырылган ярымүткәргеч материал. Гадәттә кулланыла торган материалларга кремний (Si), галлий арсенид (GaAs), галлий нитрид (GaN) һ.б. керә, искиткеч фотоэлектрик үзенчәлекләре бар. APD фотодетекторы - ачык сигналны көчәйтү өчен кар көчлегенең фотоэлектрик эффектын кулланган махсус фотодетектор. APD-та фотоннар булганда, электрон тишекле парлар барлыкка килә. Электр йөртүче кыры астында бу йөртүчеләрнең тизләнеше күбрәк йөртүчеләрнең барлыкка килүенә китерергә мөмкин, "кар көчлеге", ул токны сизелерлек көчәйтә.
MOCvD үстергән эпитаксиаль ваферлар кардан фотодетекция диод кушымталарының төп юнәлеше булып торалар. Сүндерү катламы U-InGaAs материалы белән фон допинг <5E14 белән әзерләнгән. Функциональ катлам InP яки InAlAslayer куллана ала. InP эпитаксиаль субстрат - оптик детекторның эшләвен билгеләүче APD җитештерү өчен төп материал. APD фотодетекторы - югары сизгерлек фотодетекторы, ул элемтә, сизү һәм сурәтләү өлкәләрендә киң кулланыла.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

InP лазер эпитаксиаль таблицасының төп үзенчәлекләре

1.
2. Оптик күрсәткеч: InP эпитаксиаль фильм яхшы оптик күрсәткечкә ия, мәсәлән, яктылык көче һәм төрле дулкын озынлыкларында тышкы квант эффективлыгы. Мәсәлән, 480 нм, якты көч һәм тышкы квант эффективлыгы тиешенчә 11,2% һәм 98,8%.
3. Оператор динамикасы: InP нанопартиклар (NP) эпитаксиаль үсеш вакытында икеләтә экспоненциаль бозылу тәртибен күрсәтәләр. Тиз черү вакыты InGaAs катламына ташучы инъекция белән бәйле, ә әкрен бозылу вакыты InP NP-ларда ташучы рекомбинациясе белән бәйле.
4. temperatureгары температураның характеристикалары: AlGaInAs / InP квант скважинасы югары температурада искиткеч күрсәткечкә ия, бу агымның эффектив булуын һәм лазерның югары температурасы характеристикаларын яхшырта ала.
5.
Бу характеристикалар InP лазер эпитаксиаль ваферларның оптик җепсел элемтәсендә, квант ачкычларын таратуда һәм дистанцион оптик ачыклауда мөһим кулланмаларга ия.

InP лазер эпитаксиаль планшетларның төп кушымталары керә

4. Кремний фотоникасы: Гетероген интеграция технологиясе ярдәмендә InP лазеры кремний нигезендәге субстратка күчерелә, күп функцияле кремний оптоэлектрон интеграция платформасы.

5. performanceгары эшлекле лазерлар: InP материаллары югары эшлекле лазерлар җитештерү өчен кулланыла, мәсәлән, 1,5 микрон дулкын озынлыгы булган InGaAsP-InP транзистор лазерлары.

XKH төрле структуралар һәм калынлыклар белән махсуслаштырылган InP эпитаксиаль ваферлар тәкъдим итә, оптик элемтә, сенсорлар, 4G / 5G база станцияләре һ.б. кебек кушымталарны үз эченә ала. XKH продуктлары югары җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны тәэмин итү өчен алдынгы MOCVD җиһазлары ярдәмендә җитештерелә. Логистика ягыннан, XKH халыкара чыганак каналларының киң ассортиментына ия, заказлар санын үзгәртә ала, һәм нечкәлек, сегментлаштыру һ.б. кебек кыйммәтле хезмәтләр күрсәтә ала. Эффектив тапшыру процесслары вакытында китерүне тәэмин итә һәм клиентларның таләпләрен канәгатьләндерә. сыйфат һәм тапшыру вакыты. Килгәннән соң, клиентлар продуктның шома кулланылышын тәэмин итү өчен комплекслы техник ярдәм һәм сатудан соң хезмәт күрсәтә алалар.