2 дюймлы 3 дюймлы 4 дюймлы InP эпитаксиаль пластина субстраты APD яктылык детекторы, оптик җепселле элемтә яки LiDAR өчен

2 дюймлы 3 дюймлы 4 дюймлы InP эпитаксиаль пластина субстраты, оптик җепселле элемтә яки LiDAR өчен APD яктылык детекторы. Күрсәтелгән рәсем.

Кыскача тасвирлама:

InP эпитаксиаль субстраты - APD җитештерү өчен төп материал, гадәттә эпитаксиаль үстерү технологиясе ярдәмендә субстратка урнаштырылган ярымүткәргеч материал. Еш кулланыла торган материаллар арасында кремний (Si), галлий арсениды (GaAs), галлий нитриды (GaN) һ.б. бар, алар бик яхшы фотоэлектрик үзлекләргә ия. APD фотодетекторы - детектор сигналын көчәйтү өчен кар ишелмәсе фотоэлектрик эффектын кулланучы махсус фотодетектор төре. APDга фотоннар төшкәндә, электрон-тишек парлары барлыкка килә. Бу ташучыларның электр кыры тәэсирендә тизләнеше күбрәк ташучылар барлыкка килүенә китерергә мөмкин, бу "кар ишелмәсе эффекты" дип атала, ул чыгу тогын сизелерлек көчәйтә.
MOCvD ярдәмендә үстерелгән эпитаксиаль пластиналар кар ишелмәсе фотодетектор диодлары куллануның төп юнәлеше булып тора. Абсорбция катламы фон легирлавы <5E14 булган U-InGaAs материалы белән әзерләнгән. Функциональ катлам InP яки InAlAslayer куллана ала. InP эпитаксиаль субстраты APD җитештерү өчен төп материал булып тора, ул оптик детекторның эшчәнлеген билгели. APD фотодетекторы - югары сизгерлекле фотодетектор төре, ул элемтә, сизү һәм сурәтләү өлкәләрендә киң кулланыла.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

InP лазер эпитаксиаль битенең төп үзенчәлекләре түбәндәгеләрне үз эченә ала

1. Зона арасы үзенчәлекләре: InP тар зона аралыгына ия, бу озын дулкынлы инфракызыл яктылыкны ачыклау өчен яраклы, бигрәк тә 1,3 мкм - 1,5 мкм дулкын озынлыгы диапазонында.
2. Оптик эшчәнлек: InP эпитаксиаль пленкасы яхшы оптик эшчәнлеккә ия, мәсәлән, төрле дулкын озынлыкларында яктылык көче һәм тышкы квант нәтиҗәлелеге. Мәсәлән, 480 нмда яктылык көче һәм тышкы квант нәтиҗәлелеге тиешенчә 11,2% һәм 98,8% тәшкил итә.
3. Йөк ташучы динамикасы: InP нанокисәкчәләре (NP) эпитаксиаль үсеш вакытында икеләтә экспоненциаль таркалу үзенчәлеге күрсәтә. Тиз таркалу вакыты InGaAs катламына йөртүче инъекциясе белән бәйле, ә әкрен таркалу вакыты InP NPларында йөртүче рекомбинациясе белән бәйле.
4. Югары температура характеристикалары: AlGaInAs/InP квант коесы материалы югары температурада бик яхшы эш күрсәткечләренә ия, бу агым агып чыгуын нәтиҗәле рәвештә булдырмаска һәм лазерның югары температура характеристикаларын яхшыртырга мөмкин.
5. Җитештерү процессы: InP эпитаксиаль катламнары гадәттә субстратта молекуляр нур эпитакси (MBE) яки металл-органик химик пар чыгару (MOCVD) технологиясе ярдәмендә югары сыйфатлы пленкалар алу өчен үстерелә.
Бу үзенчәлекләр InP лазер эпитаксиаль пластиналарын оптик җепселле элемтәдә, квант ачкычларын бүлүдә һәм дистанцион оптик детекторлауда мөһим кулланылышка ия итә.

InP лазер эпитаксиаль таблеткаларының төп кулланылышлары түбәндәгеләрне үз эченә ала:

1. Фотоника: InP лазерлары һәм детекторлары оптик элемтәдә, мәгълүмат үзәкләрендә, инфракызыл сурәтләүдә, биометриядә, 3D сизүдә һәм LiDARда киң кулланыла.

2. Телекоммуникацияләр: InP материаллары кремний нигезендәге озын дулкынлы лазерларны киң масштаблы интеграцияләүдә, бигрәк тә оптик җепселле элемтәдә, мөһим кулланылышка ия.

3. Инфракызыл лазерлар: InP нигезендәге квант коесы лазерларын урта инфракызыл диапазонда (мәсәлән, 4-38 микрон) куллану, шул исәптән газ сизү, шартлаткыч матдәләрне ачыклау һәм инфракызыл сурәтләү.

4. Кремний фотоникасы: Гетероген интеграция технологиясе аша InP лазеры күп функцияле кремний оптоэлектрон интеграция платформасын формалаштыру өчен кремний нигезендәге субстратка күчерелә.

5. Югары җитештерүчәнлекле лазерлар: InP материаллары югары җитештерүчәнлекле лазерлар җитештерү өчен кулланыла, мәсәлән, 1,5 микрон дулкын озынлыгындагы InGaAsP-InP транзистор лазерлары.

XKH төрле структуралы һәм калынлыктагы InP эпитаксиаль пластиналарын тәкъдим итә, алар оптик элемтә, сенсорлар, 4G/5G база станцияләре һ.б. кебек төрле кушымталарны үз эченә ала. XKH продуктлары югары җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны тәэмин итү өчен алдынгы MOCVD җиһазлары ярдәмендә җитештерелә. Логистикага килгәндә, XKH халыкара чыганак каналларының киң диапазонына ия, заказлар санын сыгылмалы рәвештә эшкәртә ала һәм сирәкләндерү, сегментлаштыру һ.б. кебек өстәмә хезмәтләр күрсәтә. Нәтиҗәле китерү процесслары вакытында китерүне тәэмин итә һәм сыйфат һәм китерү вакыты буенча клиентларның таләпләрен канәгатьләндерә. Килгәннән соң, клиентлар продуктның шома кулланылуын тәэмин итү өчен комплекслы техник ярдәм һәм сатудан соңгы хезмәт ала алалар.